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Artigo de periodico
Non-Fermi-liquid behavior in U'CU'IND. 4+x''AL'IND.8-x' compounds (2011)
Nasreen, F; Torikachvili, M S; Kothapalli, K; Jardim, R F ; Nakotte, H
Source: Physica B. Unidade: IF
Assunto: TERMOELETRICIDADE
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ABNT
NASREEN, F et al. Non-Fermi-liquid behavior in U'CU'IND. 4+x''AL'IND.8-x' compounds. Physica B, v. 406, n. 11, p. 2061-2069, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physb.2011.01.038. Acesso em: 01 jun. 2024.
APA
Nasreen, F., Torikachvili, M. S., Kothapalli, K., Jardim, R. F., & Nakotte, H. (2011). Non-Fermi-liquid behavior in U'CU'IND. 4+x''AL'IND.8-x' compounds. Physica B, 406( 11), 2061-2069. doi:10.1016/j.physb.2011.01.038
NLM
Nasreen F, Torikachvili MS, Kothapalli K, Jardim RF, Nakotte H. Non-Fermi-liquid behavior in U'CU'IND. 4+x''AL'IND.8-x' compounds [Internet]. Physica B. 2011 ;406( 11): 2061-2069.[citado 2024 jun. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2011.01.038
Vancouver
Nasreen F, Torikachvili MS, Kothapalli K, Jardim RF, Nakotte H. Non-Fermi-liquid behavior in U'CU'IND. 4+x''AL'IND.8-x' compounds [Internet]. Physica B. 2011 ;406( 11): 2061-2069.[citado 2024 jun. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2011.01.038
Artigo de periodico
Behavior of 3d-transition metals in different SiC polytypes (2006)
Justo Filho, João Francisco ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Assali, L. V. C.
Source: Physica B. Unidades: EP, IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MUDANÇA DE FASE
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ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco e MACHADO, Wanda Valle Marcondes e ASSALI, L. V. C. Behavior of 3d-transition metals in different SiC polytypes. Physica B, v. 376, p. 378-381, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physb.2005.12.097. Acesso em: 01 jun. 2024.
APA
Justo Filho, J. F., Machado, W. V. M., & Assali, L. V. C. (2006). Behavior of 3d-transition metals in different SiC polytypes. Physica B, 376, 378-381. doi:10.1016/j.physb.2005.12.097
NLM
Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Behavior of 3d-transition metals in different SiC polytypes [Internet]. Physica B. 2006 ; 376 378-381.[citado 2024 jun. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2005.12.097
Vancouver
Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Behavior of 3d-transition metals in different SiC polytypes [Internet]. Physica B. 2006 ; 376 378-381.[citado 2024 jun. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2005.12.097
Artigo de periodico
Band gap states of interstitial nickel-complexes in diamond (2006)
Larico, R; Assali, L. V. C. ; Justo Filho, João Francisco ; Machado, Wanda Valle Marcondes
Source: Physica B. Unidades: EP, IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, RESSONÂNCIA PARAMAGNÉTICA DE SPIN
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ABNT
LARICO, R et al. Band gap states of interstitial nickel-complexes in diamond. Physica B, v. 376, p. 292-295, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physb.2005.12.075. Acesso em: 01 jun. 2024.
APA
Larico, R., Assali, L. V. C., Justo Filho, J. F., & Machado, W. V. M. (2006). Band gap states of interstitial nickel-complexes in diamond. Physica B, 376, 292-295. doi:10.1016/j.physb.2005.12.075
NLM
Larico R, Assali LVC, Justo Filho JF, Machado WVM. Band gap states of interstitial nickel-complexes in diamond [Internet]. Physica B. 2006 ; 376 292-295.[citado 2024 jun. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2005.12.075
Vancouver
Larico R, Assali LVC, Justo Filho JF, Machado WVM. Band gap states of interstitial nickel-complexes in diamond [Internet]. Physica B. 2006 ; 376 292-295.[citado 2024 jun. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2005.12.075
Artigo de periodico
Defects in mercuric iodide: an APW investigation (2003)
Ayres, F; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco ; Assali, L. V. C.
Source: Physica B. Unidades: EP, IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATERIAIS (PROPRIEDADES MECÂNICAS)
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ABNT
AYRES, F et al. Defects in mercuric iodide: an APW investigation. Physica B, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physb.2003.09.236. Acesso em: 01 jun. 2024.
