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Artigo de periodico
Optical studies of the correlation between interface disorder and the photoluminescence line shape in GaAs/InGaP quantum wells (2002)
Laureto, E; Meneses, E A; Carvalho Junior, W; Bernussi, A A; Ribeiro, E; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Oliveira, J B B de
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assunto: FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
LAURETO, E et al. Optical studies of the correlation between interface disorder and the photoluminescence line shape in GaAs/InGaP quantum wells. Brazilian Journal of Physics, v. 32, n. 2A, p. 314-317, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200017. Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Laureto, E., Meneses, E. A., Carvalho Junior, W., Bernussi, A. A., Ribeiro, E., Silva, E. C. F. da, & Oliveira, J. B. B. de. (2002). Optical studies of the correlation between interface disorder and the photoluminescence line shape in GaAs/InGaP quantum wells. Brazilian Journal of Physics, 32( 2A), 314-317. doi:10.1590/s0103-97332002000200017
NLM
Laureto E, Meneses EA, Carvalho Junior W, Bernussi AA, Ribeiro E, Silva ECF da, Oliveira JBB de. Optical studies of the correlation between interface disorder and the photoluminescence line shape in GaAs/InGaP quantum wells [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 314-317.[citado 2025 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200017
Vancouver
Laureto E, Meneses EA, Carvalho Junior W, Bernussi AA, Ribeiro E, Silva ECF da, Oliveira JBB de. Optical studies of the correlation between interface disorder and the photoluminescence line shape in GaAs/InGaP quantum wells [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 314-317.[citado 2025 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200017
Artigo de periodico
Optical and structural properties of low temperature 'GA''AS' layers grown by molecular beam epitaxy (1994)
Bernussi, A A; Souza, C F; Carvalho, W.; Lubyshev, D I; Rossi, J C; Basmaji, Pierre
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
BERNUSSI, A A et al. Optical and structural properties of low temperature 'GA''AS' layers grown by molecular beam epitaxy. Brazilian Journal of Physics, v. 24, n. 1 , p. 460-5, 1994Tradução . . Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Bernussi, A. A., Souza, C. F., Carvalho, W., Lubyshev, D. I., Rossi, J. C., & Basmaji, P. (1994). Optical and structural properties of low temperature 'GA''AS' layers grown by molecular beam epitaxy. Brazilian Journal of Physics, 24( 1 ), 460-5.
NLM
Bernussi AA, Souza CF, Carvalho W, Lubyshev DI, Rossi JC, Basmaji P. Optical and structural properties of low temperature 'GA''AS' layers grown by molecular beam epitaxy. Brazilian Journal of Physics. 1994 ;24( 1 ): 460-5.[citado 2025 nov. 01 ]
Vancouver
Bernussi AA, Souza CF, Carvalho W, Lubyshev DI, Rossi JC, Basmaji P. Optical and structural properties of low temperature 'GA''AS' layers grown by molecular beam epitaxy. Brazilian Journal of Physics. 1994 ;24( 1 ): 460-5.[citado 2025 nov. 01 ]
Artigo de periodico
Luminescence degradation and fatigue effects in porous silicon (1994)
Grivickas, V; Kolenda, J; Bernussi, A A; Matvienko, B; Basmaji, Pierre
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
GRIVICKAS, V et al. Luminescence degradation and fatigue effects in porous silicon. Brazilian Journal of Physics, v. 24, n. 1 , p. 349-52, 1994Tradução . . Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Grivickas, V., Kolenda, J., Bernussi, A. A., Matvienko, B., & Basmaji, P. (1994). Luminescence degradation and fatigue effects in porous silicon. Brazilian Journal of Physics, 24( 1 ), 349-52.
