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Artigo de periodico
Density functional investigation of the adsorption effects of PH3 and SH2 on the structure stability of the Au55 and Pt55 nanoclusters (2017)
Guedes-Sobrinho, D; Chaves, A S; Piotrowski, Maurício Jeomar; Silva, Juarez Lopes Ferreira da
Fonte: Journal Chemical Physics. Unidade: IQSC
Assunto: NANOTECNOLOGIA
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ABNT
GUEDES-SOBRINHO, D et al. Density functional investigation of the adsorption effects of PH3 and SH2 on the structure stability of the Au55 and Pt55 nanoclusters. Journal Chemical Physics, v. 146, n. 16, p. 164304, 2017Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4981791. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Guedes-Sobrinho, D., Chaves, A. S., Piotrowski, M. J., & Silva, J. L. F. da. (2017). Density functional investigation of the adsorption effects of PH3 and SH2 on the structure stability of the Au55 and Pt55 nanoclusters. Journal Chemical Physics, 146( 16), 164304. doi:10.1063/1.4981791
NLM
Guedes-Sobrinho D, Chaves AS, Piotrowski MJ, Silva JLF da. Density functional investigation of the adsorption effects of PH3 and SH2 on the structure stability of the Au55 and Pt55 nanoclusters [Internet]. Journal Chemical Physics. 2017 ; 146( 16): 164304.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4981791
Vancouver
Guedes-Sobrinho D, Chaves AS, Piotrowski MJ, Silva JLF da. Density functional investigation of the adsorption effects of PH3 and SH2 on the structure stability of the Au55 and Pt55 nanoclusters [Internet]. Journal Chemical Physics. 2017 ; 146( 16): 164304.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4981791
Artigo de periodico
Conduction mechanisms on annealed semi-insulating 'GA''AS' samples (2011)
Peres, M L; Chaves, A S; Rubinger, R M; Ribeiro, G M; Oliveira, A G de; Chitta, V A
Fonte: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. Unidade: IF
Assunto: ALTA TEMPERATURA
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ABNT
PERES, M L et al. Conduction mechanisms on annealed semi-insulating 'GA''AS' samples. SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, v. 26, n. 12, p. 125014, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0268-1242/26/12/125014. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Peres, M. L., Chaves, A. S., Rubinger, R. M., Ribeiro, G. M., Oliveira, A. G. de, & Chitta, V. A. (2011). Conduction mechanisms on annealed semi-insulating 'GA''AS' samples. SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 26( 12), 125014. doi:10.1088/0268-1242/26/12/125014
NLM
Peres ML, Chaves AS, Rubinger RM, Ribeiro GM, Oliveira AG de, Chitta VA. Conduction mechanisms on annealed semi-insulating 'GA''AS' samples [Internet]. SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. 2011 ;26( 12): 125014.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/26/12/125014
Vancouver
Peres ML, Chaves AS, Rubinger RM, Ribeiro GM, Oliveira AG de, Chitta VA. Conduction mechanisms on annealed semi-insulating 'GA''AS' samples [Internet]. SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. 2011 ;26( 12): 125014.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/26/12/125014
Artigo de periodico
Luminescence and Raman scattering in periodically ´DELTA´-doped GaAs (1999)
Siqueira, C A; Rodrigues, W N; Moreira, M V B; Oliveira, A. G.; Chaves, A S; Ioriatti Júnior, Lidério Citrângulo
Fonte: Physical Review B. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SIQUEIRA, C A et al. Luminescence and Raman scattering in periodically ´DELTA´-doped GaAs. Physical Review B, v. 59, n. 7, p. 5008-5012, 1999Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/96e5bffc-4892-4c57-bad3-83e31e471c5d/PROD005865_1016055.pdf. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Siqueira, C. A., Rodrigues, W. N., Moreira, M. V. B., Oliveira, A. G., Chaves, A. S., & Ioriatti Júnior, L. C. (1999). Luminescence and Raman scattering in periodically ´DELTA´-doped GaAs. Physical Review B, 59( 7), 5008-5012. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/96e5bffc-4892-4c57-bad3-83e31e471c5d/PROD005865_1016055.pdf