APA
Ayres, F., Machado, W. V. M., Justo Filho, J. F., & Assali, L. V. C. (2003). Defects in mercuric iodide: an APW investigation. Physica B. doi:10.1016/j.physb.2003.09.236
NLM
Ayres F, Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. Defects in mercuric iodide: an APW investigation [Internet]. Physica B. 2003 ;[citado 2024 jun. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2003.09.236
Vancouver
Ayres F, Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. Defects in mercuric iodide: an APW investigation [Internet]. Physica B. 2003 ;[citado 2024 jun. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2003.09.236
Artigo de periodico
Low-temperature magnetization and exchange interaction in 'Sn IND.1-X' 'Gd IND.X' Te (2003)
Gratens, X; Bindilatti, V.; Oliveira Jr., N. F.; Golacki, Z
Source: Physica B. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
GRATENS, X et al. Low-temperature magnetization and exchange interaction in 'Sn IND.1-X' 'Gd IND.X' Te. Physica B, v. 329, p. 1249-1250, 2003Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5535&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=c87e532260cd3006cc6ac12632aed54b. Acesso em: 01 jun. 2024.
APA
Gratens, X., Bindilatti, V., Oliveira Jr., N. F., & Golacki, Z. (2003). Low-temperature magnetization and exchange interaction in 'Sn IND.1-X' 'Gd IND.X' Te. Physica B, 329, 1249-1250. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5535&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=c87e532260cd3006cc6ac12632aed54b
NLM
Gratens X, Bindilatti V, Oliveira Jr. NF, Golacki Z. Low-temperature magnetization and exchange interaction in 'Sn IND.1-X' 'Gd IND.X' Te [Internet]. Physica B. 2003 ; 329 1249-1250.[citado 2024 jun. 01 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5535&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=c87e532260cd3006cc6ac12632aed54b
Vancouver
Gratens X, Bindilatti V, Oliveira Jr. NF, Golacki Z. Low-temperature magnetization and exchange interaction in 'Sn IND.1-X' 'Gd IND.X' Te [Internet]. Physica B. 2003 ; 329 1249-1250.[citado 2024 jun. 01 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5535&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=c87e532260cd3006cc6ac12632aed54b
Artigo de periodico
An ab initio investigation on nickel impurities in diamond (2003)
Larico, R; Justo Filho, João Francisco ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Assali, L. V. C.
Source: Physica B. Unidades: EP, IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES, MATERIAIS (PROPRIEDADES MECÂNICAS)
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ABNT
LARICO, R et al. An ab initio investigation on nickel impurities in diamond. Physica B, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physb.2003.09.010. Acesso em: 01 jun. 2024.
APA
Larico, R., Justo Filho, J. F., Machado, W. V. M., & Assali, L. V. C. (2003). An ab initio investigation on nickel impurities in diamond. Physica B. doi:10.1016/j.physb.2003.09.010
NLM
Larico R, Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. An ab initio investigation on nickel impurities in diamond [Internet]. Physica B. 2003 ;[citado 2024 jun. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2003.09.010
Vancouver
Larico R, Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. An ab initio investigation on nickel impurities in diamond [Internet]. Physica B. 2003 ;[citado 2024 jun. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2003.09.010
Artigo de periodico
Transition metal impurities in 3C-SiC and 2H-SiC (2003)
Assali, L. V. C. ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Source: Physica B. Unidades: IF, EP
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
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ABNT
ASSALI, L. V. C. e MACHADO, Wanda Valle Marcondes e JUSTO FILHO, João Francisco. Transition metal impurities in 3C-SiC and 2H-SiC. Physica B, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physb.2003.09.008. Acesso em: 01 jun. 2024.
APA
Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2003). Transition metal impurities in 3C-SiC and 2H-SiC. Physica B. doi:10.1016/j.physb.2003.09.008
NLM
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Transition metal impurities in 3C-SiC and 2H-SiC [Internet]. Physica B. 2003 ;[citado 2024 jun. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2003.09.008
Vancouver
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Transition metal impurities in 3C-SiC and 2H-SiC [Internet]. Physica B. 2003 ;[citado 2024 jun. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2003.09.008
Artigo de periodico
Fe and Mn atoms interacting with carbon nanotubes (2003)
Fagan, Solange B; Mota, R; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Physica B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, MAGNETISMO
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ABNT
FAGAN, Solange B et al. Fe and Mn atoms interacting with carbon nanotubes. Physica B, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physb.2003.09.187. Acesso em: 01 jun. 2024.
