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Trabalho de evento-resumo
ZnSe/Te/GaAs(001) interface: an ab initio study (2002)
Morbec, F M O; Miwa, Roberto Hiroki; Miotto, R.; Ferraz, A. C.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, SUPERFÍCIE FÍSICA
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ABNT
MORBEC, F M O et al. ZnSe/Te/GaAs(001) interface: an ab initio study. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Morbec, F. M. O., Miwa, R. H., Miotto, R., & Ferraz, A. C. (2002). ZnSe/Te/GaAs(001) interface: an ab initio study. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Morbec FMO, Miwa RH, Miotto R, Ferraz AC. ZnSe/Te/GaAs(001) interface: an ab initio study. Resumos. 2002 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Vancouver
Morbec FMO, Miwa RH, Miotto R, Ferraz AC. ZnSe/Te/GaAs(001) interface: an ab initio study. Resumos. 2002 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Artigo de periodico
Zn-induced features at the GaAs(110) surface and its importance in the growth of ZnSe on GaAs(110) (2002)
Miotto, R; Ferraz, A. C.
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: SUPERFÍCIE FÍSICA, MICROSCOPIA ELETRÔNICA DE VARREDURA
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ABNT
MIOTTO, R e FERRAZ, A. C. Zn-induced features at the GaAs(110) surface and its importance in the growth of ZnSe on GaAs(110). Applied Physics Letters, v. 81, n. 3, p. 481-483, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1494456. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Miotto, R., & Ferraz, A. C. (2002). Zn-induced features at the GaAs(110) surface and its importance in the growth of ZnSe on GaAs(110). Applied Physics Letters, 81( 3), 481-483. doi:10.1063/1.1494456
NLM
Miotto R, Ferraz AC. Zn-induced features at the GaAs(110) surface and its importance in the growth of ZnSe on GaAs(110) [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 81( 3): 481-483.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1494456
Vancouver
Miotto R, Ferraz AC. Zn-induced features at the GaAs(110) surface and its importance in the growth of ZnSe on GaAs(110) [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 81( 3): 481-483.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1494456
Trabalho de evento-resumo
Wap-26: monolayers of organosolv lignins (1993)
Curvelo, Antonio Aprigio da Silva ; Balogh, Débora Terezia; Constantino, C J L; Oliveira Junior, Osvaldo Novais de
Source: Programme and Abstracts. Conference titles: Brazilian Symposium on the Chemistry of Lignins and Other Wood Components. Unidades: IQSC, IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SUPERFÍCIE FÍSICA, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
CURVELO, Antonio Aprigio da Silva et al. Wap-26: monolayers of organosolv lignins. 1993, Anais.. Belo Horizonte: Ufmg, 1993. . Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Curvelo, A. A. da S., Balogh, D. T., Constantino, C. J. L., & Oliveira Junior, O. N. de. (1993). Wap-26: monolayers of organosolv lignins. In Programme and Abstracts. Belo Horizonte: Ufmg.
