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Trabalho de evento-resumo
Comportamento da energia do GAP e de propriedades estruturais da liga quaternária 'AL IND. x''Ga IND. y''In IND. 1-x-y'N (2003)
Marques, Marcelo; Teles, Lara K; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada 26. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
MARQUES, Marcelo et al. Comportamento da energia do GAP e de propriedades estruturais da liga quaternária 'AL IND. x''Ga IND. y''In IND. 1-x-y'N. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 14 jun. 2024.
APA
Marques, M., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2003). Comportamento da energia do GAP e de propriedades estruturais da liga quaternária 'AL IND. x''Ga IND. y''In IND. 1-x-y'N. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Marques M, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR. Comportamento da energia do GAP e de propriedades estruturais da liga quaternária 'AL IND. x''Ga IND. y''In IND. 1-x-y'N. Resumos. 2003 ;[citado 2024 jun. 14 ]
Vancouver
Marques M, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR. Comportamento da energia do GAP e de propriedades estruturais da liga quaternária 'AL IND. x''Ga IND. y''In IND. 1-x-y'N. Resumos. 2003 ;[citado 2024 jun. 14 ]
Trabalho de evento-resumo
I-V and C-V characteristics of high-k dielectrics based MOS devices (2003)
Sousa, J S de; Barros, E B; Freire, V N; Silva Júnior, Eronides Felisberto da; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada 26. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
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ABNT
SOUSA, J S de et al. I-V and C-V characteristics of high-k dielectrics based MOS devices. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 14 jun. 2024.
APA
Sousa, J. S. de, Barros, E. B., Freire, V. N., Silva Júnior, E. F. da, Leite, J. R., & Scolfaro, L. M. R. (2003). I-V and C-V characteristics of high-k dielectrics based MOS devices. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Sousa JS de, Barros EB, Freire VN, Silva Júnior EF da, Leite JR, Scolfaro LMR. I-V and C-V characteristics of high-k dielectrics based MOS devices. Resumos. 2003 ;[citado 2024 jun. 14 ]
Vancouver
Sousa JS de, Barros EB, Freire VN, Silva Júnior EF da, Leite JR, Scolfaro LMR. I-V and C-V characteristics of high-k dielectrics based MOS devices. Resumos. 2003 ;[citado 2024 jun. 14 ]
Trabalho de evento-resumo
AB initio calculation of the (100) and surface phonon dispersion of GaAs and GaN (2003)
Alves, H W Leite; Alves, J L A; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada 26. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
ALVES, H W Leite et al. AB initio calculation of the (100) and surface phonon dispersion of GaAs and GaN. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 14 jun. 2024.
APA
Alves, H. W. L., Alves, J. L. A., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2003). AB initio calculation of the (100) and surface phonon dispersion of GaAs and GaN. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Alves HWL, Alves JLA, Scolfaro LMR, Leite JR. AB initio calculation of the (100) and surface phonon dispersion of GaAs and GaN. Resumos. 2003 ;[citado 2024 jun. 14 ]
Vancouver
Alves HWL, Alves JLA, Scolfaro LMR, Leite JR. AB initio calculation of the (100) and surface phonon dispersion of GaAs and GaN. Resumos. 2003 ;[citado 2024 jun. 14 ]
Trabalho de evento-resumo
Hexagonal AlGaN/GaN superlattices: electric field effects (2003)
Sipahi, Guilherme Matos; Rodrigues, S. C. P.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidades: IFSC, IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos et al. Hexagonal AlGaN/GaN superlattices: electric field effects. 2003, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2003. . Acesso em: 14 jun. 2024.