NLM
Grivickas V, Kolenda J, Bernussi AA, Matvienko B, Basmaji P. Luminescence degradation and fatigue effects in porous silicon. Brazilian Journal of Physics. 1994 ;24( 1 ): 349-52.[citado 2025 nov. 01 ]
Vancouver
Grivickas V, Kolenda J, Bernussi AA, Matvienko B, Basmaji P. Luminescence degradation and fatigue effects in porous silicon. Brazilian Journal of Physics. 1994 ;24( 1 ): 349-52.[citado 2025 nov. 01 ]
Trabalho de evento-resumo
Ions incorporation and exchange effects in porous silicon (1993)
Matvienko, B; Basmaji, Pierre; Grivickas, V; Bernussi, A A
Source: Abstracts. Conference titles: Brazilian School of Semiconductor Physics. Unidade: IFQSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, FÍSICO-QUÍMICA
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ABNT
MATVIENKO, B et al. Ions incorporation and exchange effects in porous silicon. 1993, Anais.. Sao Carlos: Usp/Ufscar, 1993. . Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Matvienko, B., Basmaji, P., Grivickas, V., & Bernussi, A. A. (1993). Ions incorporation and exchange effects in porous silicon. In Abstracts. Sao Carlos: Usp/Ufscar.
NLM
Matvienko B, Basmaji P, Grivickas V, Bernussi AA. Ions incorporation and exchange effects in porous silicon. Abstracts. 1993 ;[citado 2025 nov. 01 ]
Vancouver
Matvienko B, Basmaji P, Grivickas V, Bernussi AA. Ions incorporation and exchange effects in porous silicon. Abstracts. 1993 ;[citado 2025 nov. 01 ]
Trabalho de evento-resumo
Optical and structural properties of low temperature 'GA''AS' layers grown by molecular beam epitaxy (1993)
Bernussi, A A; Souza, C F; Carvalho, W.; Lubyshev, D I; Rossi, J C; Basmaji, Pierre
Source: Abstracts. Conference titles: Brazilian School of Semiconductor Physics. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
BERNUSSI, A A et al. Optical and structural properties of low temperature 'GA''AS' layers grown by molecular beam epitaxy. 1993, Anais.. Sao Carlos: Usp/Ufscar, 1993. . Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Bernussi, A. A., Souza, C. F., Carvalho, W., Lubyshev, D. I., Rossi, J. C., & Basmaji, P. (1993). Optical and structural properties of low temperature 'GA''AS' layers grown by molecular beam epitaxy. In Abstracts. Sao Carlos: Usp/Ufscar.
NLM
Bernussi AA, Souza CF, Carvalho W, Lubyshev DI, Rossi JC, Basmaji P. Optical and structural properties of low temperature 'GA''AS' layers grown by molecular beam epitaxy. Abstracts. 1993 ;[citado 2025 nov. 01 ]
Vancouver
Bernussi AA, Souza CF, Carvalho W, Lubyshev DI, Rossi JC, Basmaji P. Optical and structural properties of low temperature 'GA''AS' layers grown by molecular beam epitaxy. Abstracts. 1993 ;[citado 2025 nov. 01 ]
Trabalho de evento-resumo
Propriedades opticas e eletricas de silicio poroso (1993)
Basmaji, Pierre; Rossi, J C; Grivickas, V; Surdutovich, G; Vitlina, R; Kolenda, J; Matvienko, B; Bernussi, A A
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS), MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
