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Artigo de periodico
Bound states in two-dimensional Fermi systems with quadratic band touching (2020)
Santos, Flávio L. N.; Caracanhas, Mônica Andrioli; Aguiar, M. C. O.; Pereira, Rodrigo Gonçalves
Source: Physical Review B. Unidade: IFSC
Subjects: POLÍMEROS (MATERIAIS), MATERIAIS MAGNÉTICOS, MAGNETISMO
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ABNT
SANTOS, Flávio L. N. et al. Bound states in two-dimensional Fermi systems with quadratic band touching. Physical Review B, v. 101, n. 15, p. 155120-1-155120-9, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.101.155120. Acesso em: 27 maio 2024.
APA
Santos, F. L. N., Caracanhas, M. A., Aguiar, M. C. O., & Pereira, R. G. (2020). Bound states in two-dimensional Fermi systems with quadratic band touching. Physical Review B, 101( 15), 155120-1-155120-9. doi:10.1103/PhysRevB.101.155120
NLM
Santos FLN, Caracanhas MA, Aguiar MCO, Pereira RG. Bound states in two-dimensional Fermi systems with quadratic band touching [Internet]. Physical Review B. 2020 ; 101( 15): 155120-1-155120-9.[citado 2024 maio 27 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.101.155120
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Santos FLN, Caracanhas MA, Aguiar MCO, Pereira RG. Bound states in two-dimensional Fermi systems with quadratic band touching [Internet]. Physical Review B. 2020 ; 101( 15): 155120-1-155120-9.[citado 2024 maio 27 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.101.155120
Artigo de periodico
Quantitative measurement of manganese incorporation into (In,Mn)As islands by resonant x-ray scattering (2017)
Marçal, L. A. B.; Mazzoni, M. S. C.; Coelho, L. N.; Marega Júnior, Euclydes; Salamo, G. J.; Magalhães-Paniago, R.; Malachias, A.
Source: Physical Review B. Unidade: IFSC
Subjects: MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, MANGANÊS, ÍNDIO (ELEMENTO QUÍMICO)
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ABNT
MARÇAL, L. A. B. et al. Quantitative measurement of manganese incorporation into (In,Mn)As islands by resonant x-ray scattering. Physical Review B, v. 96, n. 24, p. 245301-1-245301-7, 2017Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.96.245301. Acesso em: 27 maio 2024.
APA
Marçal, L. A. B., Mazzoni, M. S. C., Coelho, L. N., Marega Júnior, E., Salamo, G. J., Magalhães-Paniago, R., & Malachias, A. (2017). Quantitative measurement of manganese incorporation into (In,Mn)As islands by resonant x-ray scattering. Physical Review B, 96( 24), 245301-1-245301-7. doi:10.1103/PhysRevB.96.245301
NLM
Marçal LAB, Mazzoni MSC, Coelho LN, Marega Júnior E, Salamo GJ, Magalhães-Paniago R, Malachias A. Quantitative measurement of manganese incorporation into (In,Mn)As islands by resonant x-ray scattering [Internet]. Physical Review B. 2017 ; 96( 24): 245301-1-245301-7.[citado 2024 maio 27 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.96.245301
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Marçal LAB, Mazzoni MSC, Coelho LN, Marega Júnior E, Salamo GJ, Magalhães-Paniago R, Malachias A. Quantitative measurement of manganese incorporation into (In,Mn)As islands by resonant x-ray scattering [Internet]. Physical Review B. 2017 ; 96( 24): 245301-1-245301-7.[citado 2024 maio 27 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.96.245301
Artigo de periodico
Nonuniversality of entanglement convertibility (2014)
Bragança, Helena; Mascarenhas, Eduardo; Luiz, G. I.; Duarte, C.; Pereira, Rodrigo Gonçalves; Santos, M. F.; Aguiar, M. C. O.
Source: Physical Review B. Unidade: IFSC
Subjects: FÍSICA TEÓRICA, COMPUTAÇÃO QUÂNTICA
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ABNT
BRAGANÇA, Helena et al. Nonuniversality of entanglement convertibility. Physical Review B, v. 89, n. 23, p. 235132-1-235132-6, 2014Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.89.235132. Acesso em: 27 maio 2024.
