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Trabalho de evento-resumo
Estudo de propriedades ópticas de super-redes GaAs/AlAs ultra finas (2005)
Laureto, Edson; Duarte, José Leonil; Dias, Ivan Frederico Lupiano; Marega Junior, Euclydes; Teodoro, Marcio Daldin; González-Borrero, Pedro Pablo
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada - ENFMC. Unidade: IFSC
Assuntos: FÍSICA ÓPTICA, ÓPTICA, REDE DE COMUNICAÇÃO
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ABNT
LAURETO, Edson et al. Estudo de propriedades ópticas de super-redes GaAs/AlAs ultra finas. 2005, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2005. . Acesso em: 21 jun. 2024.
APA
Laureto, E., Duarte, J. L., Dias, I. F. L., Marega Junior, E., Teodoro, M. D., & González-Borrero, P. P. (2005). Estudo de propriedades ópticas de super-redes GaAs/AlAs ultra finas. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Laureto E, Duarte JL, Dias IFL, Marega Junior E, Teodoro MD, González-Borrero PP. Estudo de propriedades ópticas de super-redes GaAs/AlAs ultra finas. Resumos. 2005 ;[citado 2024 jun. 21 ]
Vancouver
Laureto E, Duarte JL, Dias IFL, Marega Junior E, Teodoro MD, González-Borrero PP. Estudo de propriedades ópticas de super-redes GaAs/AlAs ultra finas. Resumos. 2005 ;[citado 2024 jun. 21 ]
Parte de monografia/livro
Microscopía de fuerza atómica (2003)
Marega Júnior, Euclydes; González-Borrero, Pedro Pablo; Rodrigues, Sérgio Gasques; Alves, Marcus Vinícius
Fonte: Nanoestructuras semiconductoras : fundamentos y aplicaciones. Unidade: IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, MICROSCOPIA ELETRÔNICA DE VARREDURA, METROLOGIA, INSTRUMENTOS DE PRECISÃO
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ABNT
MAREGA JÚNIOR, Euclydes et al. Microscopía de fuerza atómica. Nanoestructuras semiconductoras : fundamentos y aplicaciones. Tradução . Madrid: CYTED, 2003. . . Acesso em: 21 jun. 2024.
APA
Marega Júnior, E., González-Borrero, P. P., Rodrigues, S. G., & Alves, M. V. (2003). Microscopía de fuerza atómica. In Nanoestructuras semiconductoras : fundamentos y aplicaciones. Madrid: CYTED.
NLM
Marega Júnior E, González-Borrero PP, Rodrigues SG, Alves MV. Microscopía de fuerza atómica. In: Nanoestructuras semiconductoras : fundamentos y aplicaciones. Madrid: CYTED; 2003. [citado 2024 jun. 21 ]
Vancouver
Marega Júnior E, González-Borrero PP, Rodrigues SG, Alves MV. Microscopía de fuerza atómica. In: Nanoestructuras semiconductoras : fundamentos y aplicaciones. Madrid: CYTED; 2003. [citado 2024 jun. 21 ]
Trabalho de evento-resumo
Propriedades elétricas de junções pin de GaAs:Si crescidas na superfície (311)A (2003)
Oliveira, Rodrigo Marques de; Alves, Marcus Vinicius; Marega Júnior, Euclydes; González-Borrero, Pedro Pablo
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, MATERIAIS (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
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ABNT
OLIVEIRA, Rodrigo Marques de et al. Propriedades elétricas de junções pin de GaAs:Si crescidas na superfície (311)A. 2003, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2003. . Acesso em: 21 jun. 2024.