APA
Sipahi, G. M., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2003). Hexagonal AlGaN/GaN superlattices: electric field effects. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Sipahi GM, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Leite JR. Hexagonal AlGaN/GaN superlattices: electric field effects. Resumos. 2003 ;[citado 2024 jun. 14 ]
Vancouver
Sipahi GM, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Leite JR. Hexagonal AlGaN/GaN superlattices: electric field effects. Resumos. 2003 ;[citado 2024 jun. 14 ]
Trabalho de evento-resumo
Propriedades eletrônicas de semicondutores magnéticos diluídos de 'Ga IND.1-x''Mn IND.x'As (2003)
Rodrigues, Sara C. P.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Sipahi, Guilherme Matos; Lima, Ivan Costa da Cunha; Boselli, Marcos A.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidades: IF, IFSC
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
RODRIGUES, Sara C. P. et al. Propriedades eletrônicas de semicondutores magnéticos diluídos de 'Ga IND.1-x''Mn IND.x'As. 2003, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2003. . Acesso em: 14 jun. 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Sipahi, G. M., Lima, I. C. da C., & Boselli, M. A. (2003). Propriedades eletrônicas de semicondutores magnéticos diluídos de 'Ga IND.1-x''Mn IND.x'As. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Leite JR, Sipahi GM, Lima IC da C, Boselli MA. Propriedades eletrônicas de semicondutores magnéticos diluídos de 'Ga IND.1-x''Mn IND.x'As. Resumos. 2003 ;[citado 2024 jun. 14 ]
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Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Leite JR, Sipahi GM, Lima IC da C, Boselli MA. Propriedades eletrônicas de semicondutores magnéticos diluídos de 'Ga IND.1-x''Mn IND.x'As. Resumos. 2003 ;[citado 2024 jun. 14 ]
Trabalho de evento-resumo
First principles of diluted magnetic 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'N and 'Al IND. 1-x''Mn IND. x'N alloys (2003)
Paiva, R de; Nogueira, R A; Alves, J L A; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada 26. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
PAIVA, R de et al. First principles of diluted magnetic 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'N and 'Al IND. 1-x''Mn IND. x'N alloys. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 14 jun. 2024.
APA
Paiva, R. de, Nogueira, R. A., Alves, J. L. A., Leite, J. R., & Scolfaro, L. M. R. (2003). First principles of diluted magnetic 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'N and 'Al IND. 1-x''Mn IND. x'N alloys. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Paiva R de, Nogueira RA, Alves JLA, Leite JR, Scolfaro LMR. First principles of diluted magnetic 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'N and 'Al IND. 1-x''Mn IND. x'N alloys. Resumos. 2003 ;[citado 2024 jun. 14 ]
Vancouver
Paiva R de, Nogueira RA, Alves JLA, Leite JR, Scolfaro LMR. First principles of diluted magnetic 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'N and 'Al IND. 1-x''Mn IND. x'N alloys. Resumos. 2003 ;[citado 2024 jun. 14 ]
Trabalho de evento-resumo
Electronic and optical properties of AlGaN/GaN superlattices under electric fields (2003)
Rodrigues, S. C. P.; Sipahi, Guilherme Matos; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro de Nanodispositivos Semicondutores e Materiais Nanoestruturados. Unidades: IFSC, IF
Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, POLARIZAÇÃO, SEMICONDUTORES
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ABNT
RODRIGUES, S. C. P. et al. Electronic and optical properties of AlGaN/GaN superlattices under electric fields. 2003, Anais.. Natal: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2003. . Acesso em: 14 jun. 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2003). Electronic and optical properties of AlGaN/GaN superlattices under electric fields. In Resumos. Natal: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Electronic and optical properties of AlGaN/GaN superlattices under electric fields. Resumos. 2003 ;[citado 2024 jun. 14 ]
Vancouver
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Electronic and optical properties of AlGaN/GaN superlattices under electric fields. Resumos. 2003 ;[citado 2024 jun. 14 ]
Trabalho de evento-resumo
Electronic properties of GaMnAs diluted magnetic semiconductors (2003)
Sipahi, Guilherme Matos; Lima, I. C. da Cunha; Boselli, M. A.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Rodrigues, S. C. P.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro de Nanodispositivos Semicondutores e Materiais Nanoestruturados. Unidades: IFSC, IF
Subjects: MATERIAIS MAGNÉTICOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos et al. Electronic properties of GaMnAs diluted magnetic semiconductors. 2003, Anais.. Natal: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2003. . Acesso em: 14 jun. 2024.
APA
Sipahi, G. M., Lima, I. C. da C., Boselli, M. A., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., & Rodrigues, S. C. P. (2003). Electronic properties of GaMnAs diluted magnetic semiconductors. In Resumos. Natal: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Sipahi GM, Lima IC da C, Boselli MA, Scolfaro LMR, Leite JR, Rodrigues SCP. Electronic properties of GaMnAs diluted magnetic semiconductors. Resumos. 2003 ;[citado 2024 jun. 14 ]
Vancouver
Sipahi GM, Lima IC da C, Boselli MA, Scolfaro LMR, Leite JR, Rodrigues SCP. Electronic properties of GaMnAs diluted magnetic semiconductors. Resumos. 2003 ;[citado 2024 jun. 14 ]

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