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  • Source: Journal of Raman Spectroscopy. Unidades: EP, IQ

    Assunto: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS

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    • ABNT

      SALCEDO, Walter Jaimes e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier e RUBIM, Joel Camargo. Polarization effects on the Raman and photoluminescence spectra of porous silicon layers. Journal of Raman Spectroscopy, v. 30, p. 29-36, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/(sici)1097-4555(199901)30:1%3C29::aid-jrs337%3E3.0.co;2-p. Acesso em: 26 maio 2024.
    • APA

      Salcedo, W. J., Ramírez Fernandez, F. J., & Rubim, J. C. (1999). Polarization effects on the Raman and photoluminescence spectra of porous silicon layers. Journal of Raman Spectroscopy, 30, 29-36. doi:10.1002/(sici)1097-4555(199901)30:1%3C29::aid-jrs337%3E3.0.co;2-p
    • NLM

      Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ, Rubim JC. Polarization effects on the Raman and photoluminescence spectra of porous silicon layers [Internet]. Journal of Raman Spectroscopy. 1999 ; 30 29-36.[citado 2024 maio 26 ] Available from: https://doi.org/10.1002/(sici)1097-4555(199901)30:1%3C29::aid-jrs337%3E3.0.co;2-p
    • Vancouver

      Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ, Rubim JC. Polarization effects on the Raman and photoluminescence spectra of porous silicon layers [Internet]. Journal of Raman Spectroscopy. 1999 ; 30 29-36.[citado 2024 maio 26 ] Available from: https://doi.org/10.1002/(sici)1097-4555(199901)30:1%3C29::aid-jrs337%3E3.0.co;2-p
  • Source: Quimica Analitica. Unidades: IQ, EP

    Assunto: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS

    How to cite
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    • ABNT

      FONTES, Marcelo Bariatto Andrade et al. A study of modified silicon based microelectrodes for nitric oxide detection. Quimica Analitica, v. 18, p. 136-137, 1999Tradução . . Acesso em: 26 maio 2024.
    • APA

      Fontes, M. B. A., Angnes, L., Araki, K., Furlan, R., & Santiago-Avilés, J. J. (1999). A study of modified silicon based microelectrodes for nitric oxide detection. Quimica Analitica, 18, 136-137.
    • NLM

      Fontes MBA, Angnes L, Araki K, Furlan R, Santiago-Avilés JJ. A study of modified silicon based microelectrodes for nitric oxide detection. Quimica Analitica. 1999 ; 18 136-137.[citado 2024 maio 26 ]
    • Vancouver

      Fontes MBA, Angnes L, Araki K, Furlan R, Santiago-Avilés JJ. A study of modified silicon based microelectrodes for nitric oxide detection. Quimica Analitica. 1999 ; 18 136-137.[citado 2024 maio 26 ]
  • Source: Brazilian Journal of Physics. Unidades: EP, IQ

    Assunto: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      SALCEDO, Walter Jaimes e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier e RUBIM, Joel Camargo. Influence of layer excitation on Raman and photoluminescence spectra and FTIR study of porous silicon layers. Brazilian Journal of Physics, v. 29, n. 4, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400028. Acesso em: 26 maio 2024.
    • APA

      Salcedo, W. J., Ramírez Fernandez, F. J., & Rubim, J. C. (1999). Influence of layer excitation on Raman and photoluminescence spectra and FTIR study of porous silicon layers. Brazilian Journal of Physics, 29( 4). doi:10.1590/s0103-97331999000400028
    • NLM

      Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ, Rubim JC. Influence of layer excitation on Raman and photoluminescence spectra and FTIR study of porous silicon layers [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1999 ; 29( 4):[citado 2024 maio 26 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400028
    • Vancouver

      Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ, Rubim JC. Influence of layer excitation on Raman and photoluminescence spectra and FTIR study of porous silicon layers [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1999 ; 29( 4):[citado 2024 maio 26 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400028

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