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Trabalho de evento-resumo
Relative stability of octahedral and trigonal prismatic phases of MoSe2 flakes from density functional theory calculations (2017)
Besse, R.; Caturello, N. A. M. S.; Bastos, C. M. O.; Guedes-Sobrinho, D.; Lima, M. P; Sipahi, Guilherme Matos; Silva, Juarez Lopes Ferreira da
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidades: IFSC, IQSC
Subjects: SEMICONDUTORES, LASER
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ABNT
BESSE, R. et al. Relative stability of octahedral and trigonal prismatic phases of MoSe2 flakes from density functional theory calculations. 2017, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2017. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/bfa1b65d-62a3-445a-be7c-0dc9fa863990/P17185.pdf. Acesso em: 07 jun. 2024.
APA
Besse, R., Caturello, N. A. M. S., Bastos, C. M. O., Guedes-Sobrinho, D., Lima, M. P., Sipahi, G. M., & Silva, J. L. F. da. (2017). Relative stability of octahedral and trigonal prismatic phases of MoSe2 flakes from density functional theory calculations. In Livro de Resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/bfa1b65d-62a3-445a-be7c-0dc9fa863990/P17185.pdf
NLM
Besse R, Caturello NAMS, Bastos CMO, Guedes-Sobrinho D, Lima MP, Sipahi GM, Silva JLF da. Relative stability of octahedral and trigonal prismatic phases of MoSe2 flakes from density functional theory calculations [Internet]. Livro de Resumos. 2017 ;[citado 2024 jun. 07 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/bfa1b65d-62a3-445a-be7c-0dc9fa863990/P17185.pdf
Vancouver
Besse R, Caturello NAMS, Bastos CMO, Guedes-Sobrinho D, Lima MP, Sipahi GM, Silva JLF da. Relative stability of octahedral and trigonal prismatic phases of MoSe2 flakes from density functional theory calculations [Internet]. Livro de Resumos. 2017 ;[citado 2024 jun. 07 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/bfa1b65d-62a3-445a-be7c-0dc9fa863990/P17185.pdf
Trabalho de evento-resumo
Theoretical study of transition metal dichalcogenides: stability energy, structural and electronic properties (2017)
Bastos, C. M. O.; Sabino, F. P.; Besse, R.; Sipahi, Guilherme Matos; Silva, Juarez Lopes Ferreira da
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidades: IFSC, IQSC
Subjects: SEMICONDUTORES, MAGNETISMO, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
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ABNT
BASTOS, C. M. O. et al. Theoretical study of transition metal dichalcogenides: stability energy, structural and electronic properties. 2017, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2017. . Acesso em: 07 jun. 2024.
APA
Bastos, C. M. O., Sabino, F. P., Besse, R., Sipahi, G. M., & Silva, J. L. F. da. (2017). Theoretical study of transition metal dichalcogenides: stability energy, structural and electronic properties. In Livro de Resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC.
NLM
Bastos CMO, Sabino FP, Besse R, Sipahi GM, Silva JLF da. Theoretical study of transition metal dichalcogenides: stability energy, structural and electronic properties. Livro de Resumos. 2017 ;[citado 2024 jun. 07 ]
Vancouver
Bastos CMO, Sabino FP, Besse R, Sipahi GM, Silva JLF da. Theoretical study of transition metal dichalcogenides: stability energy, structural and electronic properties. Livro de Resumos. 2017 ;[citado 2024 jun. 07 ]
Trabalho de evento-resumo
g-factors, effective mass and structural parameters in III-V semiconductors from hybrid-density functional theory (2016)
Bastos, C. M. O.; Sabino, F. P.; Silva, Juarez Lopes Ferreira da ; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidades: IQSC, IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, LASER
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BASTOS, C. M. O. et al. g-factors, effective mass and structural parameters in III-V semiconductors from hybrid-density functional theory. 2016, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2016. Disponível em: http://sifsc.ifsc.usp.br/2016/livro_de_resumos_2016.pdf. Acesso em: 07 jun. 2024.