NLM
Curvelo AA da S, Balogh DT, Constantino CJL, Oliveira Junior ON de. Wap-26: monolayers of organosolv lignins. Programme and Abstracts. 1993 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Vancouver
Curvelo AA da S, Balogh DT, Constantino CJL, Oliveira Junior ON de. Wap-26: monolayers of organosolv lignins. Programme and Abstracts. 1993 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Artigo de periodico
Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells (2001)
Rodrigues, S C P; Sipahi, Guilherme Matos; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Physica B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATERIAIS (PROPRIEDADES ELÉTRICAS), SUPERFÍCIE FÍSICA
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ABNT
RODRIGUES, S C P et al. Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells. Physica B, v. 302, p. 106-113, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00413-6. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2001). Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells. Physica B, 302, 106-113. doi:10.1016/s0921-4526(01)00413-6
NLM
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells [Internet]. Physica B. 2001 ; 302 106-113.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00413-6
Vancouver
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells [Internet]. Physica B. 2001 ; 302 106-113.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00413-6
Artigo de periodico
Two-atom structures of Ge on Si(100): dimers versus adatom pairs (2001)
Silva, Antonio Jose Roque da; Dalpian, G M; Janotti, A; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review Letters. Unidade: IF
Subjects: MICROSCOPIA ELETRÔNICA DE VARREDURA, DINÂMICA, SUPERFÍCIE FÍSICA
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ABNT
SILVA, Antonio Jose Roque da et al. Two-atom structures of Ge on Si(100): dimers versus adatom pairs. Physical Review Letters, v. 87, n. 3, p. 6104/1-6104/4, 2001Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000087000003036104000001&idtype=cvips. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Silva, A. J. R. da, Dalpian, G. M., Janotti, A., & Fazzio, A. (2001). Two-atom structures of Ge on Si(100): dimers versus adatom pairs. Physical Review Letters, 87( 3), 6104/1-6104/4. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000087000003036104000001&idtype=cvips
NLM
Silva AJR da, Dalpian GM, Janotti A, Fazzio A. Two-atom structures of Ge on Si(100): dimers versus adatom pairs [Internet]. Physical Review Letters. 2001 ; 87( 3): 6104/1-6104/4.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000087000003036104000001&idtype=cvips
Vancouver
Silva AJR da, Dalpian GM, Janotti A, Fazzio A. Two-atom structures of Ge on Si(100): dimers versus adatom pairs [Internet]. Physical Review Letters. 2001 ; 87( 3): 6104/1-6104/4.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000087000003036104000001&idtype=cvips
Artigo de periodico
Trimming Si surfaces for molecular electronics (2007)
Caldas, Marília Junqueira; Calzolari, A; Cucinotta, C S
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CALDAS, Marília Junqueira e CALZOLARI, A e CUCINOTTA, C S. Trimming Si surfaces for molecular electronics. Journal of Applied Physics, v. 101, n. 8, p. 081719/1-081719/5, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2723176. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Caldas, M. J., Calzolari, A., & Cucinotta, C. S. (2007). Trimming Si surfaces for molecular electronics. Journal of Applied Physics, 101( 8), 081719/1-081719/5. doi:10.1063/1.2723176