APA
Oliveira, R. M. de, Alves, M. V., Marega Júnior, E., & González-Borrero, P. P. (2003). Propriedades elétricas de junções pin de GaAs:Si crescidas na superfície (311)A. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Oliveira RM de, Alves MV, Marega Júnior E, González-Borrero PP. Propriedades elétricas de junções pin de GaAs:Si crescidas na superfície (311)A. Resumos. 2003 ;[citado 2024 jun. 21 ]
Vancouver
Oliveira RM de, Alves MV, Marega Júnior E, González-Borrero PP. Propriedades elétricas de junções pin de GaAs:Si crescidas na superfície (311)A. Resumos. 2003 ;[citado 2024 jun. 21 ]
Parte de monografia/livro
Materiais semiconductores do Grupo III-V (2003)
Marega Júnior, Euclydes; González-Borrero, Pedro Pablo; Petitprez, Emmanuel Olivier
Fonte: Nanoestructuras semiconductoras : fundamentos y aplicaciones. Unidade: IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, CRESCIMENTO DE CRISTAIS, LASER
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ABNT
MAREGA JÚNIOR, Euclydes e GONZÁLEZ-BORRERO, Pedro Pablo e PETITPREZ, Emmanuel Olivier. Materiais semiconductores do Grupo III-V. Nanoestructuras semiconductoras : fundamentos y aplicaciones. Tradução . Madrid: CYTED, 2003. . . Acesso em: 21 jun. 2024.
APA
Marega Júnior, E., González-Borrero, P. P., & Petitprez, E. O. (2003). Materiais semiconductores do Grupo III-V. In Nanoestructuras semiconductoras : fundamentos y aplicaciones. Madrid: CYTED.
NLM
Marega Júnior E, González-Borrero PP, Petitprez EO. Materiais semiconductores do Grupo III-V. In: Nanoestructuras semiconductoras : fundamentos y aplicaciones. Madrid: CYTED; 2003. [citado 2024 jun. 21 ]
Vancouver
Marega Júnior E, González-Borrero PP, Petitprez EO. Materiais semiconductores do Grupo III-V. In: Nanoestructuras semiconductoras : fundamentos y aplicaciones. Madrid: CYTED; 2003. [citado 2024 jun. 21 ]
Artigo de periodico
Maximization of the InAs quantum-dot density through the growth of an intentionally non-homogeneous sample (2002)
Silva, M J; Quivy, Alain Andre; González-Borrero, Pedro Pablo; Marega Júnior, Euclydes
Fonte: Journal of Crystal Growth. Unidades: IF, IFSC
Assunto: SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA)
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ABNT
SILVA, M J et al. Maximization of the InAs quantum-dot density through the growth of an intentionally non-homogeneous sample. Journal of Crystal Growth, v. 236, n. 1-3, p. 41-45, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(01)02109-1. Acesso em: 21 jun. 2024.
APA
Silva, M. J., Quivy, A. A., González-Borrero, P. P., & Marega Júnior, E. (2002). Maximization of the InAs quantum-dot density through the growth of an intentionally non-homogeneous sample. Journal of Crystal Growth, 236( 1-3), 41-45. doi:10.1016/s0022-0248(01)02109-1
NLM
Silva MJ, Quivy AA, González-Borrero PP, Marega Júnior E. Maximization of the InAs quantum-dot density through the growth of an intentionally non-homogeneous sample [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2002 ;236( 1-3): 41-45.[citado 2024 jun. 21 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(01)02109-1
Vancouver
Silva MJ, Quivy AA, González-Borrero PP, Marega Júnior E. Maximization of the InAs quantum-dot density through the growth of an intentionally non-homogeneous sample [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2002 ;236( 1-3): 41-45.[citado 2024 jun. 21 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(01)02109-1
Trabalho de evento-resumo
Fabricação de um LED de GaAs (311)A dopado somente com Si (2001)
Alves, Marcus Vinicius; González-Borrero, Pedro Pablo; Marega Júnior, Euclydes
Fonte: Resumos estendidos. Nome do evento: Simpósio em Ciência e Engenharia de Materiais. Unidade: IFSC
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
ALVES, Marcus Vinicius e GONZÁLEZ-BORRERO, Pedro Pablo e MAREGA JÚNIOR, Euclydes. Fabricação de um LED de GaAs (311)A dopado somente com Si. 2001, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2001. . Acesso em: 21 jun. 2024.