NLM
Siqueira CA, Rodrigues WN, Moreira MVB, Oliveira AG, Chaves AS, Ioriatti Júnior LC. Luminescence and Raman scattering in periodically ´DELTA´-doped GaAs [Internet]. Physical Review B. 1999 ;59( 7): 5008-5012.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/96e5bffc-4892-4c57-bad3-83e31e471c5d/PROD005865_1016055.pdf
Vancouver
Siqueira CA, Rodrigues WN, Moreira MVB, Oliveira AG, Chaves AS, Ioriatti Júnior LC. Luminescence and Raman scattering in periodically ´DELTA´-doped GaAs [Internet]. Physical Review B. 1999 ;59( 7): 5008-5012.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/96e5bffc-4892-4c57-bad3-83e31e471c5d/PROD005865_1016055.pdf
Artigo de periodico
Broadening of the si doping layer in planar-doped gaas in the limit of high concentrations (1991)
Rodrigues, R; Guimaraes, P S S; Sampaio, J F; Nogueira, R A; Oliveira Junior, A T; Dias, I. F. L.; Bezerra, J C; Oliveira, A. G.; Chaves, A S; Scolfaro, L M R
Fonte: Solid State Communications. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
RODRIGUES, R et al. Broadening of the si doping layer in planar-doped gaas in the limit of high concentrations. Solid State Communications, v. 78, p. 793-6, 1991Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0038-1098(91)90622-3. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Rodrigues, R., Guimaraes, P. S. S., Sampaio, J. F., Nogueira, R. A., Oliveira Junior, A. T., Dias, I. F. L., et al. (1991). Broadening of the si doping layer in planar-doped gaas in the limit of high concentrations. Solid State Communications, 78, 793-6. doi:10.1016/0038-1098(91)90622-3
NLM
Rodrigues R, Guimaraes PSS, Sampaio JF, Nogueira RA, Oliveira Junior AT, Dias IFL, Bezerra JC, Oliveira AG, Chaves AS, Scolfaro LMR. Broadening of the si doping layer in planar-doped gaas in the limit of high concentrations [Internet]. Solid State Communications. 1991 ;78 793-6.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0038-1098(91)90622-3
Vancouver
Rodrigues R, Guimaraes PSS, Sampaio JF, Nogueira RA, Oliveira Junior AT, Dias IFL, Bezerra JC, Oliveira AG, Chaves AS, Scolfaro LMR. Broadening of the si doping layer in planar-doped gaas in the limit of high concentrations [Internet]. Solid State Communications. 1991 ;78 793-6.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0038-1098(91)90622-3
Artigo de periodico
Electronic subbands at gaas-algaas heterojunctions in paralel magnetic fields (1989)
Gomes, V M S; Oliveira, G M G; Leite, J. R.; Chaves, A S
Fonte: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
GOMES, V M S et al. Electronic subbands at gaas-algaas heterojunctions in paralel magnetic fields. Superlattices and Microstructures, v. 6 , n. 1 , p. 47-50, 1989Tradução . . Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Gomes, V. M. S., Oliveira, G. M. G., Leite, J. R., & Chaves, A. S. (1989). Electronic subbands at gaas-algaas heterojunctions in paralel magnetic fields. Superlattices and Microstructures, 6 ( 1 ), 47-50.
NLM
Gomes VMS, Oliveira GMG, Leite JR, Chaves AS. Electronic subbands at gaas-algaas heterojunctions in paralel magnetic fields. Superlattices and Microstructures. 1989 ;6 ( 1 ): 47-50.[citado 2024 abr. 23 ]
Vancouver
Gomes VMS, Oliveira GMG, Leite JR, Chaves AS. Electronic subbands at gaas-algaas heterojunctions in paralel magnetic fields. Superlattices and Microstructures. 1989 ;6 ( 1 ): 47-50.[citado 2024 abr. 23 ]
Trabalho de evento-resumo
Efeito hall quantico em heteroestruturas 'GA''AS' / n-'AL''GA''AS' dopadas seletivamente crescidas por mbe (1989)
Diniz, R; Chaves, A S; Guimaraes, P S S; Bezerra, J C; Dias, I F; Oliveira, A. G.; Oliveira Jr., N. F.
