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Artigo de periodico
Atomic and electronic structures of 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N quantum dots (2003)
Oliveira, C de; Alves, J L A; Alves, H W L; Nogueira, R A; Leite, J. R.
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, ESTRUTURA ATÔMICA (FÍSICA MODERNA)
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ABNT
OLIVEIRA, C de et al. Atomic and electronic structures of 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N quantum dots. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5-8, p. 725-727, 2003Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1. Acesso em: 08 jun. 2024.
APA
Oliveira, C. de, Alves, J. L. A., Alves, H. W. L., Nogueira, R. A., & Leite, J. R. (2003). Atomic and electronic structures of 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N quantum dots. Microelectronics Journal, 34( 5-8), 725-727. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
NLM
Oliveira C de, Alves JLA, Alves HWL, Nogueira RA, Leite JR. Atomic and electronic structures of 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N quantum dots [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 725-727.[citado 2024 jun. 08 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
Vancouver
Oliveira C de, Alves JLA, Alves HWL, Nogueira RA, Leite JR. Atomic and electronic structures of 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N quantum dots [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 725-727.[citado 2024 jun. 08 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
Artigo de periodico
Dynamical and thermodynamic properties of III-nitrides (2003)
Pereira, L S; Santos, A M; Alves, J L A; Alves, H W L; Leite, J. R.
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Subjects: TERMODINÂMICA, CALOR ESPECÍFICO
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ABNT
PEREIRA, L S et al. Dynamical and thermodynamic properties of III-nitrides. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5-8, p. 655-657, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00088-0. Acesso em: 08 jun. 2024.
APA
Pereira, L. S., Santos, A. M., Alves, J. L. A., Alves, H. W. L., & Leite, J. R. (2003). Dynamical and thermodynamic properties of III-nitrides. Microelectronics Journal, 34( 5-8), 655-657. doi:10.1016/s0026-2692(03)00088-0
NLM
Pereira LS, Santos AM, Alves JLA, Alves HWL, Leite JR. Dynamical and thermodynamic properties of III-nitrides [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 655-657.[citado 2024 jun. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00088-0
Vancouver
Pereira LS, Santos AM, Alves JLA, Alves HWL, Leite JR. Dynamical and thermodynamic properties of III-nitrides [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 655-657.[citado 2024 jun. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00088-0
Artigo de periodico
Theoretical study of the 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N alloys (2002)
Paiva, R de; Alves, J L A; Nogueira, R A; Oliveira, C de; Alves, H W L; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Materials Science and Engineering B. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
PAIVA, R de et al. Theoretical study of the 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N alloys. Materials Science and Engineering B, v. 93, n. 1-3, p. p 2-5, 2002Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5589&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=0e0a80acf3a4a011f94b8bacbc1c1908. Acesso em: 08 jun. 2024.
APA
Paiva, R. de, Alves, J. L. A., Nogueira, R. A., Oliveira, C. de, Alves, H. W. L., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2002). Theoretical study of the 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N alloys. Materials Science and Engineering B, 93( 1-3), p 2-5. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5589&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=0e0a80acf3a4a011f94b8bacbc1c1908
NLM
Paiva R de, Alves JLA, Nogueira RA, Oliveira C de, Alves HWL, Scolfaro LMR, Leite JR. Theoretical study of the 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N alloys [Internet]. Materials Science and Engineering B. 2002 ; 93( 1-3): p 2-5.[citado 2024 jun. 08 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5589&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=0e0a80acf3a4a011f94b8bacbc1c1908
Vancouver
Paiva R de, Alves JLA, Nogueira RA, Oliveira C de, Alves HWL, Scolfaro LMR, Leite JR. Theoretical study of the 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N alloys [Internet]. Materials Science and Engineering B. 2002 ; 93( 1-3): p 2-5.[citado 2024 jun. 08 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5589&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=0e0a80acf3a4a011f94b8bacbc1c1908
Artigo de periodico
Vibrational properties of cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N and 'In IND.X' 'Ga IND.1-X'N ternary alloys (2002)
Santos, A M; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Noriega, O C; Alves, H W L; Alves, J L A; Leite, J. R.
Source: Physica Status Solidi B. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
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ABNT
SANTOS, A M et al. Vibrational properties of cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N and 'In IND.X' 'Ga IND.1-X'N ternary alloys. Physica Status Solidi B, v. 232, n. 1, p. 182-187, 2002Tradução . . Disponível em: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=94517970&PLACEBO=IE.pdf. Acesso em: 08 jun. 2024.
