Assuntos: FILMES FINOS, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, DISPOSITIVOS ÓPTICOS, SEMICONDUTORES, EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR
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ABNT
LAMAS, Tomás Erikson. Epitaxia por feixe molecular de camadas dopadas do tipo p para a construção de dispositivos optoeletrônicos. 2004. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2004. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-27072004-160748/. Acesso em: 02 jun. 2024.APA
Lamas, T. E. (2004). Epitaxia por feixe molecular de camadas dopadas do tipo p para a construção de dispositivos optoeletrônicos (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-27072004-160748/NLM
Lamas TE. Epitaxia por feixe molecular de camadas dopadas do tipo p para a construção de dispositivos optoeletrônicos [Internet]. 2004 ;[citado 2024 jun. 02 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-27072004-160748/Vancouver
Lamas TE. Epitaxia por feixe molecular de camadas dopadas do tipo p para a construção de dispositivos optoeletrônicos [Internet]. 2004 ;[citado 2024 jun. 02 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-27072004-160748/