APA
Fagan, S. B., Mota, R., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2003). Fe and Mn atoms interacting with carbon nanotubes. Physica B. doi:10.1016/j.physb.2003.09.187
NLM
Fagan SB, Mota R, Silva AJR da, Fazzio A. Fe and Mn atoms interacting with carbon nanotubes [Internet]. Physica B. 2003 ;[citado 2024 jun. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2003.09.187
Vancouver
Fagan SB, Mota R, Silva AJR da, Fazzio A. Fe and Mn atoms interacting with carbon nanotubes [Internet]. Physica B. 2003 ;[citado 2024 jun. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2003.09.187
Artigo de periodico
Electronic structure and origin of ferromagnetism in 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'As semiconductors (2003)
Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto; Santos, Raimundo R dos; Oliveira, Luiz E
Source: Physica B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Antonio Jose Roque da et al. Electronic structure and origin of ferromagnetism in 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'As semiconductors. Physica B, 2003Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TVH-4B28YBV-B-J&_cdi=5535&_orig=browse&_coverDate=12%2F31%2F2003&_sk=996599999&view=c&wchp=dGLbVtb-zSkzk&_acct=C000049650&_version=1&_userid=972067&md5=8724caceca1cfb553900d7340c39a140&ie=f.pdf. Acesso em: 01 jun. 2024.
APA
Silva, A. J. R. da, Fazzio, A., Santos, R. R. dos, & Oliveira, L. E. (2003). Electronic structure and origin of ferromagnetism in 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'As semiconductors. Physica B. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TVH-4B28YBV-B-J&_cdi=5535&_orig=browse&_coverDate=12%2F31%2F2003&_sk=996599999&view=c&wchp=dGLbVtb-zSkzk&_acct=C000049650&_version=1&_userid=972067&md5=8724caceca1cfb553900d7340c39a140&ie=f.pdf
NLM
Silva AJR da, Fazzio A, Santos RR dos, Oliveira LE. Electronic structure and origin of ferromagnetism in 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'As semiconductors [Internet]. Physica B. 2003 ;[citado 2024 jun. 01 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TVH-4B28YBV-B-J&_cdi=5535&_orig=browse&_coverDate=12%2F31%2F2003&_sk=996599999&view=c&wchp=dGLbVtb-zSkzk&_acct=C000049650&_version=1&_userid=972067&md5=8724caceca1cfb553900d7340c39a140&ie=f.pdf
Vancouver
Silva AJR da, Fazzio A, Santos RR dos, Oliveira LE. Electronic structure and origin of ferromagnetism in 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'As semiconductors [Internet]. Physica B. 2003 ;[citado 2024 jun. 01 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TVH-4B28YBV-B-J&_cdi=5535&_orig=browse&_coverDate=12%2F31%2F2003&_sk=996599999&view=c&wchp=dGLbVtb-zSkzk&_acct=C000049650&_version=1&_userid=972067&md5=8724caceca1cfb553900d7340c39a140&ie=f.pdf
Artigo de periodico
Investigation of optical and structural properties of 'In IND.X' Ga IND.1-X' As/GaAs quantum wells grown on vicinal GaAs(001) substrates (2002)
Sales, F V de; Soler, M A G; Ugarte, D; Abramof, E; Quivy, A. A.; Silva, S W da; Martini, S; Moraes, P C; Leite, J. R.
Source: Physica B. Unidade: IF
Subjects: SUPERFÍCIE FÍSICA, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SALES, F V de et al. Investigation of optical and structural properties of 'In IND.X' Ga IND.1-X' As/GaAs quantum wells grown on vicinal GaAs(001) substrates. Physica B, v. 311, n. 3-4, p. 285-291, 2002Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5535&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=c87e532260cd3006cc6ac12632aed54b. Acesso em: 01 jun. 2024.
