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Trabalho de evento-resumo
Estudo de doadores em monocristais de 'SI': b (1989)
Castro Junior, W E; Stojanoff, Vivian
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: CRISTALOGRAFIA FÍSICA
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ABNT
CASTRO JUNIOR, W E e STOJANOFF, Vivian. Estudo de doadores em monocristais de 'SI': b. 1989, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1989. . Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Castro Junior, W. E., & Stojanoff, V. (1989). Estudo de doadores em monocristais de 'SI': b. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Castro Junior WE, Stojanoff V. Estudo de doadores em monocristais de 'SI': b. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Vancouver
Castro Junior WE, Stojanoff V. Estudo de doadores em monocristais de 'SI': b. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Artigo de periodico
Effects of heavy boron doping upon oxygen precipitation in czochralski silicon (1988)
Hahn, S; Ponce, F A; Tiller, W A; Stojanoff, Vivian; Bulla, Douglas Anderson Pereira; Castro Junior, W E
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Assunto: SILÍCIO
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ABNT
HAHN, S et al. Effects of heavy boron doping upon oxygen precipitation in czochralski silicon. Journal of Applied Physics, v. 64, n. 9 , p. 4454-65, 1988Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.341268. Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Hahn, S., Ponce, F. A., Tiller, W. A., Stojanoff, V., Bulla, D. A. P., & Castro Junior, W. E. (1988). Effects of heavy boron doping upon oxygen precipitation in czochralski silicon. Journal of Applied Physics, 64( 9 ), 4454-65. doi:10.1063/1.341268
NLM
Hahn S, Ponce FA, Tiller WA, Stojanoff V, Bulla DAP, Castro Junior WE. Effects of heavy boron doping upon oxygen precipitation in czochralski silicon [Internet]. Journal of Applied Physics. 1988 ;64( 9 ): 4454-65.[citado 2024 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.341268
Vancouver
Hahn S, Ponce FA, Tiller WA, Stojanoff V, Bulla DAP, Castro Junior WE. Effects of heavy boron doping upon oxygen precipitation in czochralski silicon [Internet]. Journal of Applied Physics. 1988 ;64( 9 ): 4454-65.[citado 2024 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.341268
Artigo de periodico
Effects of boron concentration upon oxygen precipitation in cz silicon (1987)
Bulla, Douglas Anderson Pereira; Castro Junior, W E; Stojanoff, Vivian; Ponce, F A; Hahn, S; Tiller, W A
Source: Journal of Crystal Growth. Unidade: IF
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ABNT
BULLA, Douglas Anderson Pereira et al. Effects of boron concentration upon oxygen precipitation in cz silicon. Journal of Crystal Growth, v. 85, n. 1-2, p. 91-6, 1987Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0022-0248(87)90208-9. Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Bulla, D. A. P., Castro Junior, W. E., Stojanoff, V., Ponce, F. A., Hahn, S., & Tiller, W. A. (1987). Effects of boron concentration upon oxygen precipitation in cz silicon. Journal of Crystal Growth, 85( 1-2), 91-6. doi:10.1016/0022-0248(87)90208-9
NLM
Bulla DAP, Castro Junior WE, Stojanoff V, Ponce FA, Hahn S, Tiller WA. Effects of boron concentration upon oxygen precipitation in cz silicon [Internet]. Journal of Crystal Growth. 1987 ;85( 1-2): 91-6.[citado 2024 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0022-0248(87)90208-9
Vancouver
Bulla DAP, Castro Junior WE, Stojanoff V, Ponce FA, Hahn S, Tiller WA. Effects of boron concentration upon oxygen precipitation in cz silicon [Internet]. Journal of Crystal Growth. 1987 ;85( 1-2): 91-6.[citado 2024 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0022-0248(87)90208-9
Trabalho de evento-resumo periodico
Estudo de doadores termicos em si: b (1987)
Castro Junior, W E; Stojanoff, Vivian; Bulla, Douglas Anderson Pereira
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reuniao da Sbpc. Unidade: IF
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ABNT
CASTRO JUNIOR, W E e STOJANOFF, Vivian e BULLA, Douglas Anderson Pereira. Estudo de doadores termicos em si: b. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 06 nov. 2024. , 1987
APA
Castro Junior, W. E., Stojanoff, V., & Bulla, D. A. P. (1987). Estudo de doadores termicos em si: b. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Castro Junior WE, Stojanoff V, Bulla DAP. Estudo de doadores termicos em si: b. Ciência e Cultura. 1987 ;39( 7 supl.): 277.[citado 2024 nov. 06 ]
Vancouver
Castro Junior WE, Stojanoff V, Bulla DAP. Estudo de doadores termicos em si: b. Ciência e Cultura. 1987 ;39( 7 supl.): 277.[citado 2024 nov. 06 ]
Artigo de periodico
Effects of 45 graus celsius thermal annealing upon oxygen precipitation in heavily b- ad sb-doped czochralski si (1987)
Hahn, S; Arst, M; Rek, Z U; Stojanoff, Vivian; Bulla, Douglas Anderson Pereira; Castro Junior, W E; Tiller, W A
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
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ABNT
HAHN, S et al. Effects of 45 graus celsius thermal annealing upon oxygen precipitation in heavily b- ad sb-doped czochralski si. Applied Physics Letters, v. 50, n. 7 , p. 401-3, 1987Tradução . . Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Hahn, S., Arst, M., Rek, Z. U., Stojanoff, V., Bulla, D. A. P., Castro Junior, W. E., & Tiller, W. A. (1987). Effects of 45 graus celsius thermal annealing upon oxygen precipitation in heavily b- ad sb-doped czochralski si. Applied Physics Letters, 50( 7 ), 401-3.