APA
Santos, A. M., Silva, E. C. F. da, Noriega, O. C., Alves, H. W. L., Alves, J. L. A., & Leite, J. R. (2002). Vibrational properties of cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N and 'In IND.X' 'Ga IND.1-X'N ternary alloys. Physica Status Solidi B, 232( 1), 182-187. Recuperado de http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=94517970&PLACEBO=IE.pdf
NLM
Santos AM, Silva ECF da, Noriega OC, Alves HWL, Alves JLA, Leite JR. Vibrational properties of cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N and 'In IND.X' 'Ga IND.1-X'N ternary alloys [Internet]. Physica Status Solidi B. 2002 ; 232( 1): 182-187.[citado 2024 jun. 08 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=94517970&PLACEBO=IE.pdf
Vancouver
Santos AM, Silva ECF da, Noriega OC, Alves HWL, Alves JLA, Leite JR. Vibrational properties of cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N and 'In IND.X' 'Ga IND.1-X'N ternary alloys [Internet]. Physica Status Solidi B. 2002 ; 232( 1): 182-187.[citado 2024 jun. 08 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=94517970&PLACEBO=IE.pdf
Trabalho de evento-resumo
Estudo teórico das ligas 'Ga IND.1-X' 'Al INDX' 'N' e 'Al IND.1-X' 'B IND.X' 'N' (2001)
Paiva, R de; Nogueira, R A; Oliveira, C de; Alves, J L A; Alves, H W L; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
PAIVA, R de et al. Estudo teórico das ligas 'Ga IND.1-X' 'Al INDX' 'N' e 'Al IND.1-X' 'B IND.X' 'N'. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 08 jun. 2024.
APA
Paiva, R. de, Nogueira, R. A., Oliveira, C. de, Alves, J. L. A., Alves, H. W. L., Leite, J. R., & Scolfaro, L. M. R. (2001). Estudo teórico das ligas 'Ga IND.1-X' 'Al INDX' 'N' e 'Al IND.1-X' 'B IND.X' 'N'. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Paiva R de, Nogueira RA, Oliveira C de, Alves JLA, Alves HWL, Leite JR, Scolfaro LMR. Estudo teórico das ligas 'Ga IND.1-X' 'Al INDX' 'N' e 'Al IND.1-X' 'B IND.X' 'N'. Resumos. 2001 ;[citado 2024 jun. 08 ]
Vancouver
Paiva R de, Nogueira RA, Oliveira C de, Alves JLA, Alves HWL, Leite JR, Scolfaro LMR. Estudo teórico das ligas 'Ga IND.1-X' 'Al INDX' 'N' e 'Al IND.1-X' 'B IND.X' 'N'. Resumos. 2001 ;[citado 2024 jun. 08 ]
Artigo de periodico
Electronic structure and stability of Be impurities in cubic boron nitride (1998)
Castineira, J L P; Leite, J. R.; Silva, Juarez Lopes Ferreira da ; Scolfaro, L M R; Alves, J L A; Alves, H W L
Source: Physica Status Solidi B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
CASTINEIRA, J L P et al. Electronic structure and stability of Be impurities in cubic boron nitride. Physica Status Solidi B, v. 210, n. 2, p. 401-405, 1998Tradução . . Acesso em: 08 jun. 2024.
APA
Castineira, J. L. P., Leite, J. R., Silva, J. L. F. da, Scolfaro, L. M. R., Alves, J. L. A., & Alves, H. W. L. (1998). Electronic structure and stability of Be impurities in cubic boron nitride. Physica Status Solidi B, 210( 2), 401-405.
NLM
Castineira JLP, Leite JR, Silva JLF da, Scolfaro LMR, Alves JLA, Alves HWL. Electronic structure and stability of Be impurities in cubic boron nitride. Physica Status Solidi B. 1998 ; 210( 2): 401-405.[citado 2024 jun. 08 ]
Vancouver
Castineira JLP, Leite JR, Silva JLF da, Scolfaro LMR, Alves JLA, Alves HWL. Electronic structure and stability of Be impurities in cubic boron nitride. Physica Status Solidi B. 1998 ; 210( 2): 401-405.[citado 2024 jun. 08 ]
Artigo de periodico
Atomic structure of the 'GaN(100, 110,111)' surfaces (1997)
Alves, J L A; Alves, H W L; Oliveira, C de; Valadao, R D S C; Leite, J. R.
Source: Materials Science and Engineering B. Unidade: IF
Subjects: ÁTOMOS, FISICA DOS MATERIAIS E MECANICA
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ABNT
ALVES, J L A et al. Atomic structure of the 'GaN(100, 110,111)' surfaces. Materials Science and Engineering B, v. 43, p. 288-291, 1997Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-5107(96)01869-7. Acesso em: 08 jun. 2024.