APA
Alves, M. V., González-Borrero, P. P., & Marega Júnior, E. (2001). Fabricação de um LED de GaAs (311)A dopado somente com Si. In Resumos estendidos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Alves MV, González-Borrero PP, Marega Júnior E. Fabricação de um LED de GaAs (311)A dopado somente com Si. Resumos estendidos. 2001 ;[citado 2024 jun. 21 ]
Vancouver
Alves MV, González-Borrero PP, Marega Júnior E. Fabricação de um LED de GaAs (311)A dopado somente com Si. Resumos estendidos. 2001 ;[citado 2024 jun. 21 ]
Artigo de periodico
Raman study of the segregation of GaAs/AlAs heterostructures grown by molecular beam epitaxy (2001)
Zanelato, G; Pusep, Yuri A.; Galzerani, J C; Lubyshev, D I; González-Borrero, Pedro Pablo
Fonte: Physica E. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
ZANELATO, G et al. Raman study of the segregation of GaAs/AlAs heterostructures grown by molecular beam epitaxy. Physica E, v. 10, n. 4, p. 587-592, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(00)00289-7. Acesso em: 21 jun. 2024.
APA
Zanelato, G., Pusep, Y. A., Galzerani, J. C., Lubyshev, D. I., & González-Borrero, P. P. (2001). Raman study of the segregation of GaAs/AlAs heterostructures grown by molecular beam epitaxy. Physica E, 10( 4), 587-592. doi:10.1016/s1386-9477(00)00289-7
NLM
Zanelato G, Pusep YA, Galzerani JC, Lubyshev DI, González-Borrero PP. Raman study of the segregation of GaAs/AlAs heterostructures grown by molecular beam epitaxy [Internet]. Physica E. 2001 ;10( 4): 587-592.[citado 2024 jun. 21 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(00)00289-7
Vancouver
Zanelato G, Pusep YA, Galzerani JC, Lubyshev DI, González-Borrero PP. Raman study of the segregation of GaAs/AlAs heterostructures grown by molecular beam epitaxy [Internet]. Physica E. 2001 ;10( 4): 587-592.[citado 2024 jun. 21 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(00)00289-7
Trabalho de evento
Collective plasma response of interacting electrons localized in disordered GaAs/AlGaAs superlattices (2001)
Pusep, Yuri A; Fortunato, W; González-Borrero, Pedro Pablo; Toropov, A I; Galzerani, J C
Fonte: Proceedings. Nome do evento: International Conference on the Physics of Semiconductors. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Collective plasma response of interacting electrons localized in disordered GaAs/AlGaAs superlattices. 2001, Anais.. Berlin: Springer-Verlag, 2001. . Acesso em: 21 jun. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Fortunato, W., González-Borrero, P. P., Toropov, A. I., & Galzerani, J. C. (2001). Collective plasma response of interacting electrons localized in disordered GaAs/AlGaAs superlattices. In Proceedings. Berlin: Springer-Verlag.
NLM
Pusep YA, Fortunato W, González-Borrero PP, Toropov AI, Galzerani JC. Collective plasma response of interacting electrons localized in disordered GaAs/AlGaAs superlattices. Proceedings. 2001 ;[citado 2024 jun. 21 ]
Vancouver
Pusep YA, Fortunato W, González-Borrero PP, Toropov AI, Galzerani JC. Collective plasma response of interacting electrons localized in disordered GaAs/AlGaAs superlattices. Proceedings. 2001 ;[citado 2024 jun. 21 ]
Artigo de periodico
Study of the segregation process in GaAs/AlAs superlattices using Raman spectroscopy (2001)
Zanelato, G; Pusep, Yuri A; Galzerani, J C; Lubyshev, D I; González-Borrero, Pedro Pablo
Fonte: Journal of Raman Spectroscopy. Unidade: IFSC
Assuntos: ESPECTROSCOPIA RAMAN, SUPERFÍCIE FÍSICA
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ABNT
ZANELATO, G et al. Study of the segregation process in GaAs/AlAs superlattices using Raman spectroscopy. Journal of Raman Spectroscopy, v. 32, p. 857-861, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/jrs.774. Acesso em: 21 jun. 2024.