NLM
Hahn S, Arst M, Rek ZU, Stojanoff V, Bulla DAP, Castro Junior WE, Tiller WA. Effects of 45 graus celsius thermal annealing upon oxygen precipitation in heavily b- ad sb-doped czochralski si. Applied Physics Letters. 1987 ;50( 7 ): 401-3.[citado 2024 nov. 06 ]
Vancouver
Hahn S, Arst M, Rek ZU, Stojanoff V, Bulla DAP, Castro Junior WE, Tiller WA. Effects of 45 graus celsius thermal annealing upon oxygen precipitation in heavily b- ad sb-doped czochralski si. Applied Physics Letters. 1987 ;50( 7 ): 401-3.[citado 2024 nov. 06 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Caracterizacao de defeitos em monocristais de silicio com tecnicas de raios x (1986)
Bulla, Douglas Anderson Pereira; Castro Junior, W E; Stojanoff, Vivian; Hahn, S
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF
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ABNT
BULLA, Douglas Anderson Pereira et al. Caracterizacao de defeitos em monocristais de silicio com tecnicas de raios x. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 06 nov. 2024. , 1986
APA
Bulla, D. A. P., Castro Junior, W. E., Stojanoff, V., & Hahn, S. (1986). Caracterizacao de defeitos em monocristais de silicio com tecnicas de raios x. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Bulla DAP, Castro Junior WE, Stojanoff V, Hahn S. Caracterizacao de defeitos em monocristais de silicio com tecnicas de raios x. Ciência e Cultura. 1986 ;38( 7 supl.): 347.[citado 2024 nov. 06 ]
Vancouver
Bulla DAP, Castro Junior WE, Stojanoff V, Hahn S. Caracterizacao de defeitos em monocristais de silicio com tecnicas de raios x. Ciência e Cultura. 1986 ;38( 7 supl.): 347.[citado 2024 nov. 06 ]
Trabalho de evento
Oxygen precipitation in heavy boron-doped cz silicon (1986)
Stojanoff, Vivian; Pimentel, C A; Bulla, Douglas Anderson Pereira; Castro Junior, W E; Hahn, S; Ponce, F A
Source: Proceedings. Conference titles: International Symposium on Silicon Materials Science and Technology: Semiconductor Silicon. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
STOJANOFF, Vivian et al. Oxygen precipitation in heavy boron-doped cz silicon. 1986, Anais.. Boston: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 1986. . Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Stojanoff, V., Pimentel, C. A., Bulla, D. A. P., Castro Junior, W. E., Hahn, S., & Ponce, F. A. (1986). Oxygen precipitation in heavy boron-doped cz silicon. In Proceedings. Boston: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Stojanoff V, Pimentel CA, Bulla DAP, Castro Junior WE, Hahn S, Ponce FA. Oxygen precipitation in heavy boron-doped cz silicon. Proceedings. 1986 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Vancouver
Stojanoff V, Pimentel CA, Bulla DAP, Castro Junior WE, Hahn S, Ponce FA. Oxygen precipitation in heavy boron-doped cz silicon. Proceedings. 1986 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Trabalho de evento-resumo
Estudo da cinetica de precipitacao do oxigenio em monocristais de si: b a partir de tecnicas de raios-x (1986)
Bulla, Douglas Anderson Pereira; Castro Junior, W E; Stojanoff, Vivian; Pimentel, C A; Hahn, S
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BULLA, Douglas Anderson Pereira et al. Estudo da cinetica de precipitacao do oxigenio em monocristais de si: b a partir de tecnicas de raios-x. 1986, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1986. . Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Bulla, D. A. P., Castro Junior, W. E., Stojanoff, V., Pimentel, C. A., & Hahn, S. (1986). Estudo da cinetica de precipitacao do oxigenio em monocristais de si: b a partir de tecnicas de raios-x. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Bulla DAP, Castro Junior WE, Stojanoff V, Pimentel CA, Hahn S. Estudo da cinetica de precipitacao do oxigenio em monocristais de si: b a partir de tecnicas de raios-x. Programa e Resumos. 1986 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Vancouver
Bulla DAP, Castro Junior WE, Stojanoff V, Pimentel CA, Hahn S. Estudo da cinetica de precipitacao do oxigenio em monocristais de si: b a partir de tecnicas de raios-x. Programa e Resumos. 1986 ;[citado 2024 nov. 06 ]

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