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Trabalho de evento-resumo
Vacancies in amorphous silicon: a first principles study (2003)
Miranda, Caetano Rodrigues; Arantes Junior, Jeverson Teodoro; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
MIRANDA, Caetano Rodrigues e ARANTES JUNIOR, Jeverson Teodoro e FAZZIO, Adalberto. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Miranda, C. R., Arantes Junior, J. T., & Fazzio, A. (2003). Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Miranda CR, Arantes Junior JT, Fazzio A. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. Resumos. 2003 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Vancouver
Miranda CR, Arantes Junior JT, Fazzio A. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. Resumos. 2003 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Artigo de periodico
Theoretical investigations of Ge nanowires grown along the [110] and [111] directions (2007)
Arantes Junior, Jeverson Teodoro; Fazzio, Adalberto
Source: Nanotechnology. Unidade: IF
Assunto: NANOTECNOLOGIA
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ABNT
ARANTES JUNIOR, Jeverson Teodoro e FAZZIO, Adalberto. Theoretical investigations of Ge nanowires grown along the [110] and [111] directions. Nanotechnology, v. 18, n. 29, p. 295706/1-295706/6, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0957-4484/18/29/295706. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Arantes Junior, J. T., & Fazzio, A. (2007). Theoretical investigations of Ge nanowires grown along the [110] and [111] directions. Nanotechnology, 18( 29), 295706/1-295706/6. doi:10.1088/0957-4484/18/29/295706
NLM
Arantes Junior JT, Fazzio A. Theoretical investigations of Ge nanowires grown along the [110] and [111] directions [Internet]. Nanotechnology. 2007 ; 18( 29): 295706/1-295706/6.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0957-4484/18/29/295706
Vancouver
Arantes Junior JT, Fazzio A. Theoretical investigations of Ge nanowires grown along the [110] and [111] directions [Internet]. Nanotechnology. 2007 ; 18( 29): 295706/1-295706/6.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0957-4484/18/29/295706
Artigo de periodico
Theoretical investigation of a Mn-doped Si/Ge heterostructure (2007)
Arantes Junior, Jeverson Teodoro; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: FERROMAGNETISMO, SEMICONDUTORES
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ABNT
ARANTES JUNIOR, Jeverson Teodoro e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Theoretical investigation of a Mn-doped Si/Ge heterostructure. Physical Review B, v. 75, n. 4, p. 075316/1-075316/4, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.75.075316. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Arantes Junior, J. T., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2007). Theoretical investigation of a Mn-doped Si/Ge heterostructure. Physical Review B, 75( 4), 075316/1-075316/4. doi:10.1103/physrevb.75.075316
NLM
Arantes Junior JT, Silva AJR da, Fazzio A. Theoretical investigation of a Mn-doped Si/Ge heterostructure [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 75( 4): 075316/1-075316/4.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.75.075316
Vancouver
Arantes Junior JT, Silva AJR da, Fazzio A. Theoretical investigation of a Mn-doped Si/Ge heterostructure [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 75( 4): 075316/1-075316/4.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.75.075316
Trabalho de evento-resumo
The interaction of point defects with a 90 'GRAUS' partial dislocation in Si (2003)
Schmidt, T M; Arantes Junior, Jeverson Teodoro; Fazzio, Adalberto
Source: Book of Abstracts II (Poster). Conference titles: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
SCHMIDT, T M e ARANTES JUNIOR, Jeverson Teodoro e FAZZIO, Adalberto. The interaction of point defects with a 90 'GRAUS' partial dislocation in Si. 2003, Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003. . Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Schmidt, T. M., Arantes Junior, J. T., & Fazzio, A. (2003). The interaction of point defects with a 90 'GRAUS' partial dislocation in Si. In Book of Abstracts II (Poster). Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Schmidt TM, Arantes Junior JT, Fazzio A. The interaction of point defects with a 90 'GRAUS' partial dislocation in Si. Book of Abstracts II (Poster). 2003 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Vancouver
Schmidt TM, Arantes Junior JT, Fazzio A. The interaction of point defects with a 90 'GRAUS' partial dislocation in Si. Book of Abstracts II (Poster). 2003 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Trabalho de evento-resumo
The eletrostatic potential of the '90 GRAUS' partial dislocation and its interaction with point defects in Si (2003)
Schmidt, Tomé M; Arantes Junior, Jeverson Teodoro; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada 26. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
SCHMIDT, Tomé M e ARANTES JUNIOR, Jeverson Teodoro e FAZZIO, Adalberto. The eletrostatic potential of the '90 GRAUS' partial dislocation and its interaction with point defects in Si. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Schmidt, T. M., Arantes Junior, J. T., & Fazzio, A. (2003). The eletrostatic potential of the '90 GRAUS' partial dislocation and its interaction with point defects in Si. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Schmidt TM, Arantes Junior JT, Fazzio A. The eletrostatic potential of the '90 GRAUS' partial dislocation and its interaction with point defects in Si. Resumos. 2003 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Vancouver
Schmidt TM, Arantes Junior JT, Fazzio A. The eletrostatic potential of the '90 GRAUS' partial dislocation and its interaction with point defects in Si. Resumos. 2003 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Artigo de periodico
Structural, electronic, and magnetic properties of Mn-doped Ge nanowires by ab initio calculations (2007)
