Initial oxidation of the hydrogenated Si <111> surface (1997)
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
ABNT
BAIERLE, Rogerio Jose e CALDAS, Marília Junqueira. Initial oxidation of the hydrogenated Si <111> surface. 1997, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1997. . Acesso em: 11 jun. 2024.APA
Baierle, R. J., & Caldas, M. J. (1997). Initial oxidation of the hydrogenated Si <111> surface. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.NLM
Baierle RJ, Caldas MJ. Initial oxidation of the hydrogenated Si <111> surface. Resumos. 1997 ;[citado 2024 jun. 11 ]Vancouver
Baierle RJ, Caldas MJ. Initial oxidation of the hydrogenated Si <111> surface. Resumos. 1997 ;[citado 2024 jun. 11 ]