NLM
Caldas MJ, Calzolari A, Cucinotta CS. Trimming Si surfaces for molecular electronics [Internet]. Journal of Applied Physics. 2007 ; 101( 8): 081719/1-081719/5.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2723176
Vancouver
Caldas MJ, Calzolari A, Cucinotta CS. Trimming Si surfaces for molecular electronics [Internet]. Journal of Applied Physics. 2007 ; 101( 8): 081719/1-081719/5.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2723176
Dissertação (Mestrado)
Transicao polaronica de eletrons na superficie de helio liquido (1983)
Degani, Marcos Henrique; Hipólito, Oscar (Orientador)
Unidade: IFSC
Subjects: SUPERFÍCIE FÍSICA, FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DEGANI, Marcos Henrique. Transicao polaronica de eletrons na superficie de helio liquido. 1983. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, Sao Carlos, 1983. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54131/tde-25052015-151232/. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Degani, M. H. (1983). Transicao polaronica de eletrons na superficie de helio liquido (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, Sao Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54131/tde-25052015-151232/
NLM
Degani MH. Transicao polaronica de eletrons na superficie de helio liquido [Internet]. 1983 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54131/tde-25052015-151232/
Vancouver
Degani MH. Transicao polaronica de eletrons na superficie de helio liquido [Internet]. 1983 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54131/tde-25052015-151232/
Trabalho de evento-resumo
Transferência de prótons em filmes de Langmuir (1997)
Leite, V B P; Cavalli, A; Oliveira Junior, Osvaldo Novais de
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IFSC
Assunto: SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LEITE, V B P e CAVALLI, A e OLIVEIRA JUNIOR, Osvaldo Novais de. Transferência de prótons em filmes de Langmuir. 1997, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1997. . Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Leite, V. B. P., Cavalli, A., & Oliveira Junior, O. N. de. (1997). Transferência de prótons em filmes de Langmuir. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Leite VBP, Cavalli A, Oliveira Junior ON de. Transferência de prótons em filmes de Langmuir. Resumos. 1997 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Vancouver
Leite VBP, Cavalli A, Oliveira Junior ON de. Transferência de prótons em filmes de Langmuir. Resumos. 1997 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Artigo de periodico
Thomas-fermi theory of'DELTA'-doped semiconductors structures: exact analytical results in the high-density limit (1990)
Ioriatti Júnior, Lidério Citrângulo
Source: Physical Review B. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
IORIATTI JÚNIOR, Lidério Citrângulo. Thomas-fermi theory of'DELTA'-doped semiconductors structures: exact analytical results in the high-density limit. Physical Review B, v. 41, n. 12, p. 8340-4, 1990Tradução . . Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Ioriatti Júnior, L. C. (1990). Thomas-fermi theory of'DELTA'-doped semiconductors structures: exact analytical results in the high-density limit. Physical Review B, 41( 12), 8340-4.