BASMAJI, Pierre et al. Propriedades opticas e eletricas de silicio poroso. 1993, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1993. . Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Basmaji, P., Rossi, J. C., Grivickas, V., Surdutovich, G., Vitlina, R., Kolenda, J., et al. (1993). Propriedades opticas e eletricas de silicio poroso. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Basmaji P, Rossi JC, Grivickas V, Surdutovich G, Vitlina R, Kolenda J, Matvienko B, Bernussi AA. Propriedades opticas e eletricas de silicio poroso. Programa e Resumos. 1993 ;[citado 2025 nov. 01 ]
Vancouver
Basmaji P, Rossi JC, Grivickas V, Surdutovich G, Vitlina R, Kolenda J, Matvienko B, Bernussi AA. Propriedades opticas e eletricas de silicio poroso. Programa e Resumos. 1993 ;[citado 2025 nov. 01 ]
Trabalho de evento-resumo
Estudo da estabilidade da intensidade de fotoluminescencia em camadas de silico poroso (1993)
Bernussi, A A; Basmaji, Pierre; Rossi, J C; Matvienko, B
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
BERNUSSI, A A et al. Estudo da estabilidade da intensidade de fotoluminescencia em camadas de silico poroso. 1993, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1993. . Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Bernussi, A. A., Basmaji, P., Rossi, J. C., & Matvienko, B. (1993). Estudo da estabilidade da intensidade de fotoluminescencia em camadas de silico poroso. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Bernussi AA, Basmaji P, Rossi JC, Matvienko B. Estudo da estabilidade da intensidade de fotoluminescencia em camadas de silico poroso. Programa e Resumos. 1993 ;[citado 2025 nov. 01 ]
Vancouver
Bernussi AA, Basmaji P, Rossi JC, Matvienko B. Estudo da estabilidade da intensidade de fotoluminescencia em camadas de silico poroso. Programa e Resumos. 1993 ;[citado 2025 nov. 01 ]
Trabalho de evento-resumo
Medidas de fotoreflectancia em 'DELTA'-doping (1991)
Novellino, R A; Motisuke, P; Bernussi, A A; Basmaji, Pierre
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
NOVELLINO, R A et al. Medidas de fotoreflectancia em 'DELTA'-doping. 1991, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1991. . Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Novellino, R. A., Motisuke, P., Bernussi, A. A., & Basmaji, P. (1991). Medidas de fotoreflectancia em 'DELTA'-doping. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Novellino RA, Motisuke P, Bernussi AA, Basmaji P. Medidas de fotoreflectancia em 'DELTA'-doping. Programa e Resumos. 1991 ;[citado 2025 nov. 01 ]
Vancouver
Novellino RA, Motisuke P, Bernussi AA, Basmaji P. Medidas de fotoreflectancia em 'DELTA'-doping. Programa e Resumos. 1991 ;[citado 2025 nov. 01 ]
Artigo de periodico
Properties of 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' with an 'AL''AS' buffer layer on 'SI' substrates grown by metalorganic vapor phase epitaxy (1991)
Bernussi, A A; Iikawa, F; Motisuke, P; Basmaji, Pierre
Source: Journal of Crystal Growth. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERNUSSI, A A et al. Properties of 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' with an 'AL''AS' buffer layer on 'SI' substrates grown by metalorganic vapor phase epitaxy. Journal of Crystal Growth, v. 108, p. 615-20, 1991Tradução . . Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Bernussi, A. A., Iikawa, F., Motisuke, P., & Basmaji, P. (1991). Properties of 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' with an 'AL''AS' buffer layer on 'SI' substrates grown by metalorganic vapor phase epitaxy. Journal of Crystal Growth, 108, 615-20.
