Cálculo dos parâmetros k.p para semicondutores Ga-V na forma zinc blende (2014)
Fonte: Livro de Resumos. Nome do evento: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Assuntos: BLENDAS, ZINCO, MATÉRIA CONDENSADA
ABNT
BASTOS, C. M. O. et al. Cálculo dos parâmetros k.p para semicondutores Ga-V na forma zinc blende. 2014, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2014. . Acesso em: 02 set. 2024.APA
Bastos, C. M. O., Faria Junior, P. E., Campos, T., & Sipahi, G. M. (2014). Cálculo dos parâmetros k.p para semicondutores Ga-V na forma zinc blende. In Livro de Resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC.NLM
Bastos CMO, Faria Junior PE, Campos T, Sipahi GM. Cálculo dos parâmetros k.p para semicondutores Ga-V na forma zinc blende. Livro de Resumos. 2014 ;[citado 2024 set. 02 ]Vancouver
Bastos CMO, Faria Junior PE, Campos T, Sipahi GM. Cálculo dos parâmetros k.p para semicondutores Ga-V na forma zinc blende. Livro de Resumos. 2014 ;[citado 2024 set. 02 ]