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Trabalho de evento
Dipole relaxation current in n-type 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' (1994)
Scalvi, L V A; Oliveira, L.; Siu Li, Máximo
Fonte: Materials Research Society Symposium Proceedings. Nome do evento: MRS Fall Meeting. Unidade: IFQSC
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS), MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SCALVI, L V A e OLIVEIRA, L. e SIU LI, Máximo. Dipole relaxation current in n-type 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'. 1994, Anais.. Pittsburgh: Materials Research Society - MRS, 1994. Disponível em: https://doi.org/10.1557/PROC-325-285. Acesso em: 01 ago. 2024.
APA
Scalvi, L. V. A., Oliveira, L., & Siu Li, M. (1994). Dipole relaxation current in n-type 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'. In Materials Research Society Symposium Proceedings (Vol. 325). Pittsburgh: Materials Research Society - MRS. doi:10.1557/PROC-325-285
NLM
Scalvi LVA, Oliveira L, Siu Li M. Dipole relaxation current in n-type 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' [Internet]. Materials Research Society Symposium Proceedings. 1994 ; 325[citado 2024 ago. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1557/PROC-325-285
Vancouver
Scalvi LVA, Oliveira L, Siu Li M. Dipole relaxation current in n-type 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' [Internet]. Materials Research Society Symposium Proceedings. 1994 ; 325[citado 2024 ago. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1557/PROC-325-285
Trabalho de evento-resumo
A caracterizacao e dominio da tecnica de producao de centros de cor (1993)
Oliveira, F.; Siu Li, Máximo
Fonte: Resumos. Nome do evento: Simposio Estadual de Iniciacao Cientifica em Fisica. Unidade: IFQSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
OLIVEIRA, F. e SIU LI, Máximo. A caracterizacao e dominio da tecnica de producao de centros de cor. 1993, Anais.. Sao Carlos: Ifqsc-Usp, 1993. . Acesso em: 01 ago. 2024.
APA
Oliveira, F., & Siu Li, M. (1993). A caracterizacao e dominio da tecnica de producao de centros de cor. In Resumos. Sao Carlos: Ifqsc-Usp.
NLM
Oliveira F, Siu Li M. A caracterizacao e dominio da tecnica de producao de centros de cor. Resumos. 1993 ;[citado 2024 ago. 01 ]
Vancouver
Oliveira F, Siu Li M. A caracterizacao e dominio da tecnica de producao de centros de cor. Resumos. 1993 ;[citado 2024 ago. 01 ]
Trabalho de evento-resumo
On the photoconductivity of n-doped 'AL''GA''AS' around liquid 'HE' temperature (1993)
Scalvi, L V A; Siu Li, Máximo; Minami, E; Oliveira, L.
Fonte: Abstracts. Nome do evento: Brazilian School of Semiconductor Physics. Unidade: IFQSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
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ABNT
SCALVI, L V A et al. On the photoconductivity of n-doped 'AL''GA''AS' around liquid 'HE' temperature. 1993, Anais.. Sao Carlos: Usp/Ufscar, 1993. . Acesso em: 01 ago. 2024.
APA
Scalvi, L. V. A., Siu Li, M., Minami, E., & Oliveira, L. (1993). On the photoconductivity of n-doped 'AL''GA''AS' around liquid 'HE' temperature. In Abstracts. Sao Carlos: Usp/Ufscar.
NLM
Scalvi LVA, Siu Li M, Minami E, Oliveira L. On the photoconductivity of n-doped 'AL''GA''AS' around liquid 'HE' temperature. Abstracts. 1993 ;[citado 2024 ago. 01 ]
Vancouver
Scalvi LVA, Siu Li M, Minami E, Oliveira L. On the photoconductivity of n-doped 'AL''GA''AS' around liquid 'HE' temperature. Abstracts. 1993 ;[citado 2024 ago. 01 ]
Trabalho de evento-resumo
570 nm and 4.8 'mü' emissions in 'YB POT.2+' / C'N POT.-' double doped K'CL' (1993)
Muller, M; Fabris, J L; Hernandes, Antônio Carlos; Siu Li, Máximo
Fonte: Technical Digest. Nome do evento: International Conference on Luminescence. Unidade: IFQSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
MULLER, M et al. 570 nm and 4.8 'mü' emissions in 'YB POT.2+' / C'N POT.-' double doped K'CL'. 1993, Anais.. Storrs: University of Connecticut, 1993. . Acesso em: 01 ago. 2024.
