ReP USP - Resultado da busca

Parte de monografia/livro
Microscopic structure of group-iii acceptor-hidrogen complexes in crystalline silicon (1988)
Leite, J. R.; Assali, L. V. C. ; Silva, E C F; Baumvol, I J R
Fonte: Physics of Semiconductors. Unidade: IF
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ABNT
LEITE, J. R. et al. Microscopic structure of group-iii acceptor-hidrogen complexes in crystalline silicon. Physics of Semiconductors. Tradução . Warsaw: Institute of Physics, 1988. . . Acesso em: 14 jun. 2024.
APA
Leite, J. R., Assali, L. V. C., Silva, E. C. F., & Baumvol, I. J. R. (1988). Microscopic structure of group-iii acceptor-hidrogen complexes in crystalline silicon. In Physics of Semiconductors. Warsaw: Institute of Physics.
NLM
Leite JR, Assali LVC, Silva ECF, Baumvol IJR. Microscopic structure of group-iii acceptor-hidrogen complexes in crystalline silicon. In: Physics of Semiconductors. Warsaw: Institute of Physics; 1988. [citado 2024 jun. 14 ]
Vancouver
Leite JR, Assali LVC, Silva ECF, Baumvol IJR. Microscopic structure of group-iii acceptor-hidrogen complexes in crystalline silicon. In: Physics of Semiconductors. Warsaw: Institute of Physics; 1988. [citado 2024 jun. 14 ]
Trabalho de evento-resumo
Estrutura eletronica do complexo 'MN IND.4' em silicio (1988)
Lino, A T; Assali, L. V. C. ; Gomes, V M S; Leite, J. R.
Fonte: Programa e Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
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ABNT
LINO, A T et al. Estrutura eletronica do complexo 'MN IND.4' em silicio. 1988, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1988. . Acesso em: 14 jun. 2024.
APA
Lino, A. T., Assali, L. V. C., Gomes, V. M. S., & Leite, J. R. (1988). Estrutura eletronica do complexo 'MN IND.4' em silicio. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Lino AT, Assali LVC, Gomes VMS, Leite JR. Estrutura eletronica do complexo 'MN IND.4' em silicio. Programa e Resumos. 1988 ;[citado 2024 jun. 14 ]
Vancouver
Lino AT, Assali LVC, Gomes VMS, Leite JR. Estrutura eletronica do complexo 'MN IND.4' em silicio. Programa e Resumos. 1988 ;[citado 2024 jun. 14 ]
Trabalho de evento-resumo
Estrutura microscopica dos complexos aceitadores do grupo iii - hidrogenio em silicio (1988)
Assali, L. V. C. ; Silva, E C F; Leite, J. R.; Dal Pino Junior, A
Fonte: Programa e Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
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ABNT
ASSALI, L. V. C. et al. Estrutura microscopica dos complexos aceitadores do grupo iii - hidrogenio em silicio. 1988, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1988. . Acesso em: 14 jun. 2024.
APA
Assali, L. V. C., Silva, E. C. F., Leite, J. R., & Dal Pino Junior, A. (1988). Estrutura microscopica dos complexos aceitadores do grupo iii - hidrogenio em silicio. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Assali LVC, Silva ECF, Leite JR, Dal Pino Junior A. Estrutura microscopica dos complexos aceitadores do grupo iii - hidrogenio em silicio. Programa e Resumos. 1988 ;[citado 2024 jun. 14 ]
Vancouver
Assali LVC, Silva ECF, Leite JR, Dal Pino Junior A. Estrutura microscopica dos complexos aceitadores do grupo iii - hidrogenio em silicio. Programa e Resumos. 1988 ;[citado 2024 jun. 14 ]
Trabalho de evento-resumo
Estrutura eletronica de pares impureza do grupo iv - hidrogenio em silicio (1988)
Gomes, V M S; Assali, L. V. C. ; Leite, J. R.
Fonte: Programa e Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
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ABNT
GOMES, V M S e ASSALI, L. V. C. e LEITE, J. R. Estrutura eletronica de pares impureza do grupo iv - hidrogenio em silicio. 1988, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1988. . Acesso em: 14 jun. 2024.
APA
Gomes, V. M. S., Assali, L. V. C., & Leite, J. R. (1988). Estrutura eletronica de pares impureza do grupo iv - hidrogenio em silicio. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Gomes VMS, Assali LVC, Leite JR. Estrutura eletronica de pares impureza do grupo iv - hidrogenio em silicio. Programa e Resumos. 1988 ;[citado 2024 jun. 14 ]
Vancouver
Gomes VMS, Assali LVC, Leite JR. Estrutura eletronica de pares impureza do grupo iv - hidrogenio em silicio. Programa e Resumos. 1988 ;[citado 2024 jun. 14 ]
Artigo de periodico
Electronic structure of complex defects in silicon (1988)
Leite, J. R.; Assali, L. V. C. ; Gomes, V M S
Fonte: Lec Notes in Phys. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
LEITE, J. R. e ASSALI, L. V. C. e GOMES, V M S. Electronic structure of complex defects in silicon. Lec Notes in Phys, v. 301, p. 75-94, 1988Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1007/bfb0034418. Acesso em: 14 jun. 2024.