APA
Bragança, H., Mascarenhas, E., Luiz, G. I., Duarte, C., Pereira, R. G., Santos, M. F., & Aguiar, M. C. O. (2014). Nonuniversality of entanglement convertibility. Physical Review B, 89( 23), 235132-1-235132-6. doi:10.1103/PhysRevB.89.235132
NLM
Bragança H, Mascarenhas E, Luiz GI, Duarte C, Pereira RG, Santos MF, Aguiar MCO. Nonuniversality of entanglement convertibility [Internet]. Physical Review B. 2014 ; 89( 23): 235132-1-235132-6.[citado 2024 maio 27 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.89.235132
Vancouver
Bragança H, Mascarenhas E, Luiz GI, Duarte C, Pereira RG, Santos MF, Aguiar MCO. Nonuniversality of entanglement convertibility [Internet]. Physical Review B. 2014 ; 89( 23): 235132-1-235132-6.[citado 2024 maio 27 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.89.235132
Artigo de periodico
Structural and magnetic confinement of holes in the spin-polarized emission of coupled quantum ring-quantum dot chains (2014)
Oliveira, Vivaldo Lopes; Mazur, Yuriy I.; Souza, Leonardo Dias de; Marçal, Lucas A. Bernardes; Wu, Jiang; Teodoro, Marcio Daldin; Malachias, Angelo; Dorogan, Vitaliy G.; Benamara, Mourad; Tarasov, Georgiy G.; Marega Júnior, Euclydes; Marques, Gilmar E.; Wang, Zhiming M.; Orlita, Milan; Salamo, Gregory J.; Lopez-Richard, Victor
Source: Physical Review B. Unidade: IFSC
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, CAMPO MAGNÉTICO, ANÁLISE ÓTICA
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ABNT
OLIVEIRA, Vivaldo Lopes et al. Structural and magnetic confinement of holes in the spin-polarized emission of coupled quantum ring-quantum dot chains. Physical Review B, v. 90, n. 12, p. 125315-1-125315-8, 2014Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.90.125315. Acesso em: 27 maio 2024.
APA
Oliveira, V. L., Mazur, Y. I., Souza, L. D. de, Marçal, L. A. B., Wu, J., Teodoro, M. D., et al. (2014). Structural and magnetic confinement of holes in the spin-polarized emission of coupled quantum ring-quantum dot chains. Physical Review B, 90( 12), 125315-1-125315-8. doi:10.1103/PhysRevB.90.125315
NLM
Oliveira VL, Mazur YI, Souza LD de, Marçal LAB, Wu J, Teodoro MD, Malachias A, Dorogan VG, Benamara M, Tarasov GG, Marega Júnior E, Marques GE, Wang ZM, Orlita M, Salamo GJ, Lopez-Richard V. Structural and magnetic confinement of holes in the spin-polarized emission of coupled quantum ring-quantum dot chains [Internet]. Physical Review B. 2014 ; 90( 12): 125315-1-125315-8.[citado 2024 maio 27 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.90.125315
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Oliveira VL, Mazur YI, Souza LD de, Marçal LAB, Wu J, Teodoro MD, Malachias A, Dorogan VG, Benamara M, Tarasov GG, Marega Júnior E, Marques GE, Wang ZM, Orlita M, Salamo GJ, Lopez-Richard V. Structural and magnetic confinement of holes in the spin-polarized emission of coupled quantum ring-quantum dot chains [Internet]. Physical Review B. 2014 ; 90( 12): 125315-1-125315-8.[citado 2024 maio 27 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.90.125315
Artigo de periodico
Optical studies of strain effects in quantum wells grown on (311) and (100) GaAs substrates (2001)
Freire, S L S; Reis, J E T; Cury, Luiz Alberto; Matinaga, F M; Sampaio, J F; Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo
Source: Physical Review B. Unidade: IFSC
Assunto: LUMINESCÊNCIA
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ABNT
FREIRE, S L S et al. Optical studies of strain effects in quantum wells grown on (311) and (100) GaAs substrates. Physical Review B, v. 64, p. 195325-1-195325-61, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.64.195325. Acesso em: 27 maio 2024.
APA
Freire, S. L. S., Reis, J. E. T., Cury, L. A., Matinaga, F. M., Sampaio, J. F., & Guimarães, F. E. G. (2001). Optical studies of strain effects in quantum wells grown on (311) and (100) GaAs substrates. Physical Review B, 64, 195325-1-195325-61. doi:10.1103/physrevb.64.195325
NLM
Freire SLS, Reis JET, Cury LA, Matinaga FM, Sampaio JF, Guimarães FEG. Optical studies of strain effects in quantum wells grown on (311) and (100) GaAs substrates [Internet]. Physical Review B. 2001 ;64 195325-1-195325-61.[citado 2024 maio 27 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.64.195325
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Freire SLS, Reis JET, Cury LA, Matinaga FM, Sampaio JF, Guimarães FEG. Optical studies of strain effects in quantum wells grown on (311) and (100) GaAs substrates [Internet]. Physical Review B. 2001 ;64 195325-1-195325-61.[citado 2024 maio 27 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.64.195325
Artigo de periodico
Structural properties and energetics of oxygen impurities in GaAs (2000)
Orellana, Walter M; Ferraz, A. C.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
ORELLANA, Walter M e FERRAZ, A. C. Structural properties and energetics of oxygen impurities in GaAs. Physical Review B, n. 8, p. 5326-5331, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.61.5326. Acesso em: 27 maio 2024.
