Menu

Filtros : "Indexado no ISI - Institute for Scientific Information" "DIODOS" "FZEA" Removidos: "ZAB" "2019" Limpar

Filtros

Refine with date range

  • 1

1 - 2 (2 records)

  • Artigo de periodico

    Negative charged excitons in double barrier diodes (2005)

    Camps, I.; Vercik, Andrés; Galvão Gobato, Y.; Brasil, Maria J. S. P.; Marques, G. E.; Makler, Susana S.

    Source: Microelectronics Journal. Unidade: FZEA

    Subjects: MICROELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, DIODOS

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      CAMPS, I. et al. Negative charged excitons in double barrier diodes. Microelectronics Journal, v. no 2005, n. 11, p. 1038-1040, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.04.013. Acesso em: 28 maio 2024.

    • APA

      Camps, I., Vercik, A., Galvão Gobato, Y., Brasil, M. J. S. P., Marques, G. E., & Makler, S. S. (2005). Negative charged excitons in double barrier diodes. Microelectronics Journal, no 2005( 11), 1038-1040. doi:10.1016/j.mejo.2005.04.013

    • NLM

      Camps I, Vercik A, Galvão Gobato Y, Brasil MJSP, Marques GE, Makler SS. Negative charged excitons in double barrier diodes [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; no 2005( 11): 1038-1040.[citado 2024 maio 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.04.013

    • Vancouver

      Camps I, Vercik A, Galvão Gobato Y, Brasil MJSP, Marques GE, Makler SS. Negative charged excitons in double barrier diodes [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; no 2005( 11): 1038-1040.[citado 2024 maio 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.04.013

  • Artigo de periodico

    The dynamics of excitons and trions in resonant tunneling diodes (2005)

    Camps, I.; Makler, S. S.; Vercik, Andrés; Galvão Gobato, Y.; Marques, G. E.; Brasil, Maria J. S. P.

    Source: Solid State Communications. Unidade: FZEA

    Subjects: MICROELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, DIODOS

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      CAMPS, I. et al. The dynamics of excitons and trions in resonant tunneling diodes. Solid State Communications, v. 135, n. 4, p. 241-246, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2005.04.026. Acesso em: 28 maio 2024.

    • APA

      Camps, I., Makler, S. S., Vercik, A., Galvão Gobato, Y., Marques, G. E., & Brasil, M. J. S. P. (2005). The dynamics of excitons and trions in resonant tunneling diodes. Solid State Communications, 135( 4), 241-246. doi:10.1016/j.ssc.2005.04.026

    • NLM

      Camps I, Makler SS, Vercik A, Galvão Gobato Y, Marques GE, Brasil MJSP. The dynamics of excitons and trions in resonant tunneling diodes [Internet]. Solid State Communications. 2005 ; 135( 4): 241-246.[citado 2024 maio 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2005.04.026

    • Vancouver

      Camps I, Makler SS, Vercik A, Galvão Gobato Y, Marques GE, Brasil MJSP. The dynamics of excitons and trions in resonant tunneling diodes [Internet]. Solid State Communications. 2005 ; 135( 4): 241-246.[citado 2024 maio 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2005.04.026
  • 1

1 - 2 (2 records)

Digital Library of Intellectual Production of Universidade de São Paulo     2012 - 2024