APA
Alves, J. L. A., Alves, H. W. L., Oliveira, C. de, Valadao, R. D. S. C., & Leite, J. R. (1997). Atomic structure of the 'GaN(100, 110,111)' surfaces. Materials Science and Engineering B, 43, 288-291. doi:10.1016/s0921-5107(96)01869-7
NLM
Alves JLA, Alves HWL, Oliveira C de, Valadao RDSC, Leite JR. Atomic structure of the 'GaN(100, 110,111)' surfaces [Internet]. Materials Science and Engineering B. 1997 ; 43 288-291.[citado 2024 jun. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-5107(96)01869-7
Vancouver
Alves JLA, Alves HWL, Oliveira C de, Valadao RDSC, Leite JR. Atomic structure of the 'GaN(100, 110,111)' surfaces [Internet]. Materials Science and Engineering B. 1997 ; 43 288-291.[citado 2024 jun. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-5107(96)01869-7
Trabalho de evento-resumo
Atomic and electronic structures of the gan (100, 110, 111) surfaces (1996)
Alves, J L A; Alves, H W L; Oliveira, C.; Valadao, R D S C; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALVES, J L A et al. Atomic and electronic structures of the gan (100, 110, 111) surfaces. 1996, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 08 jun. 2024.
APA
Alves, J. L. A., Alves, H. W. L., Oliveira, C., Valadao, R. D. S. C., & Leite, J. R. (1996). Atomic and electronic structures of the gan (100, 110, 111) surfaces. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Alves JLA, Alves HWL, Oliveira C, Valadao RDSC, Leite JR. Atomic and electronic structures of the gan (100, 110, 111) surfaces. Resumos. 1996 ;[citado 2024 jun. 08 ]
Vancouver
Alves JLA, Alves HWL, Oliveira C, Valadao RDSC, Leite JR. Atomic and electronic structures of the gan (100, 110, 111) surfaces. Resumos. 1996 ;[citado 2024 jun. 08 ]
Artigo de periodico
One-electron states induced by 3d transition metal impurities diamond (1992)
Alves, H W L; Alves, J L A; Leite, J. R.
Source: Materials Science Engineering B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALVES, H W L e ALVES, J L A e LEITE, J. R. One-electron states induced by 3d transition metal impurities diamond. Materials Science Engineering B, v. 11, p. 285-8, 1992Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0921-5107(92)90225-x. Acesso em: 08 jun. 2024.
APA
Alves, H. W. L., Alves, J. L. A., & Leite, J. R. (1992). One-electron states induced by 3d transition metal impurities diamond. Materials Science Engineering B, 11, 285-8. doi:10.1016/0921-5107(92)90225-x
NLM
Alves HWL, Alves JLA, Leite JR. One-electron states induced by 3d transition metal impurities diamond [Internet]. Materials Science Engineering B. 1992 ;11 285-8.[citado 2024 jun. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0921-5107(92)90225-x
Vancouver
Alves HWL, Alves JLA, Leite JR. One-electron states induced by 3d transition metal impurities diamond [Internet]. Materials Science Engineering B. 1992 ;11 285-8.[citado 2024 jun. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0921-5107(92)90225-x
Parte de monografia/livro
One-electron states induced by 3d-transition metal impurities in diamond (1992)
Alves, H W L; Alves, J L A; Leite, J. R.
Source: 3rd School on Instrumentation in Elementary Particle Physics. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALVES, H W L e ALVES, J L A e LEITE, J. R. One-electron states induced by 3d-transition metal impurities in diamond. 3rd School on Instrumentation in Elementary Particle Physics. Tradução . Singapore: World Scientific, 1992. . . Acesso em: 08 jun. 2024.
APA
Alves, H. W. L., Alves, J. L. A., & Leite, J. R. (1992). One-electron states induced by 3d-transition metal impurities in diamond. In 3rd School on Instrumentation in Elementary Particle Physics. Singapore: World Scientific.
