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Trabalho de evento
Study of magnetic and electronic properties of 'SN' IND. 0,96''CR' IND. 0,04''O IND. 2' and 'SN' IND. 0,96''CR' IND. 0,04''O IND. 0,98''('V IND. O')IND. 0,02' diluted alloys (2011)
Borges, Pablo Damasceno; Assali, L. V. C. ; Scolfaro, L M R; Alves, H W Leite; Silva Jr, E F da
Source: Resumo. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: MAGNETISMO
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ABNT
BORGES, Pablo Damasceno et al. Study of magnetic and electronic properties of 'SN' IND. 0,96''CR' IND. 0,04''O IND. 2' and 'SN' IND. 0,96''CR' IND. 0,04''O IND. 0,98''('V IND. O')IND. 0,02' diluted alloys. 2011, Anais.. Juiz de Fora: UFJF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0061-1.pdf. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Borges, P. D., Assali, L. V. C., Scolfaro, L. M. R., Alves, H. W. L., & Silva Jr, E. F. da. (2011). Study of magnetic and electronic properties of 'SN' IND. 0,96''CR' IND. 0,04''O IND. 2' and 'SN' IND. 0,96''CR' IND. 0,04''O IND. 0,98''('V IND. O')IND. 0,02' diluted alloys. In Resumo. Juiz de Fora: UFJF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0061-1.pdf
NLM
Borges PD, Assali LVC, Scolfaro LMR, Alves HWL, Silva Jr EF da. Study of magnetic and electronic properties of 'SN' IND. 0,96''CR' IND. 0,04''O IND. 2' and 'SN' IND. 0,96''CR' IND. 0,04''O IND. 0,98''('V IND. O')IND. 0,02' diluted alloys [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 abr. 23 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0061-1.pdf
Vancouver
Borges PD, Assali LVC, Scolfaro LMR, Alves HWL, Silva Jr EF da. Study of magnetic and electronic properties of 'SN' IND. 0,96''CR' IND. 0,04''O IND. 2' and 'SN' IND. 0,96''CR' IND. 0,04''O IND. 0,98''('V IND. O')IND. 0,02' diluted alloys [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 abr. 23 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0061-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Study of isolated native defects and hydrogen impurities in tin dioxide (2011)
Borges, Pablo Damasceno; L. M. R. Scolfaro, L M R; Alves, H W Leite; Assali, L. V. C.
Source: Resumo. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
BORGES, Pablo Damasceno et al. Study of isolated native defects and hydrogen impurities in tin dioxide. 2011, Anais.. Juiz de Fora: UFJF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0061-2.pdf. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Borges, P. D., L. M. R. Scolfaro, L. M. R., Alves, H. W. L., & Assali, L. V. C. (2011). Study of isolated native defects and hydrogen impurities in tin dioxide. In Resumo. Juiz de Fora: UFJF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0061-2.pdf
NLM
Borges PD, L. M. R. Scolfaro LMR, Alves HWL, Assali LVC. Study of isolated native defects and hydrogen impurities in tin dioxide [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 abr. 23 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0061-2.pdf
Vancouver
Borges PD, L. M. R. Scolfaro LMR, Alves HWL, Assali LVC. Study of isolated native defects and hydrogen impurities in tin dioxide [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 abr. 23 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0061-2.pdf
Artigo de periodico
Structural, electronic, and optical properties of "ZrO IND.2" from ab initio calculations (2006)
Garcia, Joelson Cott; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Lino, Antonio Tadeu; Freire, V N; Farias, G A; Silva, C C; Alves, H W Leite; Rodrigues, S C P; Silva, E F da
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, DIELÉTRICOS, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
GARCIA, Joelson Cott et al. Structural, electronic, and optical properties of "ZrO IND.2" from ab initio calculations. Journal of Applied Physics, v. 100, n. 1, p. 104103-1/104103-9, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2386967. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Garcia, J. C., Scolfaro, L. M. R., Lino, A. T., Freire, V. N., Farias, G. A., Silva, C. C., et al. (2006). Structural, electronic, and optical properties of "ZrO IND.2" from ab initio calculations. Journal of Applied Physics, 100( 1), 104103-1/104103-9. doi:10.1063/1.2386967
NLM
Garcia JC, Scolfaro LMR, Lino AT, Freire VN, Farias GA, Silva CC, Alves HWL, Rodrigues SCP, Silva EF da. Structural, electronic, and optical properties of "ZrO IND.2" from ab initio calculations [Internet]. Journal of Applied Physics. 2006 ; 100( 1): 104103-1/104103-9.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2386967
Vancouver
Garcia JC, Scolfaro LMR, Lino AT, Freire VN, Farias GA, Silva CC, Alves HWL, Rodrigues SCP, Silva EF da. Structural, electronic, and optical properties of "ZrO IND.2" from ab initio calculations [Internet]. Journal of Applied Physics. 2006 ; 100( 1): 104103-1/104103-9.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2386967
Trabalho de evento-resumo
Strained-induced shifts of the zone-center phonons of III-nitrides (2003)
Alves, H W Leite; Alves, J L A; Santos, A M; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Book of Abstract. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
ALVES, H W Leite et al. Strained-induced shifts of the zone-center phonons of III-nitrides. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Alves, H. W. L., Alves, J. L. A., Santos, A. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2003). Strained-induced shifts of the zone-center phonons of III-nitrides. In Book of Abstract. Fortaleza: DF/UFC.