APA
Orellana, W. M., & Ferraz, A. C. (2000). Structural properties and energetics of oxygen impurities in GaAs. Physical Review B, ( 8), 5326-5331. doi:10.1103/physrevb.61.5326
NLM
Orellana WM, Ferraz AC. Structural properties and energetics of oxygen impurities in GaAs [Internet]. Physical Review B. 2000 ;( 8): 5326-5331.[citado 2024 maio 27 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.61.5326
Vancouver
Orellana WM, Ferraz AC. Structural properties and energetics of oxygen impurities in GaAs [Internet]. Physical Review B. 2000 ;( 8): 5326-5331.[citado 2024 maio 27 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.61.5326
Artigo de periodico
Luminescence and Raman scattering in periodically ´DELTA´-doped GaAs (1999)
Siqueira, C A; Rodrigues, W N; Moreira, M V B; Oliveira, A. G.; Chaves, A S; Ioriatti Júnior, Lidério Citrângulo
Source: Physical Review B. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SIQUEIRA, C A et al. Luminescence and Raman scattering in periodically ´DELTA´-doped GaAs. Physical Review B, v. 59, n. 7, p. 5008-5012, 1999Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/96e5bffc-4892-4c57-bad3-83e31e471c5d/PROD005865_1016055.pdf. Acesso em: 27 maio 2024.
APA
Siqueira, C. A., Rodrigues, W. N., Moreira, M. V. B., Oliveira, A. G., Chaves, A. S., & Ioriatti Júnior, L. C. (1999). Luminescence and Raman scattering in periodically ´DELTA´-doped GaAs. Physical Review B, 59( 7), 5008-5012. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/96e5bffc-4892-4c57-bad3-83e31e471c5d/PROD005865_1016055.pdf
NLM
Siqueira CA, Rodrigues WN, Moreira MVB, Oliveira AG, Chaves AS, Ioriatti Júnior LC. Luminescence and Raman scattering in periodically ´DELTA´-doped GaAs [Internet]. Physical Review B. 1999 ;59( 7): 5008-5012.[citado 2024 maio 27 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/96e5bffc-4892-4c57-bad3-83e31e471c5d/PROD005865_1016055.pdf
Vancouver
Siqueira CA, Rodrigues WN, Moreira MVB, Oliveira AG, Chaves AS, Ioriatti Júnior LC. Luminescence and Raman scattering in periodically ´DELTA´-doped GaAs [Internet]. Physical Review B. 1999 ;59( 7): 5008-5012.[citado 2024 maio 27 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/96e5bffc-4892-4c57-bad3-83e31e471c5d/PROD005865_1016055.pdf
Artigo de periodico
Band-edge modifications due to photogenerated carriers in single p-type delta-doped GaAs layers (1999)
Levine, A.; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Sipahi, Guilherme Matos; Quivy, A. A.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Dias, I. F. L.; Lauretto, E.; Oliveira, J. B. B.; Meneses, E. A.; Oliveira, A. G.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LEVINE, A. et al. Band-edge modifications due to photogenerated carriers in single p-type delta-doped GaAs layers. Physical Review B, v. 59, n. 7, p. 4634-4637, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.4634. Acesso em: 27 maio 2024.
APA
Levine, A., Silva, E. C. F. da, Sipahi, G. M., Quivy, A. A., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., et al. (1999). Band-edge modifications due to photogenerated carriers in single p-type delta-doped GaAs layers. Physical Review B, 59( 7), 4634-4637. doi:10.1103/physrevb.59.4634
NLM
Levine A, Silva ECF da, Sipahi GM, Quivy AA, Scolfaro LMR, Leite JR, Dias IFL, Lauretto E, Oliveira JBB, Meneses EA, Oliveira AG. Band-edge modifications due to photogenerated carriers in single p-type delta-doped GaAs layers [Internet]. Physical Review B. 1999 ; 59( 7): 4634-4637.[citado 2024 maio 27 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.4634
Vancouver
Levine A, Silva ECF da, Sipahi GM, Quivy AA, Scolfaro LMR, Leite JR, Dias IFL, Lauretto E, Oliveira JBB, Meneses EA, Oliveira AG. Band-edge modifications due to photogenerated carriers in single p-type delta-doped GaAs layers [Internet]. Physical Review B. 1999 ; 59( 7): 4634-4637.[citado 2024 maio 27 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.4634

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