NLM
Ioriatti Júnior LC. Thomas-fermi theory of'DELTA'-doped semiconductors structures: exact analytical results in the high-density limit. Physical Review B. 1990 ;41( 12): 8340-4.[citado 2024 abr. 19 ]
Vancouver
Ioriatti Júnior LC. Thomas-fermi theory of'DELTA'-doped semiconductors structures: exact analytical results in the high-density limit. Physical Review B. 1990 ;41( 12): 8340-4.[citado 2024 abr. 19 ]
Trabalho de evento-resumo
Thomas-fermi model 'DELTA' - doping (1990)
Ioriatti Júnior, Lidério Citrângulo
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
IORIATTI JÚNIOR, Lidério Citrângulo. Thomas-fermi model 'DELTA' - doping. 1990, Anais.. Sao Paulo: Sbf, 1990. . Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Ioriatti Júnior, L. C. (1990). Thomas-fermi model 'DELTA' - doping. In Programa e Resumos. Sao Paulo: Sbf.
NLM
Ioriatti Júnior LC. Thomas-fermi model 'DELTA' - doping. Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Vancouver
Ioriatti Júnior LC. Thomas-fermi model 'DELTA' - doping. Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Artigo de periodico
Thionin adsorption on silicon (100): structural analysis (2006)
Miotto, R; Cunha, J F R; Silva, S W da; Soler, Maria Aparecida Godoy ; Morais, P C; Ferraz, A. C.; Tada, Dayane B; Petri, Denise Freitas Siqueira ; Baptista, Maurício da Silva
Source: Applied Surface Science. Unidades: IF, IQ
Subjects: SUPERFÍCIE FÍSICA, ESPECTROSCOPIA RAMAN
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIOTTO, R et al. Thionin adsorption on silicon (100): structural analysis. Applied Surface Science, v. 253, n. 4, p. 1978-1982, 2006Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6THY-4JVSV81-8-21&_cdi=5295&_user=972067&_orig=browse&_coverDate=12%2F15%2F2006&_sk=997469995&view=c&wchp=dGLbVlb-zSkzV&md5=acc94b55ddd7242377aad57aa86d3b8d&ie=/sdarticle.pdf. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Miotto, R., Cunha, J. F. R., Silva, S. W. da, Soler, M. A. G., Morais, P. C., Ferraz, A. C., et al. (2006). Thionin adsorption on silicon (100): structural analysis. Applied Surface Science, 253( 4), 1978-1982. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6THY-4JVSV81-8-21&_cdi=5295&_user=972067&_orig=browse&_coverDate=12%2F15%2F2006&_sk=997469995&view=c&wchp=dGLbVlb-zSkzV&md5=acc94b55ddd7242377aad57aa86d3b8d&ie=/sdarticle.pdf
NLM
Miotto R, Cunha JFR, Silva SW da, Soler MAG, Morais PC, Ferraz AC, Tada DB, Petri DFS, Baptista M da S. Thionin adsorption on silicon (100): structural analysis [Internet]. Applied Surface Science. 2006 ; 253( 4): 1978-1982.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6THY-4JVSV81-8-21&_cdi=5295&_user=972067&_orig=browse&_coverDate=12%2F15%2F2006&_sk=997469995&view=c&wchp=dGLbVlb-zSkzV&md5=acc94b55ddd7242377aad57aa86d3b8d&ie=/sdarticle.pdf
Vancouver
Miotto R, Cunha JFR, Silva SW da, Soler MAG, Morais PC, Ferraz AC, Tada DB, Petri DFS, Baptista M da S. Thionin adsorption on silicon (100): structural analysis [Internet]. Applied Surface Science. 2006 ; 253( 4): 1978-1982.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6THY-4JVSV81-8-21&_cdi=5295&_user=972067&_orig=browse&_coverDate=12%2F15%2F2006&_sk=997469995&view=c&wchp=dGLbVlb-zSkzV&md5=acc94b55ddd7242377aad57aa86d3b8d&ie=/sdarticle.pdf
Artigo de periodico
Theory of bound polarons near interfaces of polar semiconductors (1991)
Farias, G A; Degani, Marcos Henrique; Hipólito, Oscar
Source: Physical Review B. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SUPERFÍCIE FÍSICA, CIRCUITOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FARIAS, G A e DEGANI, Marcos Henrique e HIPÓLITO, Oscar. Theory of bound polarons near interfaces of polar semiconductors. Physical Review B, v. 43, n. 5 , p. 4113-8, 1991Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.43.4113. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Farias, G. A., Degani, M. H., & Hipólito, O. (1991). Theory of bound polarons near interfaces of polar semiconductors. Physical Review B, 43( 5 ), 4113-8. doi:10.1103/physrevb.43.4113
NLM
Farias GA, Degani MH, Hipólito O. Theory of bound polarons near interfaces of polar semiconductors [Internet]. Physical Review B. 1991 ;43( 5 ): 4113-8.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.43.4113
Vancouver
Farias GA, Degani MH, Hipólito O. Theory of bound polarons near interfaces of polar semiconductors [Internet]. Physical Review B. 1991 ;43( 5 ): 4113-8.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.43.4113
Trabalho de evento-resumo
Theoretical study of thermal behavior of mono-hydrogenated (100) diamond surfaces (2009)
Ramos, Rodrigo; Caldas, Marília Junqueira