Fonte: Programa e Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: EFEITO HALL
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ABNT
DINIZ, R et al. Efeito hall quantico em heteroestruturas 'GA''AS' / n-'AL''GA''AS' dopadas seletivamente crescidas por mbe. 1989, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1989. . Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Diniz, R., Chaves, A. S., Guimaraes, P. S. S., Bezerra, J. C., Dias, I. F., Oliveira, A. G., & Oliveira Jr., N. F. (1989). Efeito hall quantico em heteroestruturas 'GA''AS' / n-'AL''GA''AS' dopadas seletivamente crescidas por mbe. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Diniz R, Chaves AS, Guimaraes PSS, Bezerra JC, Dias IF, Oliveira AG, Oliveira Jr. NF. Efeito hall quantico em heteroestruturas 'GA''AS' / n-'AL''GA''AS' dopadas seletivamente crescidas por mbe. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Vancouver
Diniz R, Chaves AS, Guimaraes PSS, Bezerra JC, Dias IF, Oliveira AG, Oliveira Jr. NF. Efeito hall quantico em heteroestruturas 'GA''AS' / n-'AL''GA''AS' dopadas seletivamente crescidas por mbe. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Artigo de periodico
Electrons at gaas-algaas heterojunctions in parallel magnetic fields (1988)
Gomes, V M S; Oliveira, G M G; Leite, J. R.; Chaves, A S
Fonte: Fisica Y Tecnologia de Semicondutores. Unidade: IF
Assunto: CAMPO MAGNÉTICO
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ABNT
GOMES, V M S et al. Electrons at gaas-algaas heterojunctions in parallel magnetic fields. Fisica Y Tecnologia de Semicondutores, v. 3 , p. 50-64, 1988Tradução . . Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Gomes, V. M. S., Oliveira, G. M. G., Leite, J. R., & Chaves, A. S. (1988). Electrons at gaas-algaas heterojunctions in parallel magnetic fields. Fisica Y Tecnologia de Semicondutores, 3 , 50-64.
NLM
Gomes VMS, Oliveira GMG, Leite JR, Chaves AS. Electrons at gaas-algaas heterojunctions in parallel magnetic fields. Fisica Y Tecnologia de Semicondutores. 1988 ;3 50-64.[citado 2024 abr. 23 ]
Vancouver
Gomes VMS, Oliveira GMG, Leite JR, Chaves AS. Electrons at gaas-algaas heterojunctions in parallel magnetic fields. Fisica Y Tecnologia de Semicondutores. 1988 ;3 50-64.[citado 2024 abr. 23 ]
Parte de monografia/livro
Exchange correlation effects on the quantum states of carriers in quantum wells in gaas-algaas heterostructures under in-plane magnetic fields (1988)
Oliveira, G M G; Gomes, V M S; Leite, J. R.; Chaves, A S
Fonte: Current Topics on Semiconductor Physics. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, G M G et al. Exchange correlation effects on the quantum states of carriers in quantum wells in gaas-algaas heterostructures under in-plane magnetic fields. Current Topics on Semiconductor Physics. Tradução . Singapore: World Scientific, 1988. . . Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Oliveira, G. M. G., Gomes, V. M. S., Leite, J. R., & Chaves, A. S. (1988). Exchange correlation effects on the quantum states of carriers in quantum wells in gaas-algaas heterostructures under in-plane magnetic fields. In Current Topics on Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific.
NLM
Oliveira GMG, Gomes VMS, Leite JR, Chaves AS. Exchange correlation effects on the quantum states of carriers in quantum wells in gaas-algaas heterostructures under in-plane magnetic fields. In: Current Topics on Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific; 1988. [citado 2024 abr. 23 ]
Vancouver
Oliveira GMG, Gomes VMS, Leite JR, Chaves AS. Exchange correlation effects on the quantum states of carriers in quantum wells in gaas-algaas heterostructures under in-plane magnetic fields. In: Current Topics on Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific; 1988. [citado 2024 abr. 23 ]
Artigo de periodico
Effect of in-plane magnetic fields on the quantum states of carriers in quantum wells in gaas-algaas heterostructures (1987)
Chaves, A S; Oliveira, G M G; Gomes, V M S; Leite, J. R.