NLM
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P. Properties of 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' with an 'AL''AS' buffer layer on 'SI' substrates grown by metalorganic vapor phase epitaxy. Journal of Crystal Growth. 1991 ;108 615-20.[citado 2025 nov. 01 ]
Vancouver
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P. Properties of 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' with an 'AL''AS' buffer layer on 'SI' substrates grown by metalorganic vapor phase epitaxy. Journal of Crystal Growth. 1991 ;108 615-20.[citado 2025 nov. 01 ]
Trabalho de evento-resumo
Propriedades opticas e eletricas de 'DELTA' doped em 'GA''AS' crescido por epitaxia por feixes moleculares (1991)
Notari, A C; Bernussi, A A; Schrappe, B; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS), MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NOTARI, A C et al. Propriedades opticas e eletricas de 'DELTA' doped em 'GA''AS' crescido por epitaxia por feixes moleculares. 1991, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1991. . Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Notari, A. C., Bernussi, A. A., Schrappe, B., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1991). Propriedades opticas e eletricas de 'DELTA' doped em 'GA''AS' crescido por epitaxia por feixes moleculares. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Notari AC, Bernussi AA, Schrappe B, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Propriedades opticas e eletricas de 'DELTA' doped em 'GA''AS' crescido por epitaxia por feixes moleculares. Programa e Resumos. 1991 ;[citado 2025 nov. 01 ]
Vancouver
Notari AC, Bernussi AA, Schrappe B, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Propriedades opticas e eletricas de 'DELTA' doped em 'GA''AS' crescido por epitaxia por feixes moleculares. Programa e Resumos. 1991 ;[citado 2025 nov. 01 ]
Trabalho de evento
Photoreflectance of 2-d electron gas: observation of quantum franz-keldysh effect? (1990)
Bernussi, A A; Mendonca, C A C; Motisuke, P; Meneses, E A; Cerdeira, P; Pollak, F H; Basmaji, Pierre; Dias, I. F. L.
Source: Proceedings. Conference titles: International Conference of the Physics of Semiconductors. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERNUSSI, A A et al. Photoreflectance of 2-d electron gas: observation of quantum franz-keldysh effect? 1990, Anais.. Singapore: World Scientific, 1990. . Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Bernussi, A. A., Mendonca, C. A. C., Motisuke, P., Meneses, E. A., Cerdeira, P., Pollak, F. H., et al. (1990). Photoreflectance of 2-d electron gas: observation of quantum franz-keldysh effect? In Proceedings. Singapore: World Scientific.
NLM
Bernussi AA, Mendonca CAC, Motisuke P, Meneses EA, Cerdeira P, Pollak FH, Basmaji P, Dias IFL. Photoreflectance of 2-d electron gas: observation of quantum franz-keldysh effect? Proceedings. 1990 ;[citado 2025 nov. 01 ]
Vancouver
Bernussi AA, Mendonca CAC, Motisuke P, Meneses EA, Cerdeira P, Pollak FH, Basmaji P, Dias IFL. Photoreflectance of 2-d electron gas: observation of quantum franz-keldysh effect? Proceedings. 1990 ;[citado 2025 nov. 01 ]
Artigo de periodico
Optical interband transitions in single and periodically delta-doped 'GA''AS' samples (1990)
Bernussi, A A; Brum, J A; Motisuke, P; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar
Source: Materials Science Forum. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERNUSSI, A A et al. Optical interband transitions in single and periodically delta-doped 'GA''AS' samples. Materials Science Forum, v. 65-6, p. 67-72, 1990Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.65-66.67. Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Bernussi, A. A., Brum, J. A., Motisuke, P., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Optical interband transitions in single and periodically delta-doped 'GA''AS' samples. Materials Science Forum, 65-6, 67-72. doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.65-66.67
NLM
Bernussi AA, Brum JA, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Optical interband transitions in single and periodically delta-doped 'GA''AS' samples [Internet]. Materials Science Forum. 1990 ;65-6 67-72.[citado 2025 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.65-66.67
Vancouver
Bernussi AA, Brum JA, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Optical interband transitions in single and periodically delta-doped 'GA''AS' samples [Internet]. Materials Science Forum. 1990 ;65-6 67-72.[citado 2025 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.65-66.67
Artigo de periodico
Photoreflectance measurements on 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' samples grown by molecular-beam epitaxy (1990)
Bernussi, A A; Iikawa, F; Motisuke, P; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERNUSSI, A A et al. Photoreflectance measurements on 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' samples grown by molecular-beam epitaxy. Journal of Applied Physics, v. 67, n. 9 , p. 4149-51, 1990Tradução . . Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Bernussi, A. A., Iikawa, F., Motisuke, P., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Photoreflectance measurements on 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' samples grown by molecular-beam epitaxy. Journal of Applied Physics, 67( 9 ), 4149-51.