APA
Muller, M., Fabris, J. L., Hernandes, A. C., & Siu Li, M. (1993). 570 nm and 4.8 'mü' emissions in 'YB POT.2+' / C'N POT.-' double doped K'CL'. In Technical Digest. Storrs: University of Connecticut.
NLM
Muller M, Fabris JL, Hernandes AC, Siu Li M. 570 nm and 4.8 'mü' emissions in 'YB POT.2+' / C'N POT.-' double doped K'CL'. Technical Digest. 1993 ;[citado 2024 ago. 01 ]
Vancouver
Muller M, Fabris JL, Hernandes AC, Siu Li M. 570 nm and 4.8 'mü' emissions in 'YB POT.2+' / C'N POT.-' double doped K'CL'. Technical Digest. 1993 ;[citado 2024 ago. 01 ]
Trabalho de evento-resumo
Correlacao entre espectro de absorcao otica e microestrutura de filmes de k'CL': 'CU POT.+' Depositadas em diversas temperaturas do substrato (1993)
Oliveira, L.; Silva, Marcelo de Assumpção Pereira da ; Siu Li, Máximo; Aegerter, M A
Nome do evento: Coloquio da Sociedade Brasileira de Microscopia Eletronica. Unidades: IFQSC, IFSC
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
OLIVEIRA, L. et al. Correlacao entre espectro de absorcao otica e microestrutura de filmes de k'CL': 'CU POT.+' Depositadas em diversas temperaturas do substrato. 1993, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Microscopia Eletronica, 1993. . Acesso em: 01 ago. 2024.
APA
Oliveira, L., Silva, M. de A. P. da, Siu Li, M., & Aegerter, M. A. (1993). Correlacao entre espectro de absorcao otica e microestrutura de filmes de k'CL': 'CU POT.+' Depositadas em diversas temperaturas do substrato. In . Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Microscopia Eletronica.
NLM
Oliveira L, Silva M de AP da, Siu Li M, Aegerter MA. Correlacao entre espectro de absorcao otica e microestrutura de filmes de k'CL': 'CU POT.+' Depositadas em diversas temperaturas do substrato. 1993 ;[citado 2024 ago. 01 ]
Vancouver
Oliveira L, Silva M de AP da, Siu Li M, Aegerter MA. Correlacao entre espectro de absorcao otica e microestrutura de filmes de k'CL': 'CU POT.+' Depositadas em diversas temperaturas do substrato. 1993 ;[citado 2024 ago. 01 ]
Artigo de periodico
Photochemical hole burning in o'H POT.-' / 'NA POT.+' Doped k'CL' 'R IND.2'-band (1993)
Ventura, Liliane ; Oliveira, L.; Castro, J C; Gallo, Nelson Jose Heraldo; Siu Li, Máximo
Fonte: Revista de Física Aplicada e Instrumentação. Unidades: IFQSC, IFSC
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, DIELÉTRICOS, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
VENTURA, Liliane et al. Photochemical hole burning in o'H POT.-' / 'NA POT.+' Doped k'CL' 'R IND.2'-band. Revista de Física Aplicada e Instrumentação, v. 8, n. 4, p. 124-129, 1993Tradução . . Acesso em: 01 ago. 2024.
APA
Ventura, L., Oliveira, L., Castro, J. C., Gallo, N. J. H., & Siu Li, M. (1993). Photochemical hole burning in o'H POT.-' / 'NA POT.+' Doped k'CL' 'R IND.2'-band. Revista de Física Aplicada e Instrumentação, 8( 4), 124-129.