APA
Leite, J. R., Assali, L. V. C., & Gomes, V. M. S. (1988). Electronic structure of complex defects in silicon. Lec Notes in Phys, 301, 75-94. doi:10.1007/bfb0034418
NLM
Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Electronic structure of complex defects in silicon [Internet]. Lec Notes in Phys. 1988 ;301 75-94.[citado 2024 jun. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1007/bfb0034418
Vancouver
Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Electronic structure of complex defects in silicon [Internet]. Lec Notes in Phys. 1988 ;301 75-94.[citado 2024 jun. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1007/bfb0034418
Parte de monografia/livro
Chemical trends in electronic properties of gold-3d transition metal pair complex in silicon (1988)
Assali, L. V. C. ; Leite, J. R.
Fonte: Current Topics on Semiconductor Physics. Unidade: IF
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ABNT
ASSALI, L. V. C. e LEITE, J. R. Chemical trends in electronic properties of gold-3d transition metal pair complex in silicon. Current Topics on Semiconductor Physics. Tradução . Singapore: World Scientific, 1988. . . Acesso em: 14 jun. 2024.
APA
Assali, L. V. C., & Leite, J. R. (1988). Chemical trends in electronic properties of gold-3d transition metal pair complex in silicon. In Current Topics on Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific.
NLM
Assali LVC, Leite JR. Chemical trends in electronic properties of gold-3d transition metal pair complex in silicon. In: Current Topics on Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific; 1988. [citado 2024 jun. 14 ]
Vancouver
Assali LVC, Leite JR. Chemical trends in electronic properties of gold-3d transition metal pair complex in silicon. In: Current Topics on Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific; 1988. [citado 2024 jun. 14 ]
Trabalho de evento-resumo
Chemical trends in electronic properties of gold-3d transition metal pair complex in silicon (1988)
Assali, L. V. C. ; Leite, J. R.
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Escola Brasileira de Fisica de Semicondutores. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, L. V. C. e LEITE, J. R. Chemical trends in electronic properties of gold-3d transition metal pair complex in silicon. 1988, Anais.. Singapore: World Scientific, 1988. . Acesso em: 14 jun. 2024.
APA
Assali, L. V. C., & Leite, J. R. (1988). Chemical trends in electronic properties of gold-3d transition metal pair complex in silicon. In Proceedings. Singapore: World Scientific.
NLM
Assali LVC, Leite JR. Chemical trends in electronic properties of gold-3d transition metal pair complex in silicon. Proceedings. 1988 ;[citado 2024 jun. 14 ]
Vancouver
Assali LVC, Leite JR. Chemical trends in electronic properties of gold-3d transition metal pair complex in silicon. Proceedings. 1988 ;[citado 2024 jun. 14 ]
Parte de monografia/livro
Microscopic model for the vibrational modes associated to the 'B IND.S''H IND.I' complex in si (1988)
Silva, E C F; Assali, L. V. C. ; Leite, J. R.; Dal Pino Junior, A
Fonte: Current Topics on Semiconductor Physics. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, E C F et al. Microscopic model for the vibrational modes associated to the 'B IND.S''H IND.I' complex in si. Current Topics on Semiconductor Physics. Tradução . Singapore: World Scientific, 1988. . . Acesso em: 14 jun. 2024.
APA
Silva, E. C. F., Assali, L. V. C., Leite, J. R., & Dal Pino Junior, A. (1988). Microscopic model for the vibrational modes associated to the 'B IND.S''H IND.I' complex in si. In Current Topics on Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific.
NLM
Silva ECF, Assali LVC, Leite JR, Dal Pino Junior A. Microscopic model for the vibrational modes associated to the 'B IND.S''H IND.I' complex in si. In: Current Topics on Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific; 1988. [citado 2024 jun. 14 ]
Vancouver
Silva ECF, Assali LVC, Leite JR, Dal Pino Junior A. Microscopic model for the vibrational modes associated to the 'B IND.S''H IND.I' complex in si. In: Current Topics on Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific; 1988. [citado 2024 jun. 14 ]
Artigo de periodico
Vibrational-mode theory of acceptor- hydrogen complexes in silicon (1988)
Silva, E C F; Assali, L. V. C. ; Leite, J. R.; Dal Pino Junior, A
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assuntos: HIDROGÊNIO, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, E C F et al. Vibrational-mode theory of acceptor- hydrogen complexes in silicon. Physical Review B, v. 37, n. 6 , p. 3113-6, 1988Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.37.3113. Acesso em: 14 jun. 2024.
APA
Silva, E. C. F., Assali, L. V. C., Leite, J. R., & Dal Pino Junior, A. (1988). Vibrational-mode theory of acceptor- hydrogen complexes in silicon. Physical Review B, 37( 6 ), 3113-6. doi:10.1103/physrevb.37.3113
NLM
Silva ECF, Assali LVC, Leite JR, Dal Pino Junior A. Vibrational-mode theory of acceptor- hydrogen complexes in silicon [Internet]. Physical Review B. 1988 ;37( 6 ): 3113-6.[citado 2024 jun. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.37.3113
Vancouver
Silva ECF, Assali LVC, Leite JR, Dal Pino Junior A. Vibrational-mode theory of acceptor- hydrogen complexes in silicon [Internet]. Physical Review B. 1988 ;37( 6 ): 3113-6.[citado 2024 jun. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.37.3113

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