NLM
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance measurements on 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' samples grown by molecular-beam epitaxy. Journal of Applied Physics. 1990 ;67( 9 ): 4149-51.[citado 2025 nov. 01 ]
Vancouver
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance measurements on 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' samples grown by molecular-beam epitaxy. Journal of Applied Physics. 1990 ;67( 9 ): 4149-51.[citado 2025 nov. 01 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Photoreflectance spectra of periodically 'DELTA'-doped 'SI': 'GA''AS' (1990)
Basmaji, Pierre; Notari, A C; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar; Bernussi, A A; Motisuke, P
Source: Bulletin of the American Physical Society. Conference titles: March Meeting. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BASMAJI, Pierre et al. Photoreflectance spectra of periodically 'DELTA'-doped 'SI': 'GA''AS'. Bulletin of the American Physical Society. [S.l.]: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2caae918-1c1a-414b-9042-d60a4516df29/PROD000243_816630.pdf. Acesso em: 01 nov. 2025. , 1990
APA
Basmaji, P., Notari, A. C., Siu Li, M., Hipólito, O., Bernussi, A. A., & Motisuke, P. (1990). Photoreflectance spectra of periodically 'DELTA'-doped 'SI': 'GA''AS'. Bulletin of the American Physical Society. Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/2caae918-1c1a-414b-9042-d60a4516df29/PROD000243_816630.pdf
NLM
Basmaji P, Notari AC, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Motisuke P. Photoreflectance spectra of periodically 'DELTA'-doped 'SI': 'GA''AS' [Internet]. Bulletin of the American Physical Society. 1990 ;35( 3 ): 346.[citado 2025 nov. 01 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2caae918-1c1a-414b-9042-d60a4516df29/PROD000243_816630.pdf
Vancouver
Basmaji P, Notari AC, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Motisuke P. Photoreflectance spectra of periodically 'DELTA'-doped 'SI': 'GA''AS' [Internet]. Bulletin of the American Physical Society. 1990 ;35( 3 ): 346.[citado 2025 nov. 01 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2caae918-1c1a-414b-9042-d60a4516df29/PROD000243_816630.pdf
Artigo de periodico
Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI' (1990)
Basmaji, Pierre; Ceschin, A M; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar; Bernussi, A A; Iikawa, F; Motisuke, P
Source: Surface Science. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BASMAJI, Pierre et al. Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. Surface Science, v. 228, p. 356-8, 1990Tradução . . Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Basmaji, P., Ceschin, A. M., Siu Li, M., Hipólito, O., Bernussi, A. A., Iikawa, F., & Motisuke, P. (1990). Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. Surface Science, 228, 356-8.
NLM
Basmaji P, Ceschin AM, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P. Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. Surface Science. 1990 ;228 356-8.[citado 2025 nov. 01 ]
Vancouver
Basmaji P, Ceschin AM, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P. Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. Surface Science. 1990 ;228 356-8.[citado 2025 nov. 01 ]
Artigo de periodico
Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers (1990)
Bernussi, A A; Brum, J A; Motisuke, P; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar
Source: Superlattices and Microstructures. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERNUSSI, A A et al. Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers. Superlattices and Microstructures, v. 8 , n. 2 , p. 205-8, 1990Tradução . . Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Bernussi, A. A., Brum, J. A., Motisuke, P., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers. Superlattices and Microstructures, 8 ( 2 ), 205-8.