APA
Sales, F. V. de, Soler, M. A. G., Ugarte, D., Abramof, E., Quivy, A. A., Silva, S. W. da, et al. (2002). Investigation of optical and structural properties of 'In IND.X' Ga IND.1-X' As/GaAs quantum wells grown on vicinal GaAs(001) substrates. Physica B, 311( 3-4), 285-291. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5535&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=c87e532260cd3006cc6ac12632aed54b
NLM
Sales FV de, Soler MAG, Ugarte D, Abramof E, Quivy AA, Silva SW da, Martini S, Moraes PC, Leite JR. Investigation of optical and structural properties of 'In IND.X' Ga IND.1-X' As/GaAs quantum wells grown on vicinal GaAs(001) substrates [Internet]. Physica B. 2002 ; 311( 3-4): 285-291.[citado 2024 jun. 01 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5535&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=c87e532260cd3006cc6ac12632aed54b
Vancouver
Sales FV de, Soler MAG, Ugarte D, Abramof E, Quivy AA, Silva SW da, Martini S, Moraes PC, Leite JR. Investigation of optical and structural properties of 'In IND.X' Ga IND.1-X' As/GaAs quantum wells grown on vicinal GaAs(001) substrates [Internet]. Physica B. 2002 ; 311( 3-4): 285-291.[citado 2024 jun. 01 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5535&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=c87e532260cd3006cc6ac12632aed54b
Artigo de periodico
Electrically active centers in partial dislocations in semiconductors (2002)
Justo Filho, João Francisco ; Assali, L. V. C.
Source: Physica B. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco e ASSALI, L. V. C. Electrically active centers in partial dislocations in semiconductors. Physica B, v. 308-310, p. 489-492, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00819-5. Acesso em: 01 jun. 2024.
APA
Justo Filho, J. F., & Assali, L. V. C. (2002). Electrically active centers in partial dislocations in semiconductors. Physica B, 308-310, 489-492. doi:10.1016/s0921-4526(01)00819-5
NLM
Justo Filho JF, Assali LVC. Electrically active centers in partial dislocations in semiconductors [Internet]. Physica B. 2002 ; 308-310 489-492.[citado 2024 jun. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00819-5
Vancouver
Justo Filho JF, Assali LVC. Electrically active centers in partial dislocations in semiconductors [Internet]. Physica B. 2002 ; 308-310 489-492.[citado 2024 jun. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00819-5
Artigo de periodico
Native defects in germanium (2001)
Silva, Antonio Jose Roque da; Baierle, Rogerio Jose; Mota, R.; Fazzio, Adalberto
Source: Physica B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Antonio Jose Roque da et al. Native defects in germanium. Physica B, v. 302-303, p. 363-368, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00455-0. Acesso em: 01 jun. 2024.
APA
Silva, A. J. R. da, Baierle, R. J., Mota, R., & Fazzio, A. (2001). Native defects in germanium. Physica B, 302-303, 363-368. doi:10.1016/s0921-4526(01)00455-0
NLM
Silva AJR da, Baierle RJ, Mota R, Fazzio A. Native defects in germanium [Internet]. Physica B. 2001 ; 302-303 363-368.[citado 2024 jun. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00455-0
Vancouver
Silva AJR da, Baierle RJ, Mota R, Fazzio A. Native defects in germanium [Internet]. Physica B. 2001 ; 302-303 363-368.[citado 2024 jun. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00455-0
Artigo de periodico
Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells (2001)
Rodrigues, S C P; Sipahi, Guilherme Matos; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Physica B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATERIAIS (PROPRIEDADES ELÉTRICAS), SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, S C P et al. Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells. Physica B, v. 302, p. 106-113, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00413-6. Acesso em: 01 jun. 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2001). Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells. Physica B, 302, 106-113. doi:10.1016/s0921-4526(01)00413-6
NLM
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells [Internet]. Physica B. 2001 ; 302 106-113.[citado 2024 jun. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00413-6
Vancouver
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells [Internet]. Physica B. 2001 ; 302 106-113.[citado 2024 jun. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00413-6
Artigo de periodico
Dopant interaction with a dislocation in silicon: local and non-local effects (2001)
Antonelli, Alex; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, Adalberto
Source: Physica B. Unidade: IF
Subjects: FILMES FINOS, MUDANÇA DE FASE, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ANTONELLI, Alex e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Dopant interaction with a dislocation in silicon: local and non-local effects. Physica B, v. 308, p. 470-473, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00743-8. Acesso em: 01 jun. 2024.