NLM
Ventura L, Oliveira L, Castro JC, Gallo NJH, Siu Li M. Photochemical hole burning in o'H POT.-' / 'NA POT.+' Doped k'CL' 'R IND.2'-band. Revista de Física Aplicada e Instrumentação. 1993 ; 8( 4): 124-129.[citado 2024 ago. 01 ]
Vancouver
Ventura L, Oliveira L, Castro JC, Gallo NJH, Siu Li M. Photochemical hole burning in o'H POT.-' / 'NA POT.+' Doped k'CL' 'R IND.2'-band. Revista de Física Aplicada e Instrumentação. 1993 ; 8( 4): 124-129.[citado 2024 ago. 01 ]
Trabalho de evento
Polarized absorption and emission of 'ER POT.+3' doped 'LI''NB''O IND.3' (1992)
Milori, D. M. B. P.; Andreeta, José Pedro; Frigo, J; Terrile, Maria Cristina; Siu Li, Máximo
Fonte: Proceedings. Nome do evento: International Conference on Defects in Insulating Materials. Unidades: IFQSC, IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
MILORI, D. M. B. P. et al. Polarized absorption and emission of 'ER POT.+3' doped 'LI''NB''O IND.3'. 1992, Anais.. Singapore: World Scientific, 1992. . Acesso em: 01 ago. 2024.
APA
Milori, D. M. B. P., Andreeta, J. P., Frigo, J., Terrile, M. C., & Siu Li, M. (1992). Polarized absorption and emission of 'ER POT.+3' doped 'LI''NB''O IND.3'. In Proceedings. Singapore: World Scientific.
NLM
Milori DMBP, Andreeta JP, Frigo J, Terrile MC, Siu Li M. Polarized absorption and emission of 'ER POT.+3' doped 'LI''NB''O IND.3'. Proceedings. 1992 ;[citado 2024 ago. 01 ]
Vancouver
Milori DMBP, Andreeta JP, Frigo J, Terrile MC, Siu Li M. Polarized absorption and emission of 'ER POT.+3' doped 'LI''NB''O IND.3'. Proceedings. 1992 ;[citado 2024 ago. 01 ]
Trabalho de evento
Coupled rare earth ('ER POT.3+', 'YB POT.2+' / 'EU POT.2+')- ('CN POT.-' / O'CN POT.-') doped K'CL' luminescence, and dielectric relaxation (1992)
Muller, M.; Fabris, J. L.; Oliveira, L.; Domenicucci, Elderson Cássio; Gallo, Nelson José Heraldo; Siu Li, Máximo
Fonte: Proceedings. Nome do evento: International Conference on Defects in Insulating Materials. Unidades: IFSC, IFQSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
MULLER, M. et al. Coupled rare earth ('ER POT.3+', 'YB POT.2+' / 'EU POT.2+')- ('CN POT.-' / O'CN POT.-') doped K'CL' luminescence, and dielectric relaxation. 1992, Anais.. Singapore: World Scientific, 1992. . Acesso em: 01 ago. 2024.
APA
Muller, M., Fabris, J. L., Oliveira, L., Domenicucci, E. C., Gallo, N. J. H., & Siu Li, M. (1992). Coupled rare earth ('ER POT.3+', 'YB POT.2+' / 'EU POT.2+')- ('CN POT.-' / O'CN POT.-') doped K'CL' luminescence, and dielectric relaxation. In Proceedings. Singapore: World Scientific.
NLM
Muller M, Fabris JL, Oliveira L, Domenicucci EC, Gallo NJH, Siu Li M. Coupled rare earth ('ER POT.3+', 'YB POT.2+' / 'EU POT.2+')- ('CN POT.-' / O'CN POT.-') doped K'CL' luminescence, and dielectric relaxation. Proceedings. 1992 ;[citado 2024 ago. 01 ]
Vancouver
Muller M, Fabris JL, Oliveira L, Domenicucci EC, Gallo NJH, Siu Li M. Coupled rare earth ('ER POT.3+', 'YB POT.2+' / 'EU POT.2+')- ('CN POT.-' / O'CN POT.-') doped K'CL' luminescence, and dielectric relaxation. Proceedings. 1992 ;[citado 2024 ago. 01 ]
Artigo de periodico
Influência da temperatura do substrato nas propriedades óticas e estruturais de filmes de 'K''CL':'CU POT.+' (1992)
Oliveira, L.; Silva, Marcelo de Assumpção Pereira da ; Siu Li, Máximo
Fonte: Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo. Unidades: IFSC, IFQSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, L. e SILVA, Marcelo de Assumpção Pereira da e SIU LI, Máximo. Influência da temperatura do substrato nas propriedades óticas e estruturais de filmes de 'K''CL':'CU POT.+'. Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo, v. 11, n. 2 , p. 30-34, 1992Tradução . . Acesso em: 01 ago. 2024.
