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Tese (Doutorado)
Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet (2022)
Rangel, Ricardo Cardoso; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
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ABNT
RANGEL, Ricardo Cardoso. Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet. 2022. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/. Acesso em: 11 jun. 2024.
APA
Rangel, R. C. (2022). Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/
NLM
Rangel RC. Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet [Internet]. 2022 ;[citado 2024 jun. 11 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/
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Rangel RC. Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet [Internet]. 2022 ;[citado 2024 jun. 11 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/
Dissertação (Mestrado)
Fabricação e caracterização de um dispositivo óptico desenvolvido com tecnologia CMOS de 0,35 µm (2019)
Gamero Sobero, Vanessa Julia; Alayo Chávez, Marco Isaías (Orientador) ; Rehder, Gustavo Pamplona (coorient)
Unidade: EP
Subjects: DISPOSITIVOS ÓPTICOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
GAMERO SOBERO, Vanessa Julia. Fabricação e caracterização de um dispositivo óptico desenvolvido com tecnologia CMOS de 0,35 µm. 2019. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2019. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01022023-091536/. Acesso em: 11 jun. 2024.
APA
Gamero Sobero, V. J. (2019). Fabricação e caracterização de um dispositivo óptico desenvolvido com tecnologia CMOS de 0,35 µm (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01022023-091536/
NLM
Gamero Sobero VJ. Fabricação e caracterização de um dispositivo óptico desenvolvido com tecnologia CMOS de 0,35 µm [Internet]. 2019 ;[citado 2024 jun. 11 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01022023-091536/
Vancouver
Gamero Sobero VJ. Fabricação e caracterização de um dispositivo óptico desenvolvido com tecnologia CMOS de 0,35 µm [Internet]. 2019 ;[citado 2024 jun. 11 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01022023-091536/
Dissertação (Mestrado)
Sequência simples de fabricação de transistores SOI nMOSFET (2014)
Rangel, Ricardo Cardoso; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA, FABRICAÇÃO (MICROELETRÔNICA), DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, SEMICONDUTORES
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RANGEL, Ricardo Cardoso. Sequência simples de fabricação de transistores SOI nMOSFET. 2014. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2014. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12122014-153226/. Acesso em: 11 jun. 2024.
APA
Rangel, R. C. (2014). Sequência simples de fabricação de transistores SOI nMOSFET (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12122014-153226/
NLM
Rangel RC. Sequência simples de fabricação de transistores SOI nMOSFET [Internet]. 2014 ;[citado 2024 jun. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12122014-153226/
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Rangel RC. Sequência simples de fabricação de transistores SOI nMOSFET [Internet]. 2014 ;[citado 2024 jun. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12122014-153226/
Dissertação (Mestrado)
Análise do desempenho elétrico de transistores orgânicos visando a fabricação sobre substratos flexíveis (2013)
Zanchin, Vinicius Ramos; Fonseca, Fernando Josepetti (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, PROCESSOS DE FABRICAÇÃO, POLÍMEROS (QUÍMICA ORGÂNICA)
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ABNT
ZANCHIN, Vinicius Ramos. Análise do desempenho elétrico de transistores orgânicos visando a fabricação sobre substratos flexíveis. 2013. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2013. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10072014-014610/. Acesso em: 11 jun. 2024.
APA
Zanchin, V. R. (2013). Análise do desempenho elétrico de transistores orgânicos visando a fabricação sobre substratos flexíveis (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10072014-014610/
NLM
Zanchin VR. Análise do desempenho elétrico de transistores orgânicos visando a fabricação sobre substratos flexíveis [Internet]. 2013 ;[citado 2024 jun. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10072014-014610/
Vancouver
Zanchin VR. Análise do desempenho elétrico de transistores orgânicos visando a fabricação sobre substratos flexíveis [Internet]. 2013 ;[citado 2024 jun. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10072014-014610/
Tese (Doutorado)
Estudo das propriedades eletro ópticas de filmes finos de nitreto de índio nanoestruturado e de sua aplicação em dispositivos fotônicos e ópto eletrônicos (2011)
Medeiros, Marina Sparvoli de; Chubaci, José Fernando Diniz (Orientador); Mansano, Ronaldo Domingues (coorient)
Unidade: EP
Subjects: SEMICONDUTORES, SENSOR, ÓPTICA ELETRÔNICA, FILMES FINOS
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MEDEIROS, Marina Sparvoli de. Estudo das propriedades eletro ópticas de filmes finos de nitreto de índio nanoestruturado e de sua aplicação em dispositivos fotônicos e ópto eletrônicos. 2011. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2011. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09122011-094234/. Acesso em: 11 jun. 2024.
