Preparation of atomically flat GaAs surfaces for molecular beam epitaxy (2015)
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR
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ABNT
PEREIRA, Ricardo Aluisio e QUIVY, A. A. Preparation of atomically flat GaAs surfaces for molecular beam epitaxy. 2015, Anais.. São Paulo: SBF, 2015. Disponível em: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R0580-1.pdf. Acesso em: 02 nov. 2024.APA
Pereira, R. A., & Quivy, A. A. (2015). Preparation of atomically flat GaAs surfaces for molecular beam epitaxy. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R0580-1.pdfNLM
Pereira RA, Quivy AA. Preparation of atomically flat GaAs surfaces for molecular beam epitaxy [Internet]. Resumos. 2015 ;[citado 2024 nov. 02 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R0580-1.pdfVancouver
Pereira RA, Quivy AA. Preparation of atomically flat GaAs surfaces for molecular beam epitaxy [Internet]. Resumos. 2015 ;[citado 2024 nov. 02 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R0580-1.pdf
