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  • Source: American Physical Society. Unidade: IF

    Subjects: OBSERVATÓRIOS, INTERAÇÕES FUNDAMENTAIS

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    • ABNT

      ASSALI, L. V. C. et al. Hyperfine interactions in silicon quantum dots. American Physical Society, v. 83, n. 16, p. 165031-165301-5, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.83.165301. Acesso em: 17 jun. 2024.
    • APA

      Assali, L. V. C., Petrilli, H. M., Capaz, R. B., Koiller, B., Hu, X., & Sarma, S. D. (2011). Hyperfine interactions in silicon quantum dots. American Physical Society, 83( 16), 165031-165301-5. doi:10.1103/PhysRevB.83.165301
    • NLM

      Assali LVC, Petrilli HM, Capaz RB, Koiller B, Hu X, Sarma SD. Hyperfine interactions in silicon quantum dots [Internet]. American Physical Society. 2011 ;83( 16): 165031-165301-5.[citado 2024 jun. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.83.165301
    • Vancouver

      Assali LVC, Petrilli HM, Capaz RB, Koiller B, Hu X, Sarma SD. Hyperfine interactions in silicon quantum dots [Internet]. American Physical Society. 2011 ;83( 16): 165031-165301-5.[citado 2024 jun. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.83.165301
  • Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF

    Assunto: FÍSICA

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    • ABNT

      CAPAZ, R B et al. "Ab initio" studies of hydrogen-enhanced oxygen diffusion in silicon. Brazilian Journal of Physics, v. 29, n. 4, p. 611-615, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400002. Acesso em: 17 jun. 2024.
    • APA

      Capaz, R. B., Assali, L. V. C., Kimerling, L. C., Cho, K., & Joannopoulos, J. D. (2000). "Ab initio" studies of hydrogen-enhanced oxygen diffusion in silicon. Brazilian Journal of Physics, 29( 4), 611-615. doi:10.1590/s0103-97331999000400002
    • NLM

      Capaz RB, Assali LVC, Kimerling LC, Cho K, Joannopoulos JD. "Ab initio" studies of hydrogen-enhanced oxygen diffusion in silicon [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2000 ; 29( 4): 611-615.[citado 2024 jun. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400002
    • Vancouver

      Capaz RB, Assali LVC, Kimerling LC, Cho K, Joannopoulos JD. "Ab initio" studies of hydrogen-enhanced oxygen diffusion in silicon [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2000 ; 29( 4): 611-615.[citado 2024 jun. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400002
  • Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF

    Assunto: FÍSICA

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    • ABNT

      CAPAZ, R. B. et al. "Ab Initio" studies of hydrogen=enhanced oxygen diffusion in silicon. Brazilian Journal of Physics, v. 29, n. 4, p. 611-615, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400002. Acesso em: 17 jun. 2024.
    • APA

      Capaz, R. B., Assali, L. V. C., Kimerling, L. C., Cho, K., & Joannopoulos, J. D. (1999). "Ab Initio" studies of hydrogen=enhanced oxygen diffusion in silicon. Brazilian Journal of Physics, 29( 4), 611-615. doi:10.1590/s0103-97331999000400002
    • NLM

      Capaz RB, Assali LVC, Kimerling LC, Cho K, Joannopoulos JD. "Ab Initio" studies of hydrogen=enhanced oxygen diffusion in silicon [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1999 ; 29( 4): 611-615.[citado 2024 jun. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400002
    • Vancouver

      Capaz RB, Assali LVC, Kimerling LC, Cho K, Joannopoulos JD. "Ab Initio" studies of hydrogen=enhanced oxygen diffusion in silicon [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1999 ; 29( 4): 611-615.[citado 2024 jun. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400002

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