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RAMOS, Rodrigo e CALDAS, Marília Junqueira. Theoretical study of thermal behavior of mono-hydrogenated (100) diamond surfaces. 2009, Anais.. São Paulo: SBF, 2009. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0963-1.pdf. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Ramos, R., & Caldas, M. J. (2009). Theoretical study of thermal behavior of mono-hydrogenated (100) diamond surfaces. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0963-1.pdf
NLM
Ramos R, Caldas MJ. Theoretical study of thermal behavior of mono-hydrogenated (100) diamond surfaces [Internet]. Resumos. 2009 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0963-1.pdf
Vancouver
Ramos R, Caldas MJ. Theoretical study of thermal behavior of mono-hydrogenated (100) diamond surfaces [Internet]. Resumos. 2009 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0963-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Theoretical calculations for Si(111)-(2X1)Cl (2002)
Casagrande, Douglas; Ferraz, A. C.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SUPERFÍCIE FÍSICA, FILMES FINOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CASAGRANDE, Douglas e FERRAZ, A. C. Theoretical calculations for Si(111)-(2X1)Cl. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Casagrande, D., & Ferraz, A. C. (2002). Theoretical calculations for Si(111)-(2X1)Cl. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Casagrande D, Ferraz AC. Theoretical calculations for Si(111)-(2X1)Cl. Resumos. 2002 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Vancouver
Casagrande D, Ferraz AC. Theoretical calculations for Si(111)-(2X1)Cl. Resumos. 2002 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Trabalho de evento-resumo
Theoretical Study of Conductivity of Hydrogenated ZnO (1010) Surface (2009)
Quintão, Andréa Dias; Sousa, Regina L; Caldas, Marília Junqueira
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
QUINTÃO, Andréa Dias e SOUSA, Regina L e CALDAS, Marília Junqueira. Theoretical Study of Conductivity of Hydrogenated ZnO (1010) Surface. 2009, Anais.. São Paulo: SBF, 2009. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0171-1.pdf. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Quintão, A. D., Sousa, R. L., & Caldas, M. J. (2009). Theoretical Study of Conductivity of Hydrogenated ZnO (1010) Surface. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0171-1.pdf
NLM
Quintão AD, Sousa RL, Caldas MJ. Theoretical Study of Conductivity of Hydrogenated ZnO (1010) Surface [Internet]. Resumos. 2009 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0171-1.pdf
Vancouver
Quintão AD, Sousa RL, Caldas MJ. Theoretical Study of Conductivity of Hydrogenated ZnO (1010) Surface [Internet]. Resumos. 2009 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0171-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Theoretical STM images of Ge adsorption on Si(100) (2002)
Dalpian, G. M.; Fazzio, Adalberto; Silva, Antonio Jose Roque da
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SUPERFÍCIE FÍSICA, FILMES FINOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DALPIAN, G. M. e FAZZIO, Adalberto e SILVA, Antonio Jose Roque da. Theoretical STM images of Ge adsorption on Si(100). 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Dalpian, G. M., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2002). Theoretical STM images of Ge adsorption on Si(100). In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Dalpian GM, Fazzio A, Silva AJR da. Theoretical STM images of Ge adsorption on Si(100). Resumos. 2002 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Vancouver
Dalpian GM, Fazzio A, Silva AJR da. Theoretical STM images of Ge adsorption on Si(100). Resumos. 2002 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Artigo de periodico
The surface potential of Langmuir monolayers revisited (1997)
Oliveira Junior, Osvaldo Novais de; Bonardi, Cláudia
Source: Langmuir. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA JUNIOR, Osvaldo Novais de e BONARDI, Cláudia. The surface potential of Langmuir monolayers revisited. Langmuir, v. 13, p. 5920-5924, 1997Tradução . . Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Oliveira Junior, O. N. de, & Bonardi, C. (1997). The surface potential of Langmuir monolayers revisited. Langmuir, 13, 5920-5924.
NLM
Oliveira Junior ON de, Bonardi C. The surface potential of Langmuir monolayers revisited. Langmuir. 1997 ; 13 5920-5924.[citado 2024 abr. 19 ]
Vancouver
Oliveira Junior ON de, Bonardi C. The surface potential of Langmuir monolayers revisited. Langmuir. 1997 ; 13 5920-5924.[citado 2024 abr. 19 ]
Artigo de periodico
The role of carbon impurities on the Si(001)-c(4X 4) surface reconstruction: Theoretical calculations (2009)
Miotto, R; Ferraz, A. C.
