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Trabalho de evento-anais periodico
Subband structure of II-VI modulation-doped magnetic quantum wells (2002)
Freire, Henrique J. P.; Egues, José Carlos
Source: Brazilian Journal of Physics. Conference titles: Brazilian Workshop on Semicondutor Physics. Unidade: IFSC
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
FREIRE, Henrique J. P. e EGUES, José Carlos. Subband structure of II-VI modulation-doped magnetic quantum wells. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: SBF. Disponível em: http://sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_327.pdf. Acesso em: 13 jun. 2024. , 2002
APA
Freire, H. J. P., & Egues, J. C. (2002). Subband structure of II-VI modulation-doped magnetic quantum wells. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: SBF. Recuperado de http://sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_327.pdf
NLM
Freire HJP, Egues JC. Subband structure of II-VI modulation-doped magnetic quantum wells [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( Ju 2002): 327-330.[citado 2024 jun. 13 ] Available from: http://sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_327.pdf
Vancouver
Freire HJP, Egues JC. Subband structure of II-VI modulation-doped magnetic quantum wells [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( Ju 2002): 327-330.[citado 2024 jun. 13 ] Available from: http://sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_327.pdf
Trabalho de evento-anais periodico
Hole transport characteristics in pure and doped GaSb (2002)
Messias, L G O; Marega Júnior, Euclydes
Source: Brazilian Journal of Physics. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductors Physics. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA), FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
MESSIAS, L G O e MAREGA JÚNIOR, Euclydes. Hole transport characteristics in pure and doped GaSb. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: SBF. Disponível em: http://sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_402.pdf. Acesso em: 13 jun. 2024. , 2002
APA
Messias, L. G. O., & Marega Júnior, E. (2002). Hole transport characteristics in pure and doped GaSb. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: SBF. Recuperado de http://sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_402.pdf
NLM
Messias LGO, Marega Júnior E. Hole transport characteristics in pure and doped GaSb [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( Ju 2002): 402-404.[citado 2024 jun. 13 ] Available from: http://sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_402.pdf
Vancouver
Messias LGO, Marega Júnior E. Hole transport characteristics in pure and doped GaSb [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( Ju 2002): 402-404.[citado 2024 jun. 13 ] Available from: http://sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_402.pdf
Trabalho de evento-anais periodico
Bare LO-Phonon peack in THz-Emission signals: a dielectric-function analysis (2002)
Souza, Fabrício M; Egues, José Carlos
Source: Brazilian Journal of Physics. Conference titles: Brazilian Workshop on Semicondutor Physics. Unidade: IFSC
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA)
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ABNT
SOUZA, Fabrício M e EGUES, José Carlos. Bare LO-Phonon peack in THz-Emission signals: a dielectric-function analysis. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: SBF. Disponível em: http://sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_415.pdf. Acesso em: 13 jun. 2024. , 2002
APA
Souza, F. M., & Egues, J. C. (2002). Bare LO-Phonon peack in THz-Emission signals: a dielectric-function analysis. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: SBF. Recuperado de http://sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_415.pdf
NLM
Souza FM, Egues JC. Bare LO-Phonon peack in THz-Emission signals: a dielectric-function analysis [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( Ju): 415-417.[citado 2024 jun. 13 ] Available from: http://sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_415.pdf
Vancouver
Souza FM, Egues JC. Bare LO-Phonon peack in THz-Emission signals: a dielectric-function analysis [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( Ju): 415-417.[citado 2024 jun. 13 ] Available from: http://sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_415.pdf
Trabalho de evento-anais periodico
Shot noise in the presence od spin-flip scattering (2002)
Brito, F. C.; Egues, José Carlos
Source: Brazilian Journal of Physics. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IFSC
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
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ABNT
BRITO, F. C. e EGUES, José Carlos. Shot noise in the presence od spin-flip scattering. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: SBF. Disponível em: http://sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_324.pdf. Acesso em: 13 jun. 2024. , 2002
APA
Brito, F. C., & Egues, J. C. (2002). Shot noise in the presence od spin-flip scattering. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: SBF. Recuperado de http://sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_324.pdf
NLM
Brito FC, Egues JC. Shot noise in the presence od spin-flip scattering [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( Ju): 324-326.[citado 2024 jun. 13 ] Available from: http://sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_324.pdf
Vancouver
Brito FC, Egues JC. Shot noise in the presence od spin-flip scattering [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( Ju): 324-326.[citado 2024 jun. 13 ] Available from: http://sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_324.pdf
Trabalho de evento-anais periodico
Magnetic properties of gadolinium-doped amorphous silicon films (2002)
Sercheli, M. S.; Rettori, C; Zanatta, Antonio Ricardo
Source: Brazilian Journal of Physics. Conference titles: Brazilian Workshop on Semicondutor Physics. Unidade: IFSC
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SERCHELI, M. S. e RETTORI, C e ZANATTA, Antonio Ricardo. Magnetic properties of gadolinium-doped amorphous silicon films. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: SBF. Disponível em: http://sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_409.pdf. Acesso em: 13 jun. 2024. , 2002
APA
Sercheli, M. S., Rettori, C., & Zanatta, A. R. (2002). Magnetic properties of gadolinium-doped amorphous silicon films. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: SBF. Recuperado de http://sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_409.pdf
NLM
Sercheli MS, Rettori C, Zanatta AR. Magnetic properties of gadolinium-doped amorphous silicon films [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( Ju 2002): 409-411.[citado 2024 jun. 13 ] Available from: http://sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_409.pdf
Vancouver
Sercheli MS, Rettori C, Zanatta AR. Magnetic properties of gadolinium-doped amorphous silicon films [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( Ju 2002): 409-411.[citado 2024 jun. 13 ] Available from: http://sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_409.pdf

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