NLM
Alves HWL, Alves JLA, Leite JR. One-electron states induced by 3d-transition metal impurities in diamond. In: 3rd School on Instrumentation in Elementary Particle Physics. Singapore: World Scientific; 1992. [citado 2024 jun. 08 ]
Vancouver
Alves HWL, Alves JLA, Leite JR. One-electron states induced by 3d-transition metal impurities in diamond. In: 3rd School on Instrumentation in Elementary Particle Physics. Singapore: World Scientific; 1992. [citado 2024 jun. 08 ]
Trabalho de evento-resumo
Self-consistent one-electron states of substitutional and interstitial 3d transition-atom impurities in diamond and germanium (1990)
Alves, H W L; Leite, J. R.; Alves, J L A
Conference titles: Brazilian School on Semiconductors Physics. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALVES, H W L e LEITE, J. R. e ALVES, J L A. Self-consistent one-electron states of substitutional and interstitial 3d transition-atom impurities in diamond and germanium. 1990, Anais.. Singapure: World Scientific, 1990. . Acesso em: 08 jun. 2024.
APA
Alves, H. W. L., Leite, J. R., & Alves, J. L. A. (1990). Self-consistent one-electron states of substitutional and interstitial 3d transition-atom impurities in diamond and germanium. In . Singapure: World Scientific.
NLM
Alves HWL, Leite JR, Alves JLA. Self-consistent one-electron states of substitutional and interstitial 3d transition-atom impurities in diamond and germanium. 1990 ;[citado 2024 jun. 08 ]
Vancouver
Alves HWL, Leite JR, Alves JLA. Self-consistent one-electron states of substitutional and interstitial 3d transition-atom impurities in diamond and germanium. 1990 ;[citado 2024 jun. 08 ]
Trabalho de evento-resumo
Estado eletronico do exciton de caroco 1s em diamante (1989)
Alves, H W L; Leite, J. R.; Chachan, H; Alves, J L A
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: DIAMANTE
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALVES, H W L et al. Estado eletronico do exciton de caroco 1s em diamante. 1989, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1989. . Acesso em: 08 jun. 2024.
APA
Alves, H. W. L., Leite, J. R., Chachan, H., & Alves, J. L. A. (1989). Estado eletronico do exciton de caroco 1s em diamante. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Alves HWL, Leite JR, Chachan H, Alves JLA. Estado eletronico do exciton de caroco 1s em diamante. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2024 jun. 08 ]
Vancouver
Alves HWL, Leite JR, Chachan H, Alves JLA. Estado eletronico do exciton de caroco 1s em diamante. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2024 jun. 08 ]
Parte de monografia/livro
Deep levels induced by 3d-transition metal impurities in diamond (1988)
Alves, H W L; Leite, J. R.; Alves, J L A
Source: Current Topics on Semiconductor Physics. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALVES, H W L e LEITE, J. R. e ALVES, J L A. Deep levels induced by 3d-transition metal impurities in diamond. Current Topics on Semiconductor Physics. Tradução . Singapore: World Scientific, 1988. . . Acesso em: 08 jun. 2024.
APA
Alves, H. W. L., Leite, J. R., & Alves, J. L. A. (1988). Deep levels induced by 3d-transition metal impurities in diamond. In Current Topics on Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific.
NLM
Alves HWL, Leite JR, Alves JLA. Deep levels induced by 3d-transition metal impurities in diamond. In: Current Topics on Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific; 1988. [citado 2024 jun. 08 ]
Vancouver
Alves HWL, Leite JR, Alves JLA. Deep levels induced by 3d-transition metal impurities in diamond. In: Current Topics on Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific; 1988. [citado 2024 jun. 08 ]
Trabalho de evento-resumo
Deep levels induced by 3d transition metal impurities in diamond (1988)
Alves, H W L; Leite, J. R.; Alves, J L A
Source: Proceedings. Conference titles: Escola Brasileira de Fisica de Semicondutores. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALVES, H W L e LEITE, J. R. e ALVES, J L A. Deep levels induced by 3d transition metal impurities in diamond. 1988, Anais.. Singapore: World Scientific, 1988. . Acesso em: 08 jun. 2024.
APA
Alves, H. W. L., Leite, J. R., & Alves, J. L. A. (1988). Deep levels induced by 3d transition metal impurities in diamond. In Proceedings. Singapore: World Scientific.
NLM
Alves HWL, Leite JR, Alves JLA. Deep levels induced by 3d transition metal impurities in diamond. Proceedings. 1988 ;[citado 2024 jun. 08 ]
Vancouver
Alves HWL, Leite JR, Alves JLA. Deep levels induced by 3d transition metal impurities in diamond. Proceedings. 1988 ;[citado 2024 jun. 08 ]
Trabalho de evento-resumo
Estrutura eletronica de impurezas de metais de transicao em diamante e germanio (1988)
Alves, H W L; Leite, J. R.; Alves, J L A
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALVES, H W L e LEITE, J. R. e ALVES, J L A. Estrutura eletronica de impurezas de metais de transicao em diamante e germanio. 1988, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1988. . Acesso em: 08 jun. 2024.