NLM
Alves HWL, Alves JLA, Santos AM, Scolfaro LMR, Leite JR. Strained-induced shifts of the zone-center phonons of III-nitrides. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Vancouver
Alves HWL, Alves JLA, Santos AM, Scolfaro LMR, Leite JR. Strained-induced shifts of the zone-center phonons of III-nitrides. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Artigo de periodico
Strain-induced shifts of the zone-center phonons of III-nitrides (2004)
Alves, H W Leite; Alves, J L A; Santos, A M; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, EFEITO MOSSBAUER
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ABNT
ALVES, H W Leite et al. Strain-induced shifts of the zone-center phonons of III-nitrides. Brazilian Journal of Physics, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400041. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Alves, H. W. L., Alves, J. L. A., Santos, A. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2004). Strain-induced shifts of the zone-center phonons of III-nitrides. Brazilian Journal of Physics. doi:10.1590/s0103-97332004000400041
NLM
Alves HWL, Alves JLA, Santos AM, Scolfaro LMR, Leite JR. Strain-induced shifts of the zone-center phonons of III-nitrides [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400041
Vancouver
Alves HWL, Alves JLA, Santos AM, Scolfaro LMR, Leite JR. Strain-induced shifts of the zone-center phonons of III-nitrides [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400041
Trabalho de evento-resumo
Strain effects on the vibrational modes of III-nitrides (2004)
Alves, H W Leite; Alves, J L A; Santos, A M; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALVES, H W Leite et al. Strain effects on the vibrational modes of III-nitrides. 2004, Anais.. São Paulo: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0125-2.pdf. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Alves, H. W. L., Alves, J. L. A., Santos, A. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2004). Strain effects on the vibrational modes of III-nitrides. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0125-2.pdf
NLM
Alves HWL, Alves JLA, Santos AM, Scolfaro LMR, Leite JR. Strain effects on the vibrational modes of III-nitrides [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 abr. 23 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0125-2.pdf
Vancouver
Alves HWL, Alves JLA, Santos AM, Scolfaro LMR, Leite JR. Strain effects on the vibrational modes of III-nitrides [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 abr. 23 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0125-2.pdf
Trabalho de evento
Strain effects on the vibrational modes of III-nitrides (2004)
Alves, H W Leite; Alves, J L A; Santos, A M; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALVES, H W Leite et al. Strain effects on the vibrational modes of III-nitrides. 2004, Anais.. São Paulo: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/A0125-2.pdf. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Alves, H. W. L., Alves, J. L. A., Santos, A. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2004). Strain effects on the vibrational modes of III-nitrides. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/A0125-2.pdf
NLM
Alves HWL, Alves JLA, Santos AM, Scolfaro LMR, Leite JR. Strain effects on the vibrational modes of III-nitrides [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 abr. 23 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/A0125-2.pdf
Vancouver
Alves HWL, Alves JLA, Santos AM, Scolfaro LMR, Leite JR. Strain effects on the vibrational modes of III-nitrides [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 abr. 23 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/A0125-2.pdf
Trabalho de evento-anais periodico
Stability of native defects in cubic boron nitride (1998)
Castineira, J L P; Leite, J. R.; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Alves, H W Leite; Alves, J L A
Source: Radiation Effects and Defects in Solids. Conference titles: Symposium on Defect Dependent Processes in Insulators and Seminconductors. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, FÍSICA NUCLEAR
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CASTINEIRA, J L P et al. Stability of native defects in cubic boron nitride. Radiation Effects and Defects in Solids. London: Gordon and Breach. . Acesso em: 23 abr. 2024. , 1998
APA
Castineira, J. L. P., Leite, J. R., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., Alves, H. W. L., & Alves, J. L. A. (1998). Stability of native defects in cubic boron nitride. Radiation Effects and Defects in Solids. London: Gordon and Breach.