APA
Antonelli, A., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (2001). Dopant interaction with a dislocation in silicon: local and non-local effects. Physica B, 308, 470-473. doi:10.1016/s0921-4526(01)00743-8
NLM
Antonelli A, Justo Filho JF, Fazzio A. Dopant interaction with a dislocation in silicon: local and non-local effects [Internet]. Physica B. 2001 ; 308 470-473.[citado 2024 jun. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00743-8
Vancouver
Antonelli A, Justo Filho JF, Fazzio A. Dopant interaction with a dislocation in silicon: local and non-local effects [Internet]. Physica B. 2001 ; 308 470-473.[citado 2024 jun. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00743-8
Artigo de periodico
First-principles studies of Ti impurities in SiC (2001)
Barbosa, K O; Machado, Wanda Valle Marcondes; Assali, L. V. C.
Source: Physica B. Unidade: IF
Subjects: METAIS, NÃO METAIS, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
BARBOSA, K O e MACHADO, Wanda Valle Marcondes e ASSALI, L. V. C. First-principles studies of Ti impurities in SiC. Physica B, v. 308, p. 726-729, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00885-7. Acesso em: 01 jun. 2024.
APA
Barbosa, K. O., Machado, W. V. M., & Assali, L. V. C. (2001). First-principles studies of Ti impurities in SiC. Physica B, 308, 726-729. doi:10.1016/s0921-4526(01)00885-7
NLM
Barbosa KO, Machado WVM, Assali LVC. First-principles studies of Ti impurities in SiC [Internet]. Physica B. 2001 ; 308 726-729.[citado 2024 jun. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00885-7
Vancouver
Barbosa KO, Machado WVM, Assali LVC. First-principles studies of Ti impurities in SiC [Internet]. Physica B. 2001 ; 308 726-729.[citado 2024 jun. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00885-7
Trabalho de evento-anais periodico
Raman probing of the wave function of collective excitations in the presence of disorder (2001)
Pusep, Yuri A.; Sokolov, S. S.; Fortunato, W.; Galzerani, Jose Carlos; Leite, José Roberto
Source: Physica B. Conference titles: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidades: IFSC, IF
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Raman probing of the wave function of collective excitations in the presence of disorder. Physica B. Amsterdam: Elsevier Science. Disponível em: https://doi.org/10.1016/S0921-4526(01)00835-3. Acesso em: 01 jun. 2024. , 2001
APA
Pusep, Y. A., Sokolov, S. S., Fortunato, W., Galzerani, J. C., & Leite, J. R. (2001). Raman probing of the wave function of collective excitations in the presence of disorder. Physica B. Amsterdam: Elsevier Science. doi:10.1016/S0921-4526(01)00835-3
NLM
Pusep YA, Sokolov SS, Fortunato W, Galzerani JC, Leite JR. Raman probing of the wave function of collective excitations in the presence of disorder [Internet]. Physica B. 2001 ;308-310 772-775.[citado 2024 jun. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/S0921-4526(01)00835-3
Vancouver
Pusep YA, Sokolov SS, Fortunato W, Galzerani JC, Leite JR. Raman probing of the wave function of collective excitations in the presence of disorder [Internet]. Physica B. 2001 ;308-310 772-775.[citado 2024 jun. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/S0921-4526(01)00835-3
Artigo de periodico
Electrically active centers in partial dislocations in semiconductors (2001)
Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, Adalberto
Source: Physica B. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Electrically active centers in partial dislocations in semiconductors. Physica B, v. 308, p. 489-492, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00819-5. Acesso em: 01 jun. 2024.
APA
Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (2001). Electrically active centers in partial dislocations in semiconductors. Physica B, 308, 489-492. doi:10.1016/s0921-4526(01)00819-5
NLM
Justo Filho JF, Fazzio A. Electrically active centers in partial dislocations in semiconductors [Internet]. Physica B. 2001 ; 308 489-492.[citado 2024 jun. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00819-5
Vancouver
Justo Filho JF, Fazzio A. Electrically active centers in partial dislocations in semiconductors [Internet]. Physica B. 2001 ; 308 489-492.[citado 2024 jun. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00819-5
Artigo de periodico
Magnetoresistance in a stripe-shaped two-dimensional electron gas (2001)
Bykov, A A; Gusev, Guennadii Michailovich; Leite, J. R.; Moshegov, N T; Bakarov, A K; Toropov, A I; Maude, D K; Portal, J C
Source: Physica B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BYKOV, A A et al. Magnetoresistance in a stripe-shaped two-dimensional electron gas. Physica B, v. 298, n. 1-4, p. 79-82, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00264-2. Acesso em: 01 jun. 2024.