Arantes Junior, Jeverson Teodoro; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES, NANOPARTÍCULAS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ARANTES JUNIOR, Jeverson Teodoro e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Structural, electronic, and magnetic properties of Mn-doped Ge nanowires by ab initio calculations. Physical Review B, v. 75, n. 11, p. 115113/1-115113/6, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.75.115113. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Arantes Junior, J. T., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2007). Structural, electronic, and magnetic properties of Mn-doped Ge nanowires by ab initio calculations. Physical Review B, 75( 11), 115113/1-115113/6. doi:10.1103/physrevb.75.115113
NLM
Arantes Junior JT, Silva AJR da, Fazzio A. Structural, electronic, and magnetic properties of Mn-doped Ge nanowires by ab initio calculations [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 75( 11): 115113/1-115113/6.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.75.115113
Vancouver
Arantes Junior JT, Silva AJR da, Fazzio A. Structural, electronic, and magnetic properties of Mn-doped Ge nanowires by ab initio calculations [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 75( 11): 115113/1-115113/6.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.75.115113
Tese (Doutorado)
Materiais nanoestruturados do tipo IV e III-V com Mn (2007)
Arantes Junior, Jeverson Teodoro; Fazzio, Adalberto (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ARANTES JUNIOR, Jeverson Teodoro. Materiais nanoestruturados do tipo IV e III-V com Mn. 2007. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2007. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-24032008-102906/. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Arantes Junior, J. T. (2007). Materiais nanoestruturados do tipo IV e III-V com Mn (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-24032008-102906/
NLM
Arantes Junior JT. Materiais nanoestruturados do tipo IV e III-V com Mn [Internet]. 2007 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-24032008-102906/
Vancouver
Arantes Junior JT. Materiais nanoestruturados do tipo IV e III-V com Mn [Internet]. 2007 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-24032008-102906/
Artigo de periodico
First principles calculations of As impurities in the presence of a "90 GRAUS" partial dislocation in Si (2006)
Schmidt, T M; Arantes Junior, Jeverson Teodoro; Fazzio, Adalberto
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHMIDT, T M e ARANTES JUNIOR, Jeverson Teodoro e FAZZIO, Adalberto. First principles calculations of As impurities in the presence of a "90 GRAUS" partial dislocation in Si. Brazilian Journal of Physics, v. 36, n. 2A, p. 261-263, 2006Tradução . . Disponível em: http://www.sbfisica.org.br/bjp/files/v36_261.pdf. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Schmidt, T. M., Arantes Junior, J. T., & Fazzio, A. (2006). First principles calculations of As impurities in the presence of a "90 GRAUS" partial dislocation in Si. Brazilian Journal of Physics, 36( 2A), 261-263. Recuperado de http://www.sbfisica.org.br/bjp/files/v36_261.pdf
NLM
Schmidt TM, Arantes Junior JT, Fazzio A. First principles calculations of As impurities in the presence of a "90 GRAUS" partial dislocation in Si [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 261-263.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbfisica.org.br/bjp/files/v36_261.pdf
Vancouver
Schmidt TM, Arantes Junior JT, Fazzio A. First principles calculations of As impurities in the presence of a "90 GRAUS" partial dislocation in Si [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 261-263.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbfisica.org.br/bjp/files/v36_261.pdf
Artigo de periodico
Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles (2006)
Schmidt, T M; Venezuela, P; Arantes Junior, Jeverson Teodoro; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHMIDT, T M et al. Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles. Physical Review B, v. 73, n. 23, p. 235330, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.73.235330. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Schmidt, T. M., Venezuela, P., Arantes Junior, J. T., & Fazzio, A. (2006). Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles. Physical Review B, 73( 23), 235330. doi:10.1103/physrevb.73.235330
NLM
Schmidt TM, Venezuela P, Arantes Junior JT, Fazzio A. Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles [Internet]. Physical Review B. 2006 ; 73( 23): 235330.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.73.235330
Vancouver
Schmidt TM, Venezuela P, Arantes Junior JT, Fazzio A. Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles [Internet]. Physical Review B. 2006 ; 73( 23): 235330.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.73.235330
Trabalho de evento-resumo
Ab initio studyof '90 IND.0' partial dislocation in silicon (2004)
Arantes Junior, Jeverson Teodoro; Schmidt, Tome Mauro; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ARANTES JUNIOR, Jeverson Teodoro e SCHMIDT, Tome Mauro e FAZZIO, Adalberto. Ab initio studyof '90 IND.0' partial dislocation in silicon. 2004, Anais.. São Paulo: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1137-1.pdf. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Arantes Junior, J. T., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (2004). Ab initio studyof '90 IND.0' partial dislocation in silicon. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1137-1.pdf
NLM
Arantes Junior JT, Schmidt TM, Fazzio A. Ab initio studyof '90 IND.0' partial dislocation in silicon [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1137-1.pdf
Vancouver
Arantes Junior JT, Schmidt TM, Fazzio A. Ab initio studyof '90 IND.0' partial dislocation in silicon [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1137-1.pdf

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