NLM
Bernussi AA, Brum JA, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers. Superlattices and Microstructures. 1990 ;8 ( 2 ): 205-8.[citado 2025 nov. 01 ]
Vancouver
Bernussi AA, Brum JA, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers. Superlattices and Microstructures. 1990 ;8 ( 2 ): 205-8.[citado 2025 nov. 01 ]
Trabalho de evento-resumo
Analise da estrutura de sub-bandas em camadas de 'GA''AS' com dopagem planar (1990)
Bernussi, A A; Brum, J A; Basmaji, Pierre; Motisuke, P
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERNUSSI, A A et al. Analise da estrutura de sub-bandas em camadas de 'GA''AS' com dopagem planar. 1990, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1990. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/901307de-8202-457f-819f-7843ba0d475b/PROD000113_816640.pdf. Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Bernussi, A. A., Brum, J. A., Basmaji, P., & Motisuke, P. (1990). Analise da estrutura de sub-bandas em camadas de 'GA''AS' com dopagem planar. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/901307de-8202-457f-819f-7843ba0d475b/PROD000113_816640.pdf
NLM
Bernussi AA, Brum JA, Basmaji P, Motisuke P. Analise da estrutura de sub-bandas em camadas de 'GA''AS' com dopagem planar [Internet]. Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2025 nov. 01 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/901307de-8202-457f-819f-7843ba0d475b/PROD000113_816640.pdf
Vancouver
Bernussi AA, Brum JA, Basmaji P, Motisuke P. Analise da estrutura de sub-bandas em camadas de 'GA''AS' com dopagem planar [Internet]. Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2025 nov. 01 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/901307de-8202-457f-819f-7843ba0d475b/PROD000113_816640.pdf
Trabalho de evento
Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI' (1989)
Basmaji, Pierre; Ceschin, A M; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar; Bernussi, A A; Iikawa, F; Motisuke, P
Source: Proceedings. Conference titles: International Conference on Modulated Semiconductor Structures. Unidade: IFQSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
BASMAJI, Pierre et al. Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. 1989, Anais.. Ann Arbor: , Universidade de São Paulo, 1989. . Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Basmaji, P., Ceschin, A. M., Siu Li, M., Hipólito, O., Bernussi, A. A., Iikawa, F., & Motisuke, P. (1989). Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. In Proceedings. Ann Arbor: , Universidade de São Paulo.
NLM
Basmaji P, Ceschin AM, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P. Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. Proceedings. 1989 ;[citado 2025 nov. 01 ]
Vancouver
Basmaji P, Ceschin AM, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P. Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. Proceedings. 1989 ;[citado 2025 nov. 01 ]
Trabalho de evento-resumo
Photoreflectance spectroscopy on periodically 'SI' delta-doped 'GA' 'AS' (1989)
Bernussi, A A; Motisuke, P; Basmaji, Pierre; Notari, A C; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar
Source: Program and Abstracts. Conference titles: Conference on Superlattices, Quantum Wells, and Mbe Technology. Unidade: IFSC
Subjects: FOTÔNICA, ESPECTROSCOPIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERNUSSI, A A et al. Photoreflectance spectroscopy on periodically 'SI' delta-doped 'GA' 'AS'. 1989, Anais.. Brasília: Universidade de Brasilia, 1989. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2b67e2ca-d6a0-4290-92d4-29e5ed853a58/PROD000354_799935.pdf. Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Bernussi, A. A., Motisuke, P., Basmaji, P., Notari, A. C., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1989). Photoreflectance spectroscopy on periodically 'SI' delta-doped 'GA' 'AS'. In Program and Abstracts. Brasília: Universidade de Brasilia. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/2b67e2ca-d6a0-4290-92d4-29e5ed853a58/PROD000354_799935.pdf
NLM
Bernussi AA, Motisuke P, Basmaji P, Notari AC, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance spectroscopy on periodically 'SI' delta-doped 'GA' 'AS' [Internet]. Program and Abstracts. 1989 ;[citado 2025 nov. 01 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2b67e2ca-d6a0-4290-92d4-29e5ed853a58/PROD000354_799935.pdf
Vancouver
Bernussi AA, Motisuke P, Basmaji P, Notari AC, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance spectroscopy on periodically 'SI' delta-doped 'GA' 'AS' [Internet]. Program and Abstracts. 1989 ;[citado 2025 nov. 01 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2b67e2ca-d6a0-4290-92d4-29e5ed853a58/PROD000354_799935.pdf

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