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Artigo de periodico
Hydrodynamics of electron-hole fluid photogenerated in a mesoscopic two-dimensional channel (2024)
Patricio, Marco Antonio Tito ; Jacobsen, Gabriel Marques ; Teodoro, Marcio Daldin ; Gusev, Gennady ; Bakarov, Askhat ; Pusep, Yuri
Fonte: Physical Review B. Unidades: IF, IFSC
Assuntos: POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES, CAMPO MAGNÉTICO
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ABNT
PATRICIO, Marco Antonio Tito et al. Hydrodynamics of electron-hole fluid photogenerated in a mesoscopic two-dimensional channel. Physical Review B, v. 109, n. 12, p. L121401-1-L121401-6, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.109.L121401. Acesso em: 02 jun. 2024.
APA
Patricio, M. A. T., Jacobsen, G. M., Teodoro, M. D., Gusev, G., Bakarov, A., & Pusep, Y. (2024). Hydrodynamics of electron-hole fluid photogenerated in a mesoscopic two-dimensional channel. Physical Review B, 109( 12), L121401-1-L121401-6. doi:10.1103/PhysRevB.109.L121401
NLM
Patricio MAT, Jacobsen GM, Teodoro MD, Gusev G, Bakarov A, Pusep Y. Hydrodynamics of electron-hole fluid photogenerated in a mesoscopic two-dimensional channel [Internet]. Physical Review B. 2024 ; 109( 12): L121401-1-L121401-6.[citado 2024 jun. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.109.L121401
Vancouver
Patricio MAT, Jacobsen GM, Teodoro MD, Gusev G, Bakarov A, Pusep Y. Hydrodynamics of electron-hole fluid photogenerated in a mesoscopic two-dimensional channel [Internet]. Physical Review B. 2024 ; 109( 12): L121401-1-L121401-6.[citado 2024 jun. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.109.L121401
Curadoria
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 16 (2013)
Sipahi, Guilherme Matos (cur); Caldas, Marília Junqueira (cur); Pusep, Yuri A. (cur); Egues, José Carlos (cur)
Unidades: IFSC, IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, FÍSICA TEÓRICA
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ABNT
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 16. . São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. . Acesso em: 02 jun. 2024. , 2013
APA
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 16. (2013). Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 16. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC.
NLM
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 16. 2013 ;[citado 2024 jun. 02 ]
Vancouver
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 16. 2013 ;[citado 2024 jun. 02 ]
Trabalho de evento-anais periodico
Ion beam assisted deposition of an organic light emitting diode electrode (2010)
Dionysio, D. Olzon; Chubaci, Jose Fernando Diniz; Matsuoka, Masao; Faria, Roberto Mendonça; Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo
Fonte: Surface and Coatings Technology. Nome do evento: International Workshop on Plasma-Based Ion Implantation and Deposition. Unidades: IF, IFSC
Assuntos: ÍONS (ESTUDO), POLÍMEROS (MATERIAIS), EMISSÃO DA LUZ, DIODOS
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ABNT
DIONYSIO, D. Olzon et al. Ion beam assisted deposition of an organic light emitting diode electrode. Surface and Coatings Technology. Lausanne: Elsevier. Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2010.01.014. Acesso em: 02 jun. 2024. , 2010
APA
Dionysio, D. O., Chubaci, J. F. D., Matsuoka, M., Faria, R. M., & Guimarães, F. E. G. (2010). Ion beam assisted deposition of an organic light emitting diode electrode. Surface and Coatings Technology. Lausanne: Elsevier. doi:10.1016/j.surfcoat.2010.01.014
NLM
Dionysio DO, Chubaci JFD, Matsuoka M, Faria RM, Guimarães FEG. Ion beam assisted deposition of an organic light emitting diode electrode [Internet]. Surface and Coatings Technology. 2010 ; 204( 18/19): 3096-3099.[citado 2024 jun. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2010.01.014
Vancouver
Dionysio DO, Chubaci JFD, Matsuoka M, Faria RM, Guimarães FEG. Ion beam assisted deposition of an organic light emitting diode electrode [Internet]. Surface and Coatings Technology. 2010 ; 204( 18/19): 3096-3099.[citado 2024 jun. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2010.01.014
Trabalho de evento-resumo
OLED with different metal/organic interface configuration (2010)
Dionysio, D. Olzon; Faria, Roberto Mendonça; Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo; Chubaci, Jose Fernando Diniz; Matsuoka, Masao
Fonte: Livro de Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada - ENFMC. Unidades: IFSC, IF
Assuntos: POLÍMEROS (QUÍMICA ORGÂNICA), FILMES FINOS, METAIS, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
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ABNT
DIONYSIO, D. Olzon et al. OLED with different metal/organic interface configuration. 2010, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2010. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/99.pdf. Acesso em: 02 jun. 2024.