APA
Medeiros, M. S. de. (2011). Estudo das propriedades eletro ópticas de filmes finos de nitreto de índio nanoestruturado e de sua aplicação em dispositivos fotônicos e ópto eletrônicos (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09122011-094234/
NLM
Medeiros MS de. Estudo das propriedades eletro ópticas de filmes finos de nitreto de índio nanoestruturado e de sua aplicação em dispositivos fotônicos e ópto eletrônicos [Internet]. 2011 ;[citado 2024 jun. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09122011-094234/
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Medeiros MS de. Estudo das propriedades eletro ópticas de filmes finos de nitreto de índio nanoestruturado e de sua aplicação em dispositivos fotônicos e ópto eletrônicos [Internet]. 2011 ;[citado 2024 jun. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09122011-094234/
Tese (Doutorado)
Estudo do ponto invariante com a temperatura ("Zero Temperature Coefficient") em transistores SOI MOSFET fabricados com tecnologia ultra-submicrométrica (2011)
Camillo, Luciano Mendes; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: SEMICONDUTORES, TRANSISTORES, ALTA TEMPERATURA, MICROELETRÔNICA
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CAMILLO, Luciano Mendes. Estudo do ponto invariante com a temperatura ("Zero Temperature Coefficient") em transistores SOI MOSFET fabricados com tecnologia ultra-submicrométrica. 2011. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2011. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05042011-155808/. Acesso em: 11 jun. 2024.
APA
Camillo, L. M. (2011). Estudo do ponto invariante com a temperatura ("Zero Temperature Coefficient") em transistores SOI MOSFET fabricados com tecnologia ultra-submicrométrica (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05042011-155808/
NLM
Camillo LM. Estudo do ponto invariante com a temperatura ("Zero Temperature Coefficient") em transistores SOI MOSFET fabricados com tecnologia ultra-submicrométrica [Internet]. 2011 ;[citado 2024 jun. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05042011-155808/
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Camillo LM. Estudo do ponto invariante com a temperatura ("Zero Temperature Coefficient") em transistores SOI MOSFET fabricados com tecnologia ultra-submicrométrica [Internet]. 2011 ;[citado 2024 jun. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05042011-155808/
Dissertação (Mestrado)
Desempenho de dispositivos fotodetectores com multiplicação de elétrons por avalanche (2010)
Rodriguez Ramirez, Julian David; Ramírez Fernandez, Francisco Javier (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: FOTODETECTORES, SEMICONDUTORES
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RODRIGUEZ RAMIREZ, Julian David. Desempenho de dispositivos fotodetectores com multiplicação de elétrons por avalanche. 2010. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2010. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-29112016-134743/. Acesso em: 11 jun. 2024.
APA
Rodriguez Ramirez, J. D. (2010). Desempenho de dispositivos fotodetectores com multiplicação de elétrons por avalanche (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-29112016-134743/
NLM
Rodriguez Ramirez JD. Desempenho de dispositivos fotodetectores com multiplicação de elétrons por avalanche [Internet]. 2010 ;[citado 2024 jun. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-29112016-134743/
Vancouver
Rodriguez Ramirez JD. Desempenho de dispositivos fotodetectores com multiplicação de elétrons por avalanche [Internet]. 2010 ;[citado 2024 jun. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-29112016-134743/
Tese (Doutorado)
Estudo da mobilidade em dispositivos SOI planares e de múltiplas portas (2010)
Santos, Carolina Davanzzo Gomes dos; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: SEMICONDUTORES, TRANSISTORES, BAIXA TEMPERATURA, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, Carolina Davanzzo Gomes dos. Estudo da mobilidade em dispositivos SOI planares e de múltiplas portas. 2010. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2010. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10012011-093657/. Acesso em: 11 jun. 2024.