APA
Zanelato, G., Pusep, Y. A., Galzerani, J. C., Lubyshev, D. I., & González-Borrero, P. P. (2001). Study of the segregation process in GaAs/AlAs superlattices using Raman spectroscopy. Journal of Raman Spectroscopy, 32, 857-861. doi:10.1002/jrs.774
NLM
Zanelato G, Pusep YA, Galzerani JC, Lubyshev DI, González-Borrero PP. Study of the segregation process in GaAs/AlAs superlattices using Raman spectroscopy [Internet]. Journal of Raman Spectroscopy. 2001 ; 32 857-861.[citado 2024 jun. 21 ] Available from: https://doi.org/10.1002/jrs.774
Vancouver
Zanelato G, Pusep YA, Galzerani JC, Lubyshev DI, González-Borrero PP. Study of the segregation process in GaAs/AlAs superlattices using Raman spectroscopy [Internet]. Journal of Raman Spectroscopy. 2001 ; 32 857-861.[citado 2024 jun. 21 ] Available from: https://doi.org/10.1002/jrs.774
Trabalho de evento-resumo
AFM and PL characterization of the continuos evolution cycle of MBE-grown self-assembled InAs quantum dots (2000)
Silva, M. J. da; Quivy, A. A.; González-Borrero, Pedro Pablo; Marega Júnior, Euclydes; Moshegov, N. T.
Fonte: Resumo. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidades: IF, IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, M. J. da et al. AFM and PL characterization of the continuos evolution cycle of MBE-grown self-assembled InAs quantum dots. 2000, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2000. . Acesso em: 21 jun. 2024.
APA
Silva, M. J. da, Quivy, A. A., González-Borrero, P. P., Marega Júnior, E., & Moshegov, N. T. (2000). AFM and PL characterization of the continuos evolution cycle of MBE-grown self-assembled InAs quantum dots. In Resumo. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Silva MJ da, Quivy AA, González-Borrero PP, Marega Júnior E, Moshegov NT. AFM and PL characterization of the continuos evolution cycle of MBE-grown self-assembled InAs quantum dots. Resumo. 2000 ;[citado 2024 jun. 21 ]
Vancouver
Silva MJ da, Quivy AA, González-Borrero PP, Marega Júnior E, Moshegov NT. AFM and PL characterization of the continuos evolution cycle of MBE-grown self-assembled InAs quantum dots. Resumo. 2000 ;[citado 2024 jun. 21 ]
Trabalho de evento-anais periodico
AFM characterization of the spontaneous alignment of InAs quantum-dots along the surface steps (2000)
Silva, M. J. da; Quivy, A. A.; González-Borrero, Pedro Pablo; Marega Júnior, Euclydes
Nome do evento: Brazilian Conference on Microscopy of Materials. Unidades: IF, IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SILVA, M. J. da et al. AFM characterization of the spontaneous alignment of InAs quantum-dots along the surface steps. . Rio de Janeiro: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 21 jun. 2024. , 2000
APA
Silva, M. J. da, Quivy, A. A., González-Borrero, P. P., & Marega Júnior, E. (2000). AFM characterization of the spontaneous alignment of InAs quantum-dots along the surface steps. Rio de Janeiro: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Silva MJ da, Quivy AA, González-Borrero PP, Marega Júnior E. AFM characterization of the spontaneous alignment of InAs quantum-dots along the surface steps. 2000 ;9 303-304.[citado 2024 jun. 21 ]
Vancouver
Silva MJ da, Quivy AA, González-Borrero PP, Marega Júnior E. AFM characterization of the spontaneous alignment of InAs quantum-dots along the surface steps. 2000 ;9 303-304.[citado 2024 jun. 21 ]
Trabalho de evento-resumo
New insights into the full evolution of MBE-grown self-assembled InAs quantum dots by direct comparison of optical and morphological characterization (2000)
Silva, M. J. da; Quivy, A. A.; González-Borrero, Pedro Pablo; Marega Júnior, Euclydes; Moshegov, N T
Fonte: Abstract book. Nome do evento: International Conference on Molecular Beam Epitaxy. Unidades: IF, IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SILVA, M. J. da et al. New insights into the full evolution of MBE-grown self-assembled InAs quantum dots by direct comparison of optical and morphological characterization. 2000, Anais.. Beijing: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2000. . Acesso em: 21 jun. 2024.