NLM
Castineira JLP, Leite JR, Scolfaro LMR, Enderlein R, Alves HWL, Alves JLA. Stability of native defects in cubic boron nitride. Radiation Effects and Defects in Solids. 1998 ; 146 49-63.[citado 2024 abr. 23 ]
Vancouver
Castineira JLP, Leite JR, Scolfaro LMR, Enderlein R, Alves HWL, Alves JLA. Stability of native defects in cubic boron nitride. Radiation Effects and Defects in Solids. 1998 ; 146 49-63.[citado 2024 abr. 23 ]
Artigo de periodico
Planar force-constant method for lattice dynamics of cubic InN (2002)
Alves, H W Leite; Alves, J L A; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Materials Science and Engineering B. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTIVIDADE, ESPECTROSCOPIA RAMAN
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALVES, H W Leite et al. Planar force-constant method for lattice dynamics of cubic InN. Materials Science and Engineering B, v. 93, n. 1-3, p. 90-93, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-5107(02)00036-3. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Alves, H. W. L., Alves, J. L. A., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2002). Planar force-constant method for lattice dynamics of cubic InN. Materials Science and Engineering B, 93( 1-3), 90-93. doi:10.1016/s0921-5107(02)00036-3
NLM
Alves HWL, Alves JLA, Scolfaro LMR, Leite JR. Planar force-constant method for lattice dynamics of cubic InN [Internet]. Materials Science and Engineering B. 2002 ; 93( 1-3): 90-93.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-5107(02)00036-3
Vancouver
Alves HWL, Alves JLA, Scolfaro LMR, Leite JR. Planar force-constant method for lattice dynamics of cubic InN [Internet]. Materials Science and Engineering B. 2002 ; 93( 1-3): 90-93.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-5107(02)00036-3
Artigo de periodico
Planar force-constant method for lattice dynamics of cubic III-nitrides (2002)
Alves, H W Leite; Alves, J L A; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESPECTROSCOPIA RAMAN
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALVES, H W Leite et al. Planar force-constant method for lattice dynamics of cubic III-nitrides. Brazilian Journal of Physics, v. 32, n. 2A, p. 448-451, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200059. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Alves, H. W. L., Alves, J. L. A., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2002). Planar force-constant method for lattice dynamics of cubic III-nitrides. Brazilian Journal of Physics, 32( 2A), 448-451. doi:10.1590/s0103-97332002000200059
NLM
Alves HWL, Alves JLA, Scolfaro LMR, Leite JR. Planar force-constant method for lattice dynamics of cubic III-nitrides [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 448-451.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200059
Vancouver
Alves HWL, Alves JLA, Scolfaro LMR, Leite JR. Planar force-constant method for lattice dynamics of cubic III-nitrides [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 448-451.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200059
Artigo de periodico
Optical absorption and electronic band structure first-principles calculations of 'alfa´-glycine crystals (2008)
Flores, M Z S; Freire, V N; Santos, R P dos; Farias, G A; Caetano, E W S; Oliveira, M C F de; Fernandez, J R L; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Bezerra, M J B; Oliveira, T M; Bezerra, G A; Cavada, B S; Alves, H W Leite
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FLORES, M Z S et al. Optical absorption and electronic band structure first-principles calculations of 'alfa´-glycine crystals. Physical Review B, v. 77, n. 11 p. 115104/1-115104/7, 2008Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.77.115104. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Flores, M. Z. S., Freire, V. N., Santos, R. P. dos, Farias, G. A., Caetano, E. W. S., Oliveira, M. C. F. de, et al. (2008). Optical absorption and electronic band structure first-principles calculations of 'alfa´-glycine crystals. Physical Review B, 77( 11 p. 115104/1-115104/7). doi:10.1103/physrevb.77.115104
NLM
Flores MZS, Freire VN, Santos RP dos, Farias GA, Caetano EWS, Oliveira MCF de, Fernandez JRL, Scolfaro LMR, Bezerra MJB, Oliveira TM, Bezerra GA, Cavada BS, Alves HWL. Optical absorption and electronic band structure first-principles calculations of 'alfa´-glycine crystals [Internet]. Physical Review B. 2008 ; 77( 11 p. 115104/1-115104/7):[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.77.115104
Vancouver
Flores MZS, Freire VN, Santos RP dos, Farias GA, Caetano EWS, Oliveira MCF de, Fernandez JRL, Scolfaro LMR, Bezerra MJB, Oliveira TM, Bezerra GA, Cavada BS, Alves HWL. Optical absorption and electronic band structure first-principles calculations of 'alfa´-glycine crystals [Internet]. Physical Review B. 2008 ; 77( 11 p. 115104/1-115104/7):[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.77.115104
Trabalho de evento-resumo
Native surface defects at low-index reconstructed cubic GaN surfaces (1998)