APA
Santos, C. D. G. dos. (2010). Estudo da mobilidade em dispositivos SOI planares e de múltiplas portas (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10012011-093657/
NLM
Santos CDG dos. Estudo da mobilidade em dispositivos SOI planares e de múltiplas portas [Internet]. 2010 ;[citado 2024 jun. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10012011-093657/
Vancouver
Santos CDG dos. Estudo da mobilidade em dispositivos SOI planares e de múltiplas portas [Internet]. 2010 ;[citado 2024 jun. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10012011-093657/
Tese (Doutorado)
Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico (2010)
Rodrigues, Michele; Martino, João Antonio (Orientador) ; Sonnenberg, Victor (coorient)
Unidade: EP
Subjects: SEMICONDUTORES, SILÍCIO, TRANSISTORES, ELETRODO, DIELÉTRICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, Michele. Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico. 2010. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2010. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01032011-122604/. Acesso em: 11 jun. 2024.
APA
Rodrigues, M. (2010). Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01032011-122604/
NLM
Rodrigues M. Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico [Internet]. 2010 ;[citado 2024 jun. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01032011-122604/
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Rodrigues M. Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico [Internet]. 2010 ;[citado 2024 jun. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01032011-122604/
Dissertação (Mestrado)
Desenvolvimento de uma metodologia de fabricação de transistores de filmes finos orgânicos (2010)
Cavallari, Marco Roberto ; Fonseca, Fernando Josepetti (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: SEMICONDUTORES, TRANSISTORES, CÉLULAS SOLARES, PROCESSOS DE FABRICAÇÃO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CAVALLARI, Marco Roberto. Desenvolvimento de uma metodologia de fabricação de transistores de filmes finos orgânicos. 2010. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2010. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-03112010-120818/. Acesso em: 11 jun. 2024.
APA
Cavallari, M. R. (2010). Desenvolvimento de uma metodologia de fabricação de transistores de filmes finos orgânicos (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-03112010-120818/
NLM
Cavallari MR. Desenvolvimento de uma metodologia de fabricação de transistores de filmes finos orgânicos [Internet]. 2010 ;[citado 2024 jun. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-03112010-120818/
Vancouver
Cavallari MR. Desenvolvimento de uma metodologia de fabricação de transistores de filmes finos orgânicos [Internet]. 2010 ;[citado 2024 jun. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-03112010-120818/
Dissertação (Mestrado)
Estudo do efeito de auto-aquecimento em transistores SOI com estrutura de canal gradual - GC SOI MOSFET (2007)
Oliveira, Sára Elizabeth Souza Brazão de; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, Sára Elizabeth Souza Brazão de. Estudo do efeito de auto-aquecimento em transistores SOI com estrutura de canal gradual - GC SOI MOSFET. 2007. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2007. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07082009-174420/. Acesso em: 11 jun. 2024.
APA
Oliveira, S. E. S. B. de. (2007). Estudo do efeito de auto-aquecimento em transistores SOI com estrutura de canal gradual - GC SOI MOSFET (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07082009-174420/
NLM
Oliveira SESB de. Estudo do efeito de auto-aquecimento em transistores SOI com estrutura de canal gradual - GC SOI MOSFET [Internet]. 2007 ;[citado 2024 jun. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07082009-174420/
Vancouver
Oliveira SESB de. Estudo do efeito de auto-aquecimento em transistores SOI com estrutura de canal gradual - GC SOI MOSFET [Internet]. 2007 ;[citado 2024 jun. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07082009-174420/
Tese (Doutorado)
Estudo da morfologia e estrutura de filmes de oxinitreto de silício (SiOxNy) obtidos pela técnica de PECVD (2007)
Souza, Denise Criado Pereira de ; Pereyra, Inés (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: ESTRUTURA DOS MATERIAIS, DIELÉTRICOS (PROPRIEDADES), ÓPTICA ELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, SEMICONDUTORES, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOUZA, Denise Criado Pereira de. Estudo da morfologia e estrutura de filmes de oxinitreto de silício (SiOxNy) obtidos pela técnica de PECVD. 2007. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2007. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09012008-145807/. Acesso em: 11 jun. 2024.