APA
Bykov, A. A., Gusev, G. M., Leite, J. R., Moshegov, N. T., Bakarov, A. K., Toropov, A. I., et al. (2001). Magnetoresistance in a stripe-shaped two-dimensional electron gas. Physica B, 298( 1-4), 79-82. doi:10.1016/s0921-4526(01)00264-2
NLM
Bykov AA, Gusev GM, Leite JR, Moshegov NT, Bakarov AK, Toropov AI, Maude DK, Portal JC. Magnetoresistance in a stripe-shaped two-dimensional electron gas [Internet]. Physica B. 2001 ; 298( 1-4): 79-82.[citado 2024 jun. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00264-2
Vancouver
Bykov AA, Gusev GM, Leite JR, Moshegov NT, Bakarov AK, Toropov AI, Maude DK, Portal JC. Magnetoresistance in a stripe-shaped two-dimensional electron gas [Internet]. Physica B. 2001 ; 298( 1-4): 79-82.[citado 2024 jun. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00264-2
Artigo de periodico
Magneto-photoluminescence of Tamm states in 'InP/In.IND.0.53' 'Ga IND.0.47' As superlattices (2001)
Henriques, André Bohomoletz; Oliveira, R. F.; Souza, P. L.; Yavich, B.
Source: Physica B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
HENRIQUES, André Bohomoletz et al. Magneto-photoluminescence of Tamm states in 'InP/In.IND.0.53' 'Ga IND.0.47' As superlattices. Physica B, v. 298, n. 1-4, p. 320-323, 2001Tradução . . Disponível em: http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=09214526&issue=v298i1-4&article=320_motsiis&form=pdf&file=file.pdf. Acesso em: 01 jun. 2024.
APA
Henriques, A. B., Oliveira, R. F., Souza, P. L., & Yavich, B. (2001). Magneto-photoluminescence of Tamm states in 'InP/In.IND.0.53' 'Ga IND.0.47' As superlattices. Physica B, 298( 1-4), 320-323. Recuperado de http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=09214526&issue=v298i1-4&article=320_motsiis&form=pdf&file=file.pdf
NLM
Henriques AB, Oliveira RF, Souza PL, Yavich B. Magneto-photoluminescence of Tamm states in 'InP/In.IND.0.53' 'Ga IND.0.47' As superlattices [Internet]. Physica B. 2001 ; 298( 1-4): 320-323.[citado 2024 jun. 01 ] Available from: http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=09214526&issue=v298i1-4&article=320_motsiis&form=pdf&file=file.pdf
Vancouver
Henriques AB, Oliveira RF, Souza PL, Yavich B. Magneto-photoluminescence of Tamm states in 'InP/In.IND.0.53' 'Ga IND.0.47' As superlattices [Internet]. Physica B. 2001 ; 298( 1-4): 320-323.[citado 2024 jun. 01 ] Available from: http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=09214526&issue=v298i1-4&article=320_motsiis&form=pdf&file=file.pdf
Artigo de periodico
The energetics of dislocation cores in semiconductors and their role on dislocation mobility (2001)
Justo Filho, João Francisco ; Antonelli, Alex; Fazzio, Adalberto
Source: Physica B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco e ANTONELLI, Alex e FAZZIO, Adalberto. The energetics of dislocation cores in semiconductors and their role on dislocation mobility. Physica B, v. 302-303, p. 398-402, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00461-6. Acesso em: 01 jun. 2024.
APA
Justo Filho, J. F., Antonelli, A., & Fazzio, A. (2001). The energetics of dislocation cores in semiconductors and their role on dislocation mobility. Physica B, 302-303, 398-402. doi:10.1016/s0921-4526(01)00461-6
NLM
Justo Filho JF, Antonelli A, Fazzio A. The energetics of dislocation cores in semiconductors and their role on dislocation mobility [Internet]. Physica B. 2001 ; 302-303 398-402.[citado 2024 jun. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00461-6
Vancouver
Justo Filho JF, Antonelli A, Fazzio A. The energetics of dislocation cores in semiconductors and their role on dislocation mobility [Internet]. Physica B. 2001 ; 302-303 398-402.[citado 2024 jun. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00461-6

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