Source: Surface Science. Unidade: IF
Assunto: SUPERFÍCIE FÍSICA
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ABNT
MIOTTO, R e FERRAZ, A. C. The role of carbon impurities on the Si(001)-c(4X 4) surface reconstruction: Theoretical calculations. Surface Science, v. 603, n. 9, p. 1229-1235, 2009Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.susc.2009.03.008. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Miotto, R., & Ferraz, A. C. (2009). The role of carbon impurities on the Si(001)-c(4X 4) surface reconstruction: Theoretical calculations. Surface Science, 603( 9), 1229-1235. doi:10.1016/j.susc.2009.03.008
NLM
Miotto R, Ferraz AC. The role of carbon impurities on the Si(001)-c(4X 4) surface reconstruction: Theoretical calculations [Internet]. Surface Science. 2009 ; 603( 9): 1229-1235.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.susc.2009.03.008
Vancouver
Miotto R, Ferraz AC. The role of carbon impurities on the Si(001)-c(4X 4) surface reconstruction: Theoretical calculations [Internet]. Surface Science. 2009 ; 603( 9): 1229-1235.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.susc.2009.03.008
Artigo de periodico
The relative stability of the two isomers of "AlP IND.3" (2005)
Malaspina, Thaciana; Coutinho, Kaline Rabelo; Canuto, Sylvio
Source: Chemical Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: FÍSICO-QUÍMICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SUPERFÍCIE FÍSICA
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ABNT
MALASPINA, Thaciana e COUTINHO, Kaline Rabelo e CANUTO, Sylvio. The relative stability of the two isomers of "AlP IND.3". Chemical Physics Letters, v. 411, n. 1-3, p. 14-17, 2005Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TFN-4GFV5TK-8-7&_cdi=5231&_user=972067&_orig=browse&_coverDate=08%2F05%2F2005&_sk=995889998&view=c&wchp=dGLzVlz-zSkzS&md5=98443bb3a8afabc44dfe61423f5b4034&ie=/sdarticle.pdf. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Malaspina, T., Coutinho, K. R., & Canuto, S. (2005). The relative stability of the two isomers of "AlP IND.3". Chemical Physics Letters, 411( 1-3), 14-17. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TFN-4GFV5TK-8-7&_cdi=5231&_user=972067&_orig=browse&_coverDate=08%2F05%2F2005&_sk=995889998&view=c&wchp=dGLzVlz-zSkzS&md5=98443bb3a8afabc44dfe61423f5b4034&ie=/sdarticle.pdf
NLM
Malaspina T, Coutinho KR, Canuto S. The relative stability of the two isomers of "AlP IND.3" [Internet]. Chemical Physics Letters. 2005 ; 411( 1-3): 14-17.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TFN-4GFV5TK-8-7&_cdi=5231&_user=972067&_orig=browse&_coverDate=08%2F05%2F2005&_sk=995889998&view=c&wchp=dGLzVlz-zSkzS&md5=98443bb3a8afabc44dfe61423f5b4034&ie=/sdarticle.pdf
Vancouver
Malaspina T, Coutinho KR, Canuto S. The relative stability of the two isomers of "AlP IND.3" [Internet]. Chemical Physics Letters. 2005 ; 411( 1-3): 14-17.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TFN-4GFV5TK-8-7&_cdi=5231&_user=972067&_orig=browse&_coverDate=08%2F05%2F2005&_sk=995889998&view=c&wchp=dGLzVlz-zSkzS&md5=98443bb3a8afabc44dfe61423f5b4034&ie=/sdarticle.pdf
Artigo de periodico
The quantum mobility of a two-dimensional electron gas in selectively doped GaAs/InGaAs quantum wells with embedded quantum dots (2005)
Silva, E C F; Quivy, A. A.
Source: Journal of applied physics. Unidade: IF
Subjects: SUPERFÍCIE FÍSICA, ESPECTROSCOPIA POR ABSORÇÃO ELETRÔNICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
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ABNT
SILVA, E C F e QUIVY, A. A. The quantum mobility of a two-dimensional electron gas in selectively doped GaAs/InGaAs quantum wells with embedded quantum dots. Journal of applied physics, v. 97, n. 11, p. 113709/1-113709/6, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1925329. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Silva, E. C. F., & Quivy, A. A. (2005). The quantum mobility of a two-dimensional electron gas in selectively doped GaAs/InGaAs quantum wells with embedded quantum dots. Journal of applied physics, 97( 11), 113709/1-113709/6. doi:10.1063/1.1925329
NLM
Silva ECF, Quivy AA. The quantum mobility of a two-dimensional electron gas in selectively doped GaAs/InGaAs quantum wells with embedded quantum dots [Internet]. Journal of applied physics. 2005 ; 97( 11): 113709/1-113709/6.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1925329
Vancouver
Silva ECF, Quivy AA. The quantum mobility of a two-dimensional electron gas in selectively doped GaAs/InGaAs quantum wells with embedded quantum dots [Internet]. Journal of applied physics. 2005 ; 97( 11): 113709/1-113709/6.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1925329

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