APA
Oliveira, L., Silva, M. de A. P. da, & Siu Li, M. (1992). Influência da temperatura do substrato nas propriedades óticas e estruturais de filmes de 'K''CL':'CU POT.+'. Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo, 11( 2 ), 30-34.
NLM
Oliveira L, Silva M de AP da, Siu Li M. Influência da temperatura do substrato nas propriedades óticas e estruturais de filmes de 'K''CL':'CU POT.+'. Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo. 1992 ; 11( 2 ): 30-34.[citado 2024 ago. 01 ]
Vancouver
Oliveira L, Silva M de AP da, Siu Li M. Influência da temperatura do substrato nas propriedades óticas e estruturais de filmes de 'K''CL':'CU POT.+'. Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo. 1992 ; 11( 2 ): 30-34.[citado 2024 ago. 01 ]
Trabalho de evento-anais periodico
Photoreflectance characterization of 'gama'-doped p-GaAs (1990)
Bernussi, Ayrton A.; Iikawa, F.; Motisuke, Paulo; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo; Hipólito, Oscar
Fonte: Proceedings of SPIE. Nome do evento: International Conference of Modulation Spectroscopy. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
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ABNT
BERNUSSI, Ayrton A. et al. Photoreflectance characterization of 'gama'-doped p-GaAs. Proceedings of SPIE. Bellingham: International Society for Optical Engineering - SPIE. Disponível em: https://doi.org/10.1117/12.20864. Acesso em: 01 ago. 2024. , 1990
APA
Bernussi, A. A., Iikawa, F., Motisuke, P., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Photoreflectance characterization of 'gama'-doped p-GaAs. Proceedings of SPIE. Bellingham: International Society for Optical Engineering - SPIE. doi:10.1117/12.20864
NLM
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance characterization of 'gama'-doped p-GaAs [Internet]. Proceedings of SPIE. 1990 ; 1286 348-358.[citado 2024 ago. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1117/12.20864
Vancouver
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance characterization of 'gama'-doped p-GaAs [Internet]. Proceedings of SPIE. 1990 ; 1286 348-358.[citado 2024 ago. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1117/12.20864
Trabalho de evento
Análise in situ de semicondutores III-V durante o crescimento a partir de epitaxia por feixe molecular (MBE) (1990)
Notari, A. C.; Siu Li, Máximo; Basmaji, P.; Minondo, M.
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NOTARI, A. C. et al. Análise in situ de semicondutores III-V durante o crescimento a partir de epitaxia por feixe molecular (MBE). 1990, Anais.. São Paulo: , Universidade de São Paulo, 1990. . Acesso em: 01 ago. 2024.
APA
Notari, A. C., Siu Li, M., Basmaji, P., & Minondo, M. (1990). Análise in situ de semicondutores III-V durante o crescimento a partir de epitaxia por feixe molecular (MBE). In Anais. São Paulo: , Universidade de São Paulo.
NLM
Notari AC, Siu Li M, Basmaji P, Minondo M. Análise in situ de semicondutores III-V durante o crescimento a partir de epitaxia por feixe molecular (MBE). Anais. 1990 ;[citado 2024 ago. 01 ]
Vancouver
Notari AC, Siu Li M, Basmaji P, Minondo M. Análise in situ de semicondutores III-V durante o crescimento a partir de epitaxia por feixe molecular (MBE). Anais. 1990 ;[citado 2024 ago. 01 ]
Trabalho de evento
Desenvolvimento de um sistema de automação para MBE (epitaxia por feixe molecular) (1990)
Arakaki, Haroldo; Silva, R. V.; Siu Li, Máximo; Roda, Valentin Obac
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC. Unidades: IFQSC, IFSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ARAKAKI, Haroldo et al. Desenvolvimento de um sistema de automação para MBE (epitaxia por feixe molecular). 1990, Anais.. São Paulo: , Universidade de São Paulo, 1990. . Acesso em: 01 ago. 2024.
APA
Arakaki, H., Silva, R. V., Siu Li, M., & Roda, V. O. (1990). Desenvolvimento de um sistema de automação para MBE (epitaxia por feixe molecular). In Anais. São Paulo: , Universidade de São Paulo.