APA
Bastos, C. M. O., Sabino, F. P., Silva, J. L. F. da, & Sipahi, G. M. (2016). g-factors, effective mass and structural parameters in III-V semiconductors from hybrid-density functional theory. In Livro de Resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de http://sifsc.ifsc.usp.br/2016/livro_de_resumos_2016.pdf
NLM
Bastos CMO, Sabino FP, Silva JLF da, Sipahi GM. g-factors, effective mass and structural parameters in III-V semiconductors from hybrid-density functional theory [Internet]. Livro de Resumos. 2016 ;[citado 2024 jun. 07 ] Available from: http://sifsc.ifsc.usp.br/2016/livro_de_resumos_2016.pdf
Vancouver
Bastos CMO, Sabino FP, Silva JLF da, Sipahi GM. g-factors, effective mass and structural parameters in III-V semiconductors from hybrid-density functional theory [Internet]. Livro de Resumos. 2016 ;[citado 2024 jun. 07 ] Available from: http://sifsc.ifsc.usp.br/2016/livro_de_resumos_2016.pdf
Trabalho de evento-resumo
Comparative study between 8x 8 and 6x6 k.p Hamiltonian: the case of GaAs zinc blende (2015)
Bastos, C. M. O.; Sabino, F.; Faria Junior, P. E.; Campos, T.; Silva, Juarez Lopes Ferreira da ; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidades: IQSC, IFSC
Subjects: BLENDAS, ZINCO, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BASTOS, C. M. O. et al. Comparative study between 8x 8 and 6x6 k.p Hamiltonian: the case of GaAs zinc blende. 2015, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2015. . Acesso em: 07 jun. 2024.
APA
Bastos, C. M. O., Sabino, F., Faria Junior, P. E., Campos, T., Silva, J. L. F. da, & Sipahi, G. M. (2015). Comparative study between 8x 8 and 6x6 k.p Hamiltonian: the case of GaAs zinc blende. In Livro de Resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC.
NLM
Bastos CMO, Sabino F, Faria Junior PE, Campos T, Silva JLF da, Sipahi GM. Comparative study between 8x 8 and 6x6 k.p Hamiltonian: the case of GaAs zinc blende. Livro de Resumos. 2015 ;[citado 2024 jun. 07 ]
Vancouver
Bastos CMO, Sabino F, Faria Junior PE, Campos T, Silva JLF da, Sipahi GM. Comparative study between 8x 8 and 6x6 k.p Hamiltonian: the case of GaAs zinc blende. Livro de Resumos. 2015 ;[citado 2024 jun. 07 ]
Trabalho de evento-resumo
Cálculo dos parâmetros k.p para semicondutores Ga-V na forma zinc blende (2014)
Bastos, C. M. O.; Faria Junior, P. E.; Campos, T.; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: BLENDAS, ZINCO, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BASTOS, C. M. O. et al. Cálculo dos parâmetros k.p para semicondutores Ga-V na forma zinc blende. 2014, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2014. . Acesso em: 07 jun. 2024.
APA
Bastos, C. M. O., Faria Junior, P. E., Campos, T., & Sipahi, G. M. (2014). Cálculo dos parâmetros k.p para semicondutores Ga-V na forma zinc blende. In Livro de Resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC.
NLM
Bastos CMO, Faria Junior PE, Campos T, Sipahi GM. Cálculo dos parâmetros k.p para semicondutores Ga-V na forma zinc blende. Livro de Resumos. 2014 ;[citado 2024 jun. 07 ]
Vancouver
Bastos CMO, Faria Junior PE, Campos T, Sipahi GM. Cálculo dos parâmetros k.p para semicondutores Ga-V na forma zinc blende. Livro de Resumos. 2014 ;[citado 2024 jun. 07 ]

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