APA
Dionysio, D. O., Faria, R. M., Guimarães, F. E. G., Chubaci, J. F. D., & Matsuoka, M. (2010). OLED with different metal/organic interface configuration. In Livro de Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/99.pdf
NLM
Dionysio DO, Faria RM, Guimarães FEG, Chubaci JFD, Matsuoka M. OLED with different metal/organic interface configuration [Internet]. Livro de Resumos. 2010 ;[citado 2024 jun. 02 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/99.pdf
Vancouver
Dionysio DO, Faria RM, Guimarães FEG, Chubaci JFD, Matsuoka M. OLED with different metal/organic interface configuration [Internet]. Livro de Resumos. 2010 ;[citado 2024 jun. 02 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/99.pdf
Trabalho de evento-resumo
Propriedades optoeletrôncias de interfaces híbridas metal/semicondutor orgânico preparadas por deposição assistida por feixes de íons (IBAD) (2010)
Dionysio, Danilo Olzon; Faria, Roberto Mendonça; Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo; Matsuoka, Masao; Chubaci, Jose Fernando Diniz
Fonte: Livro de Resumos. Nome do evento: Workshop da Pós-Graduação do IFSC. Unidades: IFSC, IF
Assuntos: ÓPTICA ELETRÔNICA (PROPRIEDADES), DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, FILMES FINOS (PROPRIEDADES ELÉTRICAS), POLÍMEROS (QUÍMICA ORGÂNICA)
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ABNT
DIONYSIO, Danilo Olzon et al. Propriedades optoeletrôncias de interfaces híbridas metal/semicondutor orgânico preparadas por deposição assistida por feixes de íons (IBAD). 2010, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2010. . Acesso em: 02 jun. 2024.
APA
Dionysio, D. O., Faria, R. M., Guimarães, F. E. G., Matsuoka, M., & Chubaci, J. F. D. (2010). Propriedades optoeletrôncias de interfaces híbridas metal/semicondutor orgânico preparadas por deposição assistida por feixes de íons (IBAD). In Livro de Resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC.
NLM
Dionysio DO, Faria RM, Guimarães FEG, Matsuoka M, Chubaci JFD. Propriedades optoeletrôncias de interfaces híbridas metal/semicondutor orgânico preparadas por deposição assistida por feixes de íons (IBAD). Livro de Resumos. 2010 ;[citado 2024 jun. 02 ]
Vancouver
Dionysio DO, Faria RM, Guimarães FEG, Matsuoka M, Chubaci JFD. Propriedades optoeletrôncias de interfaces híbridas metal/semicondutor orgânico preparadas por deposição assistida por feixes de íons (IBAD). Livro de Resumos. 2010 ;[citado 2024 jun. 02 ]
Trabalho de evento-resumo
Electro-optical characterization of non-abrupt metal/organic interfaces prepared by ion beam assisted deposition (IBAD) (2009)
Dionysio, D. Olzon; Chubaci, Jose Fernando Diniz; Faria, Roberto Mendonça; Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo
Fonte: Program. Nome do evento: International Symposium on Advanced Materials and Nanostructures - ISAMN. Unidades: IF, IFSC
Assuntos: POLÍMEROS (MATERIAIS), DIODOS, EMISSÃO DE LUZ, QUÍMICA ORGÂNICA, FILMES FINOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
DIONYSIO, D. Olzon et al. Electro-optical characterization of non-abrupt metal/organic interfaces prepared by ion beam assisted deposition (IBAD). 2009, Anais.. Santo André: Universidade Federal do ABC - UFABC, 2009. . Acesso em: 02 jun. 2024.
APA
Dionysio, D. O., Chubaci, J. F. D., Faria, R. M., & Guimarães, F. E. G. (2009). Electro-optical characterization of non-abrupt metal/organic interfaces prepared by ion beam assisted deposition (IBAD). In Program. Santo André: Universidade Federal do ABC - UFABC.