NLM
Arakaki H, Silva RV, Siu Li M, Roda VO. Desenvolvimento de um sistema de automação para MBE (epitaxia por feixe molecular). Anais. 1990 ;[citado 2024 ago. 01 ]
Vancouver
Arakaki H, Silva RV, Siu Li M, Roda VO. Desenvolvimento de um sistema de automação para MBE (epitaxia por feixe molecular). Anais. 1990 ;[citado 2024 ago. 01 ]
Trabalho de evento
Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE) (1990)
Schrappe, B. J.; Notari, A. C.; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo; Hipólito, Oscar
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHRAPPE, B. J. et al. Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). 1990, Anais.. São Paulo: , Universidade de São Paulo, 1990. . Acesso em: 01 ago. 2024.
APA
Schrappe, B. J., Notari, A. C., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). In Anais. São Paulo: , Universidade de São Paulo.
NLM
Schrappe BJ, Notari AC, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). Anais. 1990 ;[citado 2024 ago. 01 ]
Vancouver
Schrappe BJ, Notari AC, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). Anais. 1990 ;[citado 2024 ago. 01 ]
Trabalho de evento
Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE) (1990)
Notari, A. C.; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo; Hipólito, Oscar; Bernussi, A. A.; Iikawa, F.; Brum, J.; Motisuke, P.
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NOTARI, A. C. et al. Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). 1990, Anais.. São Paulo: , Universidade de São Paulo, 1990. . Acesso em: 01 ago. 2024.
APA
Notari, A. C., Basmaji, P., Siu Li, M., Hipólito, O., Bernussi, A. A., Iikawa, F., et al. (1990). Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). In Anais. São Paulo: , Universidade de São Paulo.
NLM
Notari AC, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Brum J, Motisuke P. Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). Anais. 1990 ;[citado 2024 ago. 01 ]
Vancouver
Notari AC, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Brum J, Motisuke P. Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). Anais. 1990 ;[citado 2024 ago. 01 ]
Trabalho de evento-resumo
Photoreflectance analysis of periodically delta-doped GaAs (1990)
Bernussi, Ayrton A.; Motisuke, P.; Basmaji, Pierre; Notari, A. C.; Siu Li, Máximo; Hipólito, Oscar
Fonte: Abstracts. Nome do evento: Symposium on Advances in Semiconductors and Superconductors : Physics Toward Device Application. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERNUSSI, Ayrton A. et al. Photoreflectance analysis of periodically delta-doped GaAs. 1990, Anais.. Bellingham: International Society for Optical Engineering - SPIE, 1990. . Acesso em: 01 ago. 2024.
APA
Bernussi, A. A., Motisuke, P., Basmaji, P., Notari, A. C., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Photoreflectance analysis of periodically delta-doped GaAs. In Abstracts. Bellingham: International Society for Optical Engineering - SPIE.
NLM
Bernussi AA, Motisuke P, Basmaji P, Notari AC, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance analysis of periodically delta-doped GaAs. Abstracts. 1990 ;[citado 2024 ago. 01 ]
Vancouver
Bernussi AA, Motisuke P, Basmaji P, Notari AC, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance analysis of periodically delta-doped GaAs. Abstracts. 1990 ;[citado 2024 ago. 01 ]
Trabalho de evento
Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular (1990)
Notari, A. C.; Ceschin, A. M.; Basmaji, P.; Siu Li, Máximo; Hipólito, Oscar; Bernussi, A. A.; Iikawa, F.; Motisuke, P.
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NOTARI, A. C. et al. Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular. 1990, Anais.. São Paulo: , Universidade de São Paulo, 1990. . Acesso em: 01 ago. 2024.
APA
Notari, A. C., Ceschin, A. M., Basmaji, P., Siu Li, M., Hipólito, O., Bernussi, A. A., et al. (1990). Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular. In Anais. São Paulo: , Universidade de São Paulo.
NLM
Notari AC, Ceschin AM, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P. Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular. Anais. 1990 ;[citado 2024 ago. 01 ]
Vancouver
Notari AC, Ceschin AM, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P. Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular. Anais. 1990 ;[citado 2024 ago. 01 ]
Trabalho de evento-resumo
Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers (1990)
Bernussi, A. A.; Brum, J. A.; Motisuke, P.; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo; Hipólito, Oscar
Fonte: Abstracts. Nome do evento: International Conference on Physic of Electro-optic microstructures and microdevices. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERNUSSI, A. A. et al. Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers. 1990, Anais.. Crete: , Universidade de São Paulo, 1990. . Acesso em: 01 ago. 2024.