Fonte: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF
Assunto: CAMPO MAGNÉTICO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CHAVES, A S et al. Effect of in-plane magnetic fields on the quantum states of carriers in quantum wells in gaas-algaas heterostructures. Superlattices and Microstructures, v. 3 , n. 3 , p. 231-4, 1987Tradução . . Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Chaves, A. S., Oliveira, G. M. G., Gomes, V. M. S., & Leite, J. R. (1987). Effect of in-plane magnetic fields on the quantum states of carriers in quantum wells in gaas-algaas heterostructures. Superlattices and Microstructures, 3 ( 3 ), 231-4.
NLM
Chaves AS, Oliveira GMG, Gomes VMS, Leite JR. Effect of in-plane magnetic fields on the quantum states of carriers in quantum wells in gaas-algaas heterostructures. Superlattices and Microstructures. 1987 ;3 ( 3 ): 231-4.[citado 2024 abr. 23 ]
Vancouver
Chaves AS, Oliveira GMG, Gomes VMS, Leite JR. Effect of in-plane magnetic fields on the quantum states of carriers in quantum wells in gaas-algaas heterostructures. Superlattices and Microstructures. 1987 ;3 ( 3 ): 231-4.[citado 2024 abr. 23 ]
Artigo de periodico
Behavior of the electron-hole gas in quantum wells in 'GAAS-AL IND.X''GA IND.1-X''AS' heterosctruture under in plane magnetic fields (1987)
Oliveira, G M G; Gomes, V M S; Chaves, A S; Leite, J. R.; Worlock, J M
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: CAMPO MAGNÉTICO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, G M G et al. Behavior of the electron-hole gas in quantum wells in 'GAAS-AL IND.X''GA IND.1-X''AS' heterosctruture under in plane magnetic fields. Physical Review B, v. 35, n. 6 , p. 2896-903, 1987Tradução . . Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Oliveira, G. M. G., Gomes, V. M. S., Chaves, A. S., Leite, J. R., & Worlock, J. M. (1987). Behavior of the electron-hole gas in quantum wells in 'GAAS-AL IND.X''GA IND.1-X''AS' heterosctruture under in plane magnetic fields. Physical Review B, 35( 6 ), 2896-903.
NLM
Oliveira GMG, Gomes VMS, Chaves AS, Leite JR, Worlock JM. Behavior of the electron-hole gas in quantum wells in 'GAAS-AL IND.X''GA IND.1-X''AS' heterosctruture under in plane magnetic fields. Physical Review B. 1987 ;35( 6 ): 2896-903.[citado 2024 abr. 23 ]
Vancouver
Oliveira GMG, Gomes VMS, Chaves AS, Leite JR, Worlock JM. Behavior of the electron-hole gas in quantum wells in 'GAAS-AL IND.X''GA IND.1-X''AS' heterosctruture under in plane magnetic fields. Physical Review B. 1987 ;35( 6 ): 2896-903.[citado 2024 abr. 23 ]
Artigo de periodico
Intersubband transition energies in quantum wells in n-type gaas-'AL IND.X''GA IND.1-X'as heterostructures (1987)
Gomes, V M S; Oliveira, G M G; Leite, J. R.; Chaves, A S
Fonte: International Journal of Quantum Chemistry. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GOMES, V M S et al. Intersubband transition energies in quantum wells in n-type gaas-'AL IND.X''GA IND.1-X'as heterostructures. International Journal of Quantum Chemistry, v. 32, n. 6 , p. 655-61, 1987Tradução . . Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Gomes, V. M. S., Oliveira, G. M. G., Leite, J. R., & Chaves, A. S. (1987). Intersubband transition energies in quantum wells in n-type gaas-'AL IND.X''GA IND.1-X'as heterostructures. International Journal of Quantum Chemistry, 32( 6 ), 655-61.