APA
Alves, H. W. L., Leite, J. R., & Alves, J. L. A. (1988). Estrutura eletronica de impurezas de metais de transicao em diamante e germanio. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Alves HWL, Leite JR, Alves JLA. Estrutura eletronica de impurezas de metais de transicao em diamante e germanio. Programa e Resumos. 1988 ;[citado 2024 jun. 08 ]
Vancouver
Alves HWL, Leite JR, Alves JLA. Estrutura eletronica de impurezas de metais de transicao em diamante e germanio. Programa e Resumos. 1988 ;[citado 2024 jun. 08 ]
Artigo de periodico
Electronic state of a c-ls bore exciton in diamond (1988)
Alves, H W L; Chacham, H; Alves, J L A; Leite, J. R.
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Assunto: DIAMANTE
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALVES, H W L et al. Electronic state of a c-ls bore exciton in diamond. Solid State Communications, v. 67, n. 5 , p. 495-8, 1988Tradução . . Acesso em: 08 jun. 2024.
APA
Alves, H. W. L., Chacham, H., Alves, J. L. A., & Leite, J. R. (1988). Electronic state of a c-ls bore exciton in diamond. Solid State Communications, 67( 5 ), 495-8.
NLM
Alves HWL, Chacham H, Alves JLA, Leite JR. Electronic state of a c-ls bore exciton in diamond. Solid State Communications. 1988 ;67( 5 ): 495-8.[citado 2024 jun. 08 ]
Vancouver
Alves HWL, Chacham H, Alves JLA, Leite JR. Electronic state of a c-ls bore exciton in diamond. Solid State Communications. 1988 ;67( 5 ): 495-8.[citado 2024 jun. 08 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Estrutura eletronica do semicondutor diamante tipo p (1986)
Alves, H W L; Leite, J. R.
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALVES, H W L e LEITE, J. R. Estrutura eletronica do semicondutor diamante tipo p. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 08 jun. 2024. , 1986
APA
Alves, H. W. L., & Leite, J. R. (1986). Estrutura eletronica do semicondutor diamante tipo p. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Alves HWL, Leite JR. Estrutura eletronica do semicondutor diamante tipo p. Ciência e Cultura. 1986 ;38( 7 supl.): 352.[citado 2024 jun. 08 ]
Vancouver
Alves HWL, Leite JR. Estrutura eletronica do semicondutor diamante tipo p. Ciência e Cultura. 1986 ;38( 7 supl.): 352.[citado 2024 jun. 08 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Distorcoes induzidas pela presenca da vacancia e nitrogenio em diamante (1985)
Alves, H W L; Leite, J. R.; Alves, J L A
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALVES, H W L e LEITE, J. R. e ALVES, J L A. Distorcoes induzidas pela presenca da vacancia e nitrogenio em diamante. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 08 jun. 2024. , 1985
APA
Alves, H. W. L., Leite, J. R., & Alves, J. L. A. (1985). Distorcoes induzidas pela presenca da vacancia e nitrogenio em diamante. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Alves HWL, Leite JR, Alves JLA. Distorcoes induzidas pela presenca da vacancia e nitrogenio em diamante. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 250.[citado 2024 jun. 08 ]
Vancouver
Alves HWL, Leite JR, Alves JLA. Distorcoes induzidas pela presenca da vacancia e nitrogenio em diamante. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 250.[citado 2024 jun. 08 ]
Trabalho de evento
Deep-levels in diamond: the substitucional nitrogen and the simple neutrol vacancy (1985)
Leite, J. R.; Alves, H W L; Alves, J L A
Source: Proceedings. Conference titles: Brazilian School on Physics. Unidade: IF
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ABNT
LEITE, J. R. e ALVES, H W L e ALVES, J L A. Deep-levels in diamond: the substitucional nitrogen and the simple neutrol vacancy. 1985, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 1985. . Acesso em: 08 jun. 2024.
APA
Leite, J. R., Alves, H. W. L., & Alves, J. L. A. (1985). Deep-levels in diamond: the substitucional nitrogen and the simple neutrol vacancy. In Proceedings. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Leite JR, Alves HWL, Alves JLA. Deep-levels in diamond: the substitucional nitrogen and the simple neutrol vacancy. Proceedings. 1985 ;[citado 2024 jun. 08 ]
Vancouver
Leite JR, Alves HWL, Alves JLA. Deep-levels in diamond: the substitucional nitrogen and the simple neutrol vacancy. Proceedings. 1985 ;[citado 2024 jun. 08 ]

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