APA
Silva, M. J. da, Quivy, A. A., González-Borrero, P. P., Marega Júnior, E., & Moshegov, N. T. (2000). New insights into the full evolution of MBE-grown self-assembled InAs quantum dots by direct comparison of optical and morphological characterization. In Abstract book. Beijing: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Silva MJ da, Quivy AA, González-Borrero PP, Marega Júnior E, Moshegov NT. New insights into the full evolution of MBE-grown self-assembled InAs quantum dots by direct comparison of optical and morphological characterization. Abstract book. 2000 ;[citado 2024 jun. 21 ]
Vancouver
Silva MJ da, Quivy AA, González-Borrero PP, Marega Júnior E, Moshegov NT. New insights into the full evolution of MBE-grown self-assembled InAs quantum dots by direct comparison of optical and morphological characterization. Abstract book. 2000 ;[citado 2024 jun. 21 ]
Tese (Doutorado)
Crescimento e caracterização de pontos quânticos naturais de In As e 'In IND.0.5.' 'Ga IND.0.5' As sobre diferentes orientações cristalográficas do substrato de Ga As (1998)
González-Borrero, Pedro Pablo; Basmaji, Pierre (Orientador)
Unidade: IFSC
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GONZÁLEZ-BORRERO, Pedro Pablo. Crescimento e caracterização de pontos quânticos naturais de In As e 'In IND.0.5.' 'Ga IND.0.5' As sobre diferentes orientações cristalográficas do substrato de Ga As. 1998. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 1998. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-28052009-101056/. Acesso em: 21 jun. 2024.
APA
González-Borrero, P. P. (1998). Crescimento e caracterização de pontos quânticos naturais de In As e 'In IND.0.5.' 'Ga IND.0.5' As sobre diferentes orientações cristalográficas do substrato de Ga As (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-28052009-101056/
NLM
González-Borrero PP. Crescimento e caracterização de pontos quânticos naturais de In As e 'In IND.0.5.' 'Ga IND.0.5' As sobre diferentes orientações cristalográficas do substrato de Ga As [Internet]. 1998 ;[citado 2024 jun. 21 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-28052009-101056/
Vancouver
González-Borrero PP. Crescimento e caracterização de pontos quânticos naturais de In As e 'In IND.0.5.' 'Ga IND.0.5' As sobre diferentes orientações cristalográficas do substrato de Ga As [Internet]. 1998 ;[citado 2024 jun. 21 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-28052009-101056/
Artigo de periodico
Raman study of interface modes subjected to strain in InAs/GaAs self-assembled quantum dots (1998)
Pusep, Yuri A.; Zanelatto, G.; Silva, S. W.; Galzerani, J. C.; González-Borrero, Pedro Pablo; Toropov, A. I.; Basmaji, Pierre
Fonte: Physical Review B. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Raman study of interface modes subjected to strain in InAs/GaAs self-assembled quantum dots. Physical Review B, v. 58, n. 4, p. R1770-R1773, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.r1770. Acesso em: 21 jun. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Zanelatto, G., Silva, S. W., Galzerani, J. C., González-Borrero, P. P., Toropov, A. I., & Basmaji, P. (1998). Raman study of interface modes subjected to strain in InAs/GaAs self-assembled quantum dots. Physical Review B, 58( 4), R1770-R1773. doi:10.1103/physrevb.58.r1770
NLM
Pusep YA, Zanelatto G, Silva SW, Galzerani JC, González-Borrero PP, Toropov AI, Basmaji P. Raman study of interface modes subjected to strain in InAs/GaAs self-assembled quantum dots [Internet]. Physical Review B. 1998 ; 58( 4): R1770-R1773.[citado 2024 jun. 21 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.r1770
Vancouver
Pusep YA, Zanelatto G, Silva SW, Galzerani JC, González-Borrero PP, Toropov AI, Basmaji P. Raman study of interface modes subjected to strain in InAs/GaAs self-assembled quantum dots [Internet]. Physical Review B. 1998 ; 58( 4): R1770-R1773.[citado 2024 jun. 21 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.r1770