NLM
Gomes VMS, Oliveira GMG, Leite JR, Chaves AS. Intersubband transition energies in quantum wells in n-type gaas-'AL IND.X''GA IND.1-X'as heterostructures. International Journal of Quantum Chemistry. 1987 ;32( 6 ): 655-61.[citado 2024 abr. 23 ]
Vancouver
Gomes VMS, Oliveira GMG, Leite JR, Chaves AS. Intersubband transition energies in quantum wells in n-type gaas-'AL IND.X''GA IND.1-X'as heterostructures. International Journal of Quantum Chemistry. 1987 ;32( 6 ): 655-61.[citado 2024 abr. 23 ]
Artigo de periodico
Self-consistent calculations of the two-dimensional electron density in modulation-doped superlattices (1987)
Gomes, V M S; Chaves, A S; Leite, J. R.; Worlock, J M
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: DIMENSÃO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GOMES, V M S et al. Self-consistent calculations of the two-dimensional electron density in modulation-doped superlattices. Physical Review B, v. 35, n. 8 , p. 3984-9, 1987Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.35.3984. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Gomes, V. M. S., Chaves, A. S., Leite, J. R., & Worlock, J. M. (1987). Self-consistent calculations of the two-dimensional electron density in modulation-doped superlattices. Physical Review B, 35( 8 ), 3984-9. doi:10.1103/physrevb.35.3984
NLM
Gomes VMS, Chaves AS, Leite JR, Worlock JM. Self-consistent calculations of the two-dimensional electron density in modulation-doped superlattices [Internet]. Physical Review B. 1987 ;35( 8 ): 3984-9.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.35.3984
Vancouver
Gomes VMS, Chaves AS, Leite JR, Worlock JM. Self-consistent calculations of the two-dimensional electron density in modulation-doped superlattices [Internet]. Physical Review B. 1987 ;35( 8 ): 3984-9.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.35.3984
Trabalho de evento-resumo periodico
Efeito de campos magneticos paralelos a pocos quanticos sobre as bandas de valencia e conducao em hetero-estruturas de 'GA''AS'-'AL''GA''AS' (1986)
Oliveira, G M G; Gomes, V M S; Chaves, A S; Leite, J. R.; Worlock, J M
Fonte: Ciência e Cultura. Nome do evento: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, G M G et al. Efeito de campos magneticos paralelos a pocos quanticos sobre as bandas de valencia e conducao em hetero-estruturas de 'GA''AS'-'AL''GA''AS'. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 23 abr. 2024. , 1986
APA
Oliveira, G. M. G., Gomes, V. M. S., Chaves, A. S., Leite, J. R., & Worlock, J. M. (1986). Efeito de campos magneticos paralelos a pocos quanticos sobre as bandas de valencia e conducao em hetero-estruturas de 'GA''AS'-'AL''GA''AS'. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Oliveira GMG, Gomes VMS, Chaves AS, Leite JR, Worlock JM. Efeito de campos magneticos paralelos a pocos quanticos sobre as bandas de valencia e conducao em hetero-estruturas de 'GA''AS'-'AL''GA''AS'. Ciência e Cultura. 1986 ;38( 7 supl.): 326.[citado 2024 abr. 23 ]
Vancouver
Oliveira GMG, Gomes VMS, Chaves AS, Leite JR, Worlock JM. Efeito de campos magneticos paralelos a pocos quanticos sobre as bandas de valencia e conducao em hetero-estruturas de 'GA''AS'-'AL''GA''AS'. Ciência e Cultura. 1986 ;38( 7 supl.): 326.[citado 2024 abr. 23 ]
Artigo de periodico
Behavior of carriers in quantum wells in 'GA''AS'-'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' superlattices under in-plane magnetic fields (1986)
Leite, J. R.; Oliveira, G M G; Gomes, V M S; Chaves, A S
Fonte: International Journal of Quantum Chemistry. Symposium. Unidade: IF
Assunto: CAMPO MAGNÉTICO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LEITE, J. R. et al. Behavior of carriers in quantum wells in 'GA''AS'-'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' superlattices under in-plane magnetic fields. International Journal of Quantum Chemistry. Symposium, v. 20, p. 335-46, 1986Tradução . . Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Leite, J. R., Oliveira, G. M. G., Gomes, V. M. S., & Chaves, A. S. (1986). Behavior of carriers in quantum wells in 'GA''AS'-'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' superlattices under in-plane magnetic fields. International Journal of Quantum Chemistry. Symposium, 20, 335-46.