APA
Bernussi, A. A., Brum, J. A., Motisuke, P., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers. In Abstracts. Crete: , Universidade de São Paulo.
NLM
Bernussi AA, Brum JA, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers. Abstracts. 1990 ;[citado 2024 ago. 01 ]
Vancouver
Bernussi AA, Brum JA, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers. Abstracts. 1990 ;[citado 2024 ago. 01 ]
Trabalho de evento-resumo
Photoreflectance characterization of silicon delta-doped p-'GA''AS' (1990)
Bernussi, A. A.; Iikawa, F.; Motisuke, P.; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo; Hipólito, Oscar
Fonte: Abstracts. Nome do evento: International Conference of Modulation Spectroscopy. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERNUSSI, A. A. et al. Photoreflectance characterization of silicon delta-doped p-'GA''AS'. 1990, Anais.. San Diego: , Universidade de São Paulo, 1990. . Acesso em: 01 ago. 2024.
APA
Bernussi, A. A., Iikawa, F., Motisuke, P., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Photoreflectance characterization of silicon delta-doped p-'GA''AS'. In Abstracts. San Diego: , Universidade de São Paulo.
NLM
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance characterization of silicon delta-doped p-'GA''AS'. Abstracts. 1990 ;[citado 2024 ago. 01 ]
Vancouver
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance characterization of silicon delta-doped p-'GA''AS'. Abstracts. 1990 ;[citado 2024 ago. 01 ]
Trabalho de evento
Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI' (1989)
Basmaji, Pierre; Ceschin, A M; Siu Li, Máximo; Hipólito, Oscar; Bernussi, A A; Iikawa, F; Motisuke, P
Fonte: Proceedings. Nome do evento: International Conference on Modulated Semiconductor Structures. Unidade: IFQSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
BASMAJI, Pierre et al. Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. 1989, Anais.. Ann Arbor: , Universidade de São Paulo, 1989. . Acesso em: 01 ago. 2024.
APA
Basmaji, P., Ceschin, A. M., Siu Li, M., Hipólito, O., Bernussi, A. A., Iikawa, F., & Motisuke, P. (1989). Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. In Proceedings. Ann Arbor: , Universidade de São Paulo.
NLM
Basmaji P, Ceschin AM, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P. Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. Proceedings. 1989 ;[citado 2024 ago. 01 ]
Vancouver
Basmaji P, Ceschin AM, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P. Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. Proceedings. 1989 ;[citado 2024 ago. 01 ]
Trabalho de evento
Fotocondutividade em 'GA''AS' 'GA''AS':'SI' e 'AL IND.x''GA IND.1-x''AS' (1989)
Minami, E.; Migliato, J.; Notari, A.; Ceschin, A. M.; Basmaji, P.; Siu Li, Maximo
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
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ABNT
MINAMI, E. et al. Fotocondutividade em 'GA''AS' 'GA''AS':'SI' e 'AL IND.x''GA IND.1-x''AS'. 1989, Anais.. São José dos Campos: , Universidade de São Paulo, 1989. . Acesso em: 01 ago. 2024.
APA
Minami, E., Migliato, J., Notari, A., Ceschin, A. M., Basmaji, P., & Siu Li, M. (1989). Fotocondutividade em 'GA''AS' 'GA''AS':'SI' e 'AL IND.x''GA IND.1-x''AS'. In Anais. São José dos Campos: , Universidade de São Paulo.
NLM
Minami E, Migliato J, Notari A, Ceschin AM, Basmaji P, Siu Li M. Fotocondutividade em 'GA''AS' 'GA''AS':'SI' e 'AL IND.x''GA IND.1-x''AS'. Anais. 1989 ;[citado 2024 ago. 01 ]
Vancouver
Minami E, Migliato J, Notari A, Ceschin AM, Basmaji P, Siu Li M. Fotocondutividade em 'GA''AS' 'GA''AS':'SI' e 'AL IND.x''GA IND.1-x''AS'. Anais. 1989 ;[citado 2024 ago. 01 ]

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