Trabalho de evento-anais periodico
Kinetic limit of segregation during the molecular beam epitaxy of GaAs/AlAs heterostructures (1998)
Zanelatto, G; Pusep, Yuri A.; Galzerani, J C; González-Borrero, Pedro Pablo; Lubyshev, D; Basmaji, Pierre
Fonte: Physics of Low-Dimensional Structures. Nome do evento: International Conference on Superlattices, Microstructures and Microdevices. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ZANELATTO, G et al. Kinetic limit of segregation during the molecular beam epitaxy of GaAs/AlAs heterostructures. Physics of Low-Dimensional Structures. Moscou: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 21 jun. 2024. , 1998
APA
Zanelatto, G., Pusep, Y. A., Galzerani, J. C., González-Borrero, P. P., Lubyshev, D., & Basmaji, P. (1998). Kinetic limit of segregation during the molecular beam epitaxy of GaAs/AlAs heterostructures. Physics of Low-Dimensional Structures. Moscou: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Zanelatto G, Pusep YA, Galzerani JC, González-Borrero PP, Lubyshev D, Basmaji P. Kinetic limit of segregation during the molecular beam epitaxy of GaAs/AlAs heterostructures. Physics of Low-Dimensional Structures. 1998 ;1/2 237-242.[citado 2024 jun. 21 ]
Vancouver
Zanelatto G, Pusep YA, Galzerani JC, González-Borrero PP, Lubyshev D, Basmaji P. Kinetic limit of segregation during the molecular beam epitaxy of GaAs/AlAs heterostructures. Physics of Low-Dimensional Structures. 1998 ;1/2 237-242.[citado 2024 jun. 21 ]
Trabalho de evento-anais periodico
Interference effects in nonplanar wires with a two-dimensional electron gas (1998)
Basmaji, Pierre; Gusev, G M; La Scala Junior, N; González-Borrero, Pedro Pablo; Lubyshev, D I; Silva, M P A da; Maude, D K; Portal, J C; Pusep, Yuri A.; Rossi, J C
Fonte: Physics of Low-Dimensional Structures. Nome do evento: International Conference on Superlattices, Microructures and Microdevices. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BASMAJI, Pierre et al. Interference effects in nonplanar wires with a two-dimensional electron gas. Physics of Low-Dimensional Structures. Moscou: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 21 jun. 2024. , 1998
APA
Basmaji, P., Gusev, G. M., La Scala Junior, N., González-Borrero, P. P., Lubyshev, D. I., Silva, M. P. A. da, et al. (1998). Interference effects in nonplanar wires with a two-dimensional electron gas. Physics of Low-Dimensional Structures. Moscou: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Basmaji P, Gusev GM, La Scala Junior N, González-Borrero PP, Lubyshev DI, Silva MPA da, Maude DK, Portal JC, Pusep YA, Rossi JC. Interference effects in nonplanar wires with a two-dimensional electron gas. Physics of Low-Dimensional Structures. 1998 ; 1-2 187-192.[citado 2024 jun. 21 ]
Vancouver
Basmaji P, Gusev GM, La Scala Junior N, González-Borrero PP, Lubyshev DI, Silva MPA da, Maude DK, Portal JC, Pusep YA, Rossi JC. Interference effects in nonplanar wires with a two-dimensional electron gas. Physics of Low-Dimensional Structures. 1998 ; 1-2 187-192.[citado 2024 jun. 21 ]
Artigo de periodico
Optical properties of vertically aligned self-assembled InGaAs quantum dot layers on (311)A/B and (100) GaAs substrates (1998)
González-Borrero, Pedro Pablo; Lubyshev, D I; Marega Júnior, Euclydes; Petitprez, E; Basmaji, Pierre
Fonte: Superlattices and Microstructures. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GONZÁLEZ-BORRERO, Pedro Pablo et al. Optical properties of vertically aligned self-assembled InGaAs quantum dot layers on (311)A/B and (100) GaAs substrates. Superlattices and Microstructures, v. 23, n. 2, p. 365-368, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1006/spmi.1996.0353. Acesso em: 21 jun. 2024.