NLM
Dionysio DO, Chubaci JFD, Faria RM, Guimarães FEG. Electro-optical characterization of non-abrupt metal/organic interfaces prepared by ion beam assisted deposition (IBAD). Program. 2009 ;[citado 2024 jun. 02 ]
Vancouver
Dionysio DO, Chubaci JFD, Faria RM, Guimarães FEG. Electro-optical characterization of non-abrupt metal/organic interfaces prepared by ion beam assisted deposition (IBAD). Program. 2009 ;[citado 2024 jun. 02 ]
Trabalho de evento-resumo
Propriedades optoeletrônicas de interfaces híbridas metal/semicondutor orgânico preparadas por deposição assistida por feixes de íons (IBAD) (2009)
Dionysio, D. Olzon; Chubaci, Jose Fernando Diniz; Matusoka, M.; Faria, Roberto Mendonça; Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo
Fonte: Caderno de Resumos. Nome do evento: Workshop da Pós-Graduação em Física do IFSC. Unidades: IF, IFSC
Assuntos: ELÉTRONS, POLÍMEROS (MATERIAIS) (PROPRIEDADES ELÉTRICAS;APLICAÇÕES), ÓPTICA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DIONYSIO, D. Olzon et al. Propriedades optoeletrônicas de interfaces híbridas metal/semicondutor orgânico preparadas por deposição assistida por feixes de íons (IBAD). 2009, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - USP, 2009. . Acesso em: 02 jun. 2024.
APA
Dionysio, D. O., Chubaci, J. F. D., Matusoka, M., Faria, R. M., & Guimarães, F. E. G. (2009). Propriedades optoeletrônicas de interfaces híbridas metal/semicondutor orgânico preparadas por deposição assistida por feixes de íons (IBAD). In Caderno de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - USP.
NLM
Dionysio DO, Chubaci JFD, Matusoka M, Faria RM, Guimarães FEG. Propriedades optoeletrônicas de interfaces híbridas metal/semicondutor orgânico preparadas por deposição assistida por feixes de íons (IBAD). Caderno de Resumos. 2009 ;[citado 2024 jun. 02 ]
Vancouver
Dionysio DO, Chubaci JFD, Matusoka M, Faria RM, Guimarães FEG. Propriedades optoeletrônicas de interfaces híbridas metal/semicondutor orgânico preparadas por deposição assistida por feixes de íons (IBAD). Caderno de Resumos. 2009 ;[citado 2024 jun. 02 ]
Trabalho de evento-resumo
Non-abrupt metal/organic interfaces prepared by ion beam assisted deposition (IBAD) for organic devices (2009)
Souza, Danilo Olzon Dionysio de; Faria, Roberto Mendonça; Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo; Chubaci, José Fernando Diniz; Matsuoka, Masao
Fonte: Livro de Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada - ENFMC. Unidades: IFSC, IF
Assuntos: POLÍMEROS (MATERIAIS), FILMES FINOS, ÓPTICA ELETRÔNICA (PROPRIEDADES)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOUZA, Danilo Olzon Dionysio de et al. Non-abrupt metal/organic interfaces prepared by ion beam assisted deposition (IBAD) for organic devices. 2009, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2009. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/prog/xxxii_enfmc_abstracts.pdf. Acesso em: 02 jun. 2024.
APA
Souza, D. O. D. de, Faria, R. M., Guimarães, F. E. G., Chubaci, J. F. D., & Matsuoka, M. (2009). Non-abrupt metal/organic interfaces prepared by ion beam assisted deposition (IBAD) for organic devices. In Livro de Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/prog/xxxii_enfmc_abstracts.pdf
NLM
Souza DOD de, Faria RM, Guimarães FEG, Chubaci JFD, Matsuoka M. Non-abrupt metal/organic interfaces prepared by ion beam assisted deposition (IBAD) for organic devices [Internet]. Livro de Resumos. 2009 ;[citado 2024 jun. 02 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/prog/xxxii_enfmc_abstracts.pdf
Vancouver
Souza DOD de, Faria RM, Guimarães FEG, Chubaci JFD, Matsuoka M. Non-abrupt metal/organic interfaces prepared by ion beam assisted deposition (IBAD) for organic devices [Internet]. Livro de Resumos. 2009 ;[citado 2024 jun. 02 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/prog/xxxii_enfmc_abstracts.pdf

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