NLM
Leite JR, Oliveira GMG, Gomes VMS, Chaves AS. Behavior of carriers in quantum wells in 'GA''AS'-'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' superlattices under in-plane magnetic fields. International Journal of Quantum Chemistry. Symposium. 1986 ;20 335-46.[citado 2024 abr. 23 ]
Vancouver
Leite JR, Oliveira GMG, Gomes VMS, Chaves AS. Behavior of carriers in quantum wells in 'GA''AS'-'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' superlattices under in-plane magnetic fields. International Journal of Quantum Chemistry. Symposium. 1986 ;20 335-46.[citado 2024 abr. 23 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Calculos autoconsistentes da densidade bidimensional de eletrons em super-redes com dopagem (1986)
Gomes, V M S; Chaves, A S; Leite, J. R.; Worlock, J M
Fonte: Ciência e Cultura. Nome do evento: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GOMES, V M S et al. Calculos autoconsistentes da densidade bidimensional de eletrons em super-redes com dopagem. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 23 abr. 2024. , 1986
APA
Gomes, V. M. S., Chaves, A. S., Leite, J. R., & Worlock, J. M. (1986). Calculos autoconsistentes da densidade bidimensional de eletrons em super-redes com dopagem. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Gomes VMS, Chaves AS, Leite JR, Worlock JM. Calculos autoconsistentes da densidade bidimensional de eletrons em super-redes com dopagem. Ciência e Cultura. 1986 ;38( 7 supl.): 325.[citado 2024 abr. 23 ]
Vancouver
Gomes VMS, Chaves AS, Leite JR, Worlock JM. Calculos autoconsistentes da densidade bidimensional de eletrons em super-redes com dopagem. Ciência e Cultura. 1986 ;38( 7 supl.): 325.[citado 2024 abr. 23 ]
Trabalho de evento-resumo
Efeito de campos magneticos paralelos a pocos quanticos sobre as bandas de valencia e conducao em hetero-estruturas de 'GA''AS'-'AL''GA''AS' (1986)
Oliveira, G M G; Gomes, V M S; Chaves, A S; Leite, J. R.; Worlock, J M
Fonte: Programa e Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, G M G et al. Efeito de campos magneticos paralelos a pocos quanticos sobre as bandas de valencia e conducao em hetero-estruturas de 'GA''AS'-'AL''GA''AS'. 1986, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1986. . Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Oliveira, G. M. G., Gomes, V. M. S., Chaves, A. S., Leite, J. R., & Worlock, J. M. (1986). Efeito de campos magneticos paralelos a pocos quanticos sobre as bandas de valencia e conducao em hetero-estruturas de 'GA''AS'-'AL''GA''AS'. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Oliveira GMG, Gomes VMS, Chaves AS, Leite JR, Worlock JM. Efeito de campos magneticos paralelos a pocos quanticos sobre as bandas de valencia e conducao em hetero-estruturas de 'GA''AS'-'AL''GA''AS'. Programa e Resumos. 1986 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Vancouver
Oliveira GMG, Gomes VMS, Chaves AS, Leite JR, Worlock JM. Efeito de campos magneticos paralelos a pocos quanticos sobre as bandas de valencia e conducao em hetero-estruturas de 'GA''AS'-'AL''GA''AS'. Programa e Resumos. 1986 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Trabalho de evento-resumo
Calculos autoconsistentes da densidade bidimensional de eletrons em super-redes com dopagem (1986)
Gomes, V M S; Chaves, A S; Leite, J. R.; Worlock, J M
Fonte: Programa e Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
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ABNT
GOMES, V M S et al. Calculos autoconsistentes da densidade bidimensional de eletrons em super-redes com dopagem. 1986, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1986. . Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Gomes, V. M. S., Chaves, A. S., Leite, J. R., & Worlock, J. M. (1986). Calculos autoconsistentes da densidade bidimensional de eletrons em super-redes com dopagem. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Gomes VMS, Chaves AS, Leite JR, Worlock JM. Calculos autoconsistentes da densidade bidimensional de eletrons em super-redes com dopagem. Programa e Resumos. 1986 ;[citado 2024 abr. 23 ]
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Gomes VMS, Chaves AS, Leite JR, Worlock JM. Calculos autoconsistentes da densidade bidimensional de eletrons em super-redes com dopagem. Programa e Resumos. 1986 ;[citado 2024 abr. 23 ]

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