APA
González-Borrero, P. P., Lubyshev, D. I., Marega Júnior, E., Petitprez, E., & Basmaji, P. (1998). Optical properties of vertically aligned self-assembled InGaAs quantum dot layers on (311)A/B and (100) GaAs substrates. Superlattices and Microstructures, 23( 2), 365-368. doi:10.1006/spmi.1996.0353
NLM
González-Borrero PP, Lubyshev DI, Marega Júnior E, Petitprez E, Basmaji P. Optical properties of vertically aligned self-assembled InGaAs quantum dot layers on (311)A/B and (100) GaAs substrates [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1998 ; 23( 2): 365-368.[citado 2024 jun. 21 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1996.0353
Vancouver
González-Borrero PP, Lubyshev DI, Marega Júnior E, Petitprez E, Basmaji P. Optical properties of vertically aligned self-assembled InGaAs quantum dot layers on (311)A/B and (100) GaAs substrates [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1998 ; 23( 2): 365-368.[citado 2024 jun. 21 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1996.0353
Trabalho de evento-resumo
Exciton localization in GaAs/AlAs superlattices grown on high-index oriented surfaces (1997)
Marega Júnior, Euclydes; Libardi, A L; Lubyshev, D I; González-Borrero, Pedro Pablo; Basmaji, Pierre
Nome do evento: International Conference on Low Dimensional Structures and Devices. Unidade: IFSC
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS), SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MAREGA JÚNIOR, Euclydes et al. Exciton localization in GaAs/AlAs superlattices grown on high-index oriented surfaces. 1997, Anais.. Lisboa: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 1997. . Acesso em: 21 jun. 2024.
APA
Marega Júnior, E., Libardi, A. L., Lubyshev, D. I., González-Borrero, P. P., & Basmaji, P. (1997). Exciton localization in GaAs/AlAs superlattices grown on high-index oriented surfaces. In . Lisboa: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Marega Júnior E, Libardi AL, Lubyshev DI, González-Borrero PP, Basmaji P. Exciton localization in GaAs/AlAs superlattices grown on high-index oriented surfaces. 1997 ;[citado 2024 jun. 21 ]
Vancouver
Marega Júnior E, Libardi AL, Lubyshev DI, González-Borrero PP, Basmaji P. Exciton localization in GaAs/AlAs superlattices grown on high-index oriented surfaces. 1997 ;[citado 2024 jun. 21 ]
Trabalho de evento-resumo
Vertically aligned self-assembled 'IN''GA''AS' quantum dots layers on (311)A/B and (100) 'GA''AS' substrates (1996)
Marega Júnior, Euclydes; González-Borrero, Pedro Pablo; Lubyshev, D I; Petitprez, Emmanuel; Basmaji, Pierre
Fonte: Abstracts. Nome do evento: International Conference on Superlattices, Microructures and Microdevices. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MAREGA JÚNIOR, Euclydes et al. Vertically aligned self-assembled 'IN''GA''AS' quantum dots layers on (311)A/B and (100) 'GA''AS' substrates. 1996, Anais.. Liebe: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 1996. . Acesso em: 21 jun. 2024.
APA
Marega Júnior, E., González-Borrero, P. P., Lubyshev, D. I., Petitprez, E., & Basmaji, P. (1996). Vertically aligned self-assembled 'IN''GA''AS' quantum dots layers on (311)A/B and (100) 'GA''AS' substrates. In Abstracts. Liebe: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Marega Júnior E, González-Borrero PP, Lubyshev DI, Petitprez E, Basmaji P. Vertically aligned self-assembled 'IN''GA''AS' quantum dots layers on (311)A/B and (100) 'GA''AS' substrates. Abstracts. 1996 ;[citado 2024 jun. 21 ]
Vancouver
Marega Júnior E, González-Borrero PP, Lubyshev DI, Petitprez E, Basmaji P. Vertically aligned self-assembled 'IN''GA''AS' quantum dots layers on (311)A/B and (100) 'GA''AS' substrates. Abstracts. 1996 ;[citado 2024 jun. 21 ]

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