Oliveira, C.; Paiva, R de; Alves, J L A; Alves, H W Leite; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, C. et al. Native surface defects at low-index reconstructed cubic GaN surfaces. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Oliveira, C., Paiva, R. de, Alves, J. L. A., Alves, H. W. L., & Leite, J. R. (1998). Native surface defects at low-index reconstructed cubic GaN surfaces. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Oliveira C, Paiva R de, Alves JLA, Alves HWL, Leite JR. Native surface defects at low-index reconstructed cubic GaN surfaces. Resumos. 1998 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Vancouver
Oliveira C, Paiva R de, Alves JLA, Alves HWL, Leite JR. Native surface defects at low-index reconstructed cubic GaN surfaces. Resumos. 1998 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Trabalho de evento-resumo
Molecular cluster model studies of the initial growth of cubic GaN over 3C-SiC(100) surfaces (1998)
Alves, H W Leite; Alves, J L A; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALVES, H W Leite e ALVES, J L A e LEITE, J. R. Molecular cluster model studies of the initial growth of cubic GaN over 3C-SiC(100) surfaces. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Alves, H. W. L., Alves, J. L. A., & Leite, J. R. (1998). Molecular cluster model studies of the initial growth of cubic GaN over 3C-SiC(100) surfaces. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Alves HWL, Alves JLA, Leite JR. Molecular cluster model studies of the initial growth of cubic GaN over 3C-SiC(100) surfaces. Resumos. 1998 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Vancouver
Alves HWL, Alves JLA, Leite JR. Molecular cluster model studies of the initial growth of cubic GaN over 3C-SiC(100) surfaces. Resumos. 1998 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Trabalho de evento-resumo
Lattice dynamics of boron nitride (1998)
Alves, H W Leite; Alves, J L A; Castineira, J L P; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALVES, H W Leite et al. Lattice dynamics of boron nitride. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Alves, H. W. L., Alves, J. L. A., Castineira, J. L. P., & Leite, J. R. (1998). Lattice dynamics of boron nitride. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Alves HWL, Alves JLA, Castineira JLP, Leite JR. Lattice dynamics of boron nitride. Resumos. 1998 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Vancouver
Alves HWL, Alves JLA, Castineira JLP, Leite JR. Lattice dynamics of boron nitride. Resumos. 1998 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Trabalho de evento-anais periodico
Frequency dependence of the dielectric constants and of the reflectivity for 'HfC IND.2' and 'ZrC IND.2' from first-principles calculations (2007)
Silva, C C; Alves, H W Leite; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro
Source: AIP Conference Proceedings. Conference titles: 28th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS 2006. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, DIELÉTRICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, C C e ALVES, H W Leite e SCOLFARO, Luisa Maria Ribeiro. Frequency dependence of the dielectric constants and of the reflectivity for 'HfC IND.2' and 'ZrC IND.2' from first-principles calculations. AIP Conference Proceedings. New York: The Institute. Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001000311000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 23 abr. 2024. , 2007
APA
Silva, C. C., Alves, H. W. L., & Scolfaro, L. M. R. (2007). Frequency dependence of the dielectric constants and of the reflectivity for 'HfC IND.2' and 'ZrC IND.2' from first-principles calculations. AIP Conference Proceedings. New York: The Institute. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001000311000001&idtype=cvips&prog=normal
NLM
Silva CC, Alves HWL, Scolfaro LMR. Frequency dependence of the dielectric constants and of the reflectivity for 'HfC IND.2' and 'ZrC IND.2' from first-principles calculations [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893 311-312.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001000311000001&idtype=cvips&prog=normal
Vancouver
Silva CC, Alves HWL, Scolfaro LMR. Frequency dependence of the dielectric constants and of the reflectivity for 'HfC IND.2' and 'ZrC IND.2' from first-principles calculations [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893 311-312.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001000311000001&idtype=cvips&prog=normal
Artigo de periodico
First-principles calculations of the effective mass parameters of 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N and 'Zn IND.X' 'Cd IND.1-X'Te alloys (2002)
Paiva, R de; Nogueira, R A; Oliveira, C de; Alves, H W Leite; Alves, J L A; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAIVA, R de et al. First-principles calculations of the effective mass parameters of 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N and 'Zn IND.X' 'Cd IND.1-X'Te alloys. Brazilian Journal of Physics, v. 32, n. 2A, p. 405-408, 2002Tradução . . Disponível em: http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_405.pdf. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Paiva, R. de, Nogueira, R. A., Oliveira, C. de, Alves, H. W. L., Alves, J. L. A., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2002). First-principles calculations of the effective mass parameters of 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N and 'Zn IND.X' 'Cd IND.1-X'Te alloys. Brazilian Journal of Physics, 32( 2A), 405-408. Recuperado de http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_405.pdf