APA
Souza, D. C. P. de. (2007). Estudo da morfologia e estrutura de filmes de oxinitreto de silício (SiOxNy) obtidos pela técnica de PECVD (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09012008-145807/
NLM
Souza DCP de. Estudo da morfologia e estrutura de filmes de oxinitreto de silício (SiOxNy) obtidos pela técnica de PECVD [Internet]. 2007 ;[citado 2024 jun. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09012008-145807/
Vancouver
Souza DCP de. Estudo da morfologia e estrutura de filmes de oxinitreto de silício (SiOxNy) obtidos pela técnica de PECVD [Internet]. 2007 ;[citado 2024 jun. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09012008-145807/
Tese (Livre Docência)
Modelagem de novos materiais: da microeletrônica à nanoeletrônica (2006)
Justo Filho, João Francisco
Unidade: EP
Subjects: MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, SEMICONDUTORES, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco. Modelagem de novos materiais: da microeletrônica à nanoeletrônica. 2006. Tese (Livre Docência) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2006. . Acesso em: 11 jun. 2024.
APA
Justo Filho, J. F. (2006). Modelagem de novos materiais: da microeletrônica à nanoeletrônica (Tese (Livre Docência). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Justo Filho JF. Modelagem de novos materiais: da microeletrônica à nanoeletrônica. 2006 ;[citado 2024 jun. 11 ]
Vancouver
Justo Filho JF. Modelagem de novos materiais: da microeletrônica à nanoeletrônica. 2006 ;[citado 2024 jun. 11 ]
Dissertação (Mestrado)
Caracterização Elétrica de dispositivos SOI MOSFET fabricados com tecnologia sub-micrométrica (2006)
Paiola, Artur Gasparetto; Nicolett, Aparecido Sirley (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: SEMICONDUTORES, TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAIOLA, Artur Gasparetto. Caracterização Elétrica de dispositivos SOI MOSFET fabricados com tecnologia sub-micrométrica. 2006. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2006. . Acesso em: 11 jun. 2024.
APA
Paiola, A. G. (2006). Caracterização Elétrica de dispositivos SOI MOSFET fabricados com tecnologia sub-micrométrica (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Paiola AG. Caracterização Elétrica de dispositivos SOI MOSFET fabricados com tecnologia sub-micrométrica. 2006 ;[citado 2024 jun. 11 ]
Vancouver
Paiola AG. Caracterização Elétrica de dispositivos SOI MOSFET fabricados com tecnologia sub-micrométrica. 2006 ;[citado 2024 jun. 11 ]
Dissertação (Mestrado)
Caracterização elétrica de contatos rasos de siliceto de níquel sobre junções N+P (2006)
Pestana, Ricardo; Santos Filho, Sebastião Gomes dos (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: DIODOS, MEDIDAS ELÉTRICAS, MICROELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PESTANA, Ricardo. Caracterização elétrica de contatos rasos de siliceto de níquel sobre junções N+P. 2006. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2006. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08122006-143302/. Acesso em: 11 jun. 2024.
APA
Pestana, R. (2006). Caracterização elétrica de contatos rasos de siliceto de níquel sobre junções N+P (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08122006-143302/
NLM
Pestana R. Caracterização elétrica de contatos rasos de siliceto de níquel sobre junções N+P [Internet]. 2006 ;[citado 2024 jun. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08122006-143302/
Vancouver
Pestana R. Caracterização elétrica de contatos rasos de siliceto de níquel sobre junções N+P [Internet]. 2006 ;[citado 2024 jun. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08122006-143302/
Dissertação (Mestrado)
Passivação a vidro de junções semicondutoras em dispositivos de potência (2006)
Marzano, Fabiana Lodi; Morimoto, Nilton Itiro (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: SEMICONDUTORES, VIDRO, SILÍCIO, DIODOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARZANO, Fabiana Lodi. Passivação a vidro de junções semicondutoras em dispositivos de potência. 2006. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2006. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06042009-174012/. Acesso em: 11 jun. 2024.
APA
Marzano, F. L. (2006). Passivação a vidro de junções semicondutoras em dispositivos de potência (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06042009-174012/
NLM
Marzano FL. Passivação a vidro de junções semicondutoras em dispositivos de potência [Internet]. 2006 ;[citado 2024 jun. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06042009-174012/
Vancouver
Marzano FL. Passivação a vidro de junções semicondutoras em dispositivos de potência [Internet]. 2006 ;[citado 2024 jun. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06042009-174012/
Dissertação (Mestrado)
Construção e caracterização de fotodetetores metal-semicondutor-metal (MSM) (2006)
Ohta, Ricardo Luís; Morimoto, Nilton Itiro (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: FABRICAÇÃO (MICROELETRÔNICA), DISPOSITIVOS ÓPTICOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OHTA, Ricardo Luís. Construção e caracterização de fotodetetores metal-semicondutor-metal (MSM). 2006. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2006. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22072007-172649/. Acesso em: 11 jun. 2024.