NLM
Paiva R de, Nogueira RA, Oliveira C de, Alves HWL, Alves JLA, Scolfaro LMR, Leite JR. First-principles calculations of the effective mass parameters of 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N and 'Zn IND.X' 'Cd IND.1-X'Te alloys [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 405-408.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_405.pdf
Vancouver
Paiva R de, Nogueira RA, Oliveira C de, Alves HWL, Alves JLA, Scolfaro LMR, Leite JR. First-principles calculations of the effective mass parameters of 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N and 'Zn IND.X' 'Cd IND.1-X'Te alloys [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 405-408.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_405.pdf
Trabalho de evento-resumo
Electronic structure of acceptor impurities in diamond and 3C-SiC (1997)
Alves, H W Leite; Alves, J L A; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALVES, H W Leite e ALVES, J L A e LEITE, J. R. Electronic structure of acceptor impurities in diamond and 3C-SiC. 1997, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1997. . Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Alves, H. W. L., Alves, J. L. A., & Leite, J. R. (1997). Electronic structure of acceptor impurities in diamond and 3C-SiC. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Alves HWL, Alves JLA, Leite JR. Electronic structure of acceptor impurities in diamond and 3C-SiC. Resumos. 1997 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Vancouver
Alves HWL, Alves JLA, Leite JR. Electronic structure of acceptor impurities in diamond and 3C-SiC. Resumos. 1997 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Trabalho de evento-resumo
Electronic and structural properties of 3C-SiC(100) surfaces (1997)
Alves, H W Leite; Alves, J L A; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALVES, H W Leite e ALVES, J L A e LEITE, J. R. Electronic and structural properties of 3C-SiC(100) surfaces. 1997, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1997. . Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Alves, H. W. L., Alves, J. L. A., & Leite, J. R. (1997). Electronic and structural properties of 3C-SiC(100) surfaces. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Alves HWL, Alves JLA, Leite JR. Electronic and structural properties of 3C-SiC(100) surfaces. Resumos. 1997 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Vancouver
Alves HWL, Alves JLA, Leite JR. Electronic and structural properties of 3C-SiC(100) surfaces. Resumos. 1997 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Trabalho de evento-resumo
Dynamical properties of III-nitrides (2001)
Alves, H W Leite; Alves, J L A; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ÓPTICOS, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALVES, H W Leite et al. Dynamical properties of III-nitrides. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Alves, H. W. L., Alves, J. L. A., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2001). Dynamical properties of III-nitrides. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Alves HWL, Alves JLA, Scolfaro LMR, Leite JR. Dynamical properties of III-nitrides. Resumos. 2001 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Vancouver
Alves HWL, Alves JLA, Scolfaro LMR, Leite JR. Dynamical properties of III-nitrides. Resumos. 2001 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Artigo de periodico
Adsorption of Si and C atoms over SiC (111) surfaces (2002)
Vivas, P G; Silva, E E da; Carvalho, L C de; Alves, J L A; Alves, H W Leite; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assunto: SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
VIVAS, P G et al. Adsorption of Si and C atoms over SiC (111) surfaces. Brazilian Journal of Physics, v. 32, n. 2A, p. 396-398, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200042. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Vivas, P. G., Silva, E. E. da, Carvalho, L. C. de, Alves, J. L. A., Alves, H. W. L., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2002). Adsorption of Si and C atoms over SiC (111) surfaces. Brazilian Journal of Physics, 32( 2A), 396-398. doi:10.1590/s0103-97332002000200042
NLM
Vivas PG, Silva EE da, Carvalho LC de, Alves JLA, Alves HWL, Scolfaro LMR, Leite JR. Adsorption of Si and C atoms over SiC (111) surfaces [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 396-398.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200042
Vancouver
Vivas PG, Silva EE da, Carvalho LC de, Alves JLA, Alves HWL, Scolfaro LMR, Leite JR. Adsorption of Si and C atoms over SiC (111) surfaces [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 396-398.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200042

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