APA
Ohta, R. L. (2006). Construção e caracterização de fotodetetores metal-semicondutor-metal (MSM) (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22072007-172649/
NLM
Ohta RL. Construção e caracterização de fotodetetores metal-semicondutor-metal (MSM) [Internet]. 2006 ;[citado 2024 jun. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22072007-172649/
Vancouver
Ohta RL. Construção e caracterização de fotodetetores metal-semicondutor-metal (MSM) [Internet]. 2006 ;[citado 2024 jun. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22072007-172649/
Tese (Doutorado)
Estudo da viabilidade de fabricação de dispositivos semicondutores baseados em filmes de carbeto de silício crescidos por PECVD (2006)
Oliveira, Alessandro Ricardo de; Paez Carreño, Marcelo Nelson (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: SILÍCIO, SEMICONDUTORES
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ABNT
OLIVEIRA, Alessandro Ricardo de. Estudo da viabilidade de fabricação de dispositivos semicondutores baseados em filmes de carbeto de silício crescidos por PECVD. 2006. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2006. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08122006-142624/. Acesso em: 11 jun. 2024.
APA
Oliveira, A. R. de. (2006). Estudo da viabilidade de fabricação de dispositivos semicondutores baseados em filmes de carbeto de silício crescidos por PECVD (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08122006-142624/
NLM
Oliveira AR de. Estudo da viabilidade de fabricação de dispositivos semicondutores baseados em filmes de carbeto de silício crescidos por PECVD [Internet]. 2006 ;[citado 2024 jun. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08122006-142624/
Vancouver
Oliveira AR de. Estudo da viabilidade de fabricação de dispositivos semicondutores baseados em filmes de carbeto de silício crescidos por PECVD [Internet]. 2006 ;[citado 2024 jun. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08122006-142624/
Dissertação (Mestrado)
Fabricação e caracterização de MEMS de carbeto de silício (a-SiC:H) obtido por PECVD (2005)
Rehder, Gustavo Pamplona ; Paez Carreño, Marcelo Nelson (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: SISTEMAS MICROELETROMECÂNICOS, PROCESSOS DE MICROELETRÔNICA, FABRICAÇÃO (MICROELETRÔNICA), SEMICONDUTORES
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ABNT
REHDER, Gustavo Pamplona. Fabricação e caracterização de MEMS de carbeto de silício (a-SiC:H) obtido por PECVD. 2005. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2005. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18052022-142156/. Acesso em: 11 jun. 2024.
APA
Rehder, G. P. (2005). Fabricação e caracterização de MEMS de carbeto de silício (a-SiC:H) obtido por PECVD (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18052022-142156/
NLM
Rehder GP. Fabricação e caracterização de MEMS de carbeto de silício (a-SiC:H) obtido por PECVD [Internet]. 2005 ;[citado 2024 jun. 11 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18052022-142156/
Vancouver
Rehder GP. Fabricação e caracterização de MEMS de carbeto de silício (a-SiC:H) obtido por PECVD [Internet]. 2005 ;[citado 2024 jun. 11 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18052022-142156/
Dissertação (Mestrado)
Caracterização elétrica de transistores SOI de porta circundante com estrutura de canal gradual em alta temperatura (2005)
Santos, Carolina Davanzzo Gomes dos; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: SEMICONDUTORES, TRANSISTORES, ALTA TEMPERATURA, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, Carolina Davanzzo Gomes dos. Caracterização elétrica de transistores SOI de porta circundante com estrutura de canal gradual em alta temperatura. 2005. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2005. . Acesso em: 11 jun. 2024.
APA
Santos, C. D. G. dos. (2005). Caracterização elétrica de transistores SOI de porta circundante com estrutura de canal gradual em alta temperatura (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Santos CDG dos. Caracterização elétrica de transistores SOI de porta circundante com estrutura de canal gradual em alta temperatura. 2005 ;[citado 2024 jun. 11 ]
Vancouver
Santos CDG dos. Caracterização elétrica de transistores SOI de porta circundante com estrutura de canal gradual em alta temperatura. 2005 ;[citado 2024 jun. 11 ]

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