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Trabalho de evento-resumo
Competing Rashba and Dresselhaus spin-orbit splittings in III-V inversion layers (2021)
Sandoval, Marcelo A. Toloza; Sipahi, Guilherme Matos ; Andrada e Silva, E. A.; Silva, A. Ferreira da
Source: Program. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FÍSICA TEÓRICA
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ABNT
SANDOVAL, Marcelo A. Toloza et al. Competing Rashba and Dresselhaus spin-orbit splittings in III-V inversion layers. 2021, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2021. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2021/sys/resumos/R0545-1.pdf. Acesso em: 24 maio 2024.
APA
Sandoval, M. A. T., Sipahi, G. M., Andrada e Silva, E. A., & Silva, A. F. da. (2021). Competing Rashba and Dresselhaus spin-orbit splittings in III-V inversion layers. In Program. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2021/sys/resumos/R0545-1.pdf
NLM
Sandoval MAT, Sipahi GM, Andrada e Silva EA, Silva AF da. Competing Rashba and Dresselhaus spin-orbit splittings in III-V inversion layers [Internet]. Program. 2021 ;[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2021/sys/resumos/R0545-1.pdf
Vancouver
Sandoval MAT, Sipahi GM, Andrada e Silva EA, Silva AF da. Competing Rashba and Dresselhaus spin-orbit splittings in III-V inversion layers [Internet]. Program. 2021 ;[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2021/sys/resumos/R0545-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Teoria de grupos aplicada ao método k.p: Hamiltoniano Wurtzita 8x8 (2021)
Oliveira, Caio Estevão de; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, SISTEMAS HAMILTONIANOS, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS
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ABNT
OLIVEIRA, Caio Estevão de e SIPAHI, Guilherme Matos. Teoria de grupos aplicada ao método k.p: Hamiltoniano Wurtzita 8x8. 2021, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2021. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ffc332d4-aaac-4204-831a-93b2527630af/3055045.pdf. Acesso em: 24 maio 2024.
APA
Oliveira, C. E. de, & Sipahi, G. M. (2021). Teoria de grupos aplicada ao método k.p: Hamiltoniano Wurtzita 8x8. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/ffc332d4-aaac-4204-831a-93b2527630af/3055045.pdf
NLM
Oliveira CE de, Sipahi GM. Teoria de grupos aplicada ao método k.p: Hamiltoniano Wurtzita 8x8 [Internet]. Livro de Resumos. 2021 ;[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ffc332d4-aaac-4204-831a-93b2527630af/3055045.pdf
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Oliveira CE de, Sipahi GM. Teoria de grupos aplicada ao método k.p: Hamiltoniano Wurtzita 8x8 [Internet]. Livro de Resumos. 2021 ;[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ffc332d4-aaac-4204-831a-93b2527630af/3055045.pdf
Trabalho de evento-resumo
Implementação e manutenção de código computacional em framework de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores (2021)
Pauli, Ian Giestas; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Resumos. Conference titles: Simpósio Internacional de Iniciação Científica e Tecnológica da Universidade de São Paulo - SIICUSP. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
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ABNT
PAULI, Ian Giestas e SIPAHI, Guilherme Matos. Implementação e manutenção de código computacional em framework de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores. 2021, Anais.. São Paulo: Universidade de São Paulo - USP, 2021. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/db296633-2f81-4e46-a3c8-076259015ed6/PROD032214_3050327.pdf. Acesso em: 24 maio 2024.
APA
Pauli, I. G., & Sipahi, G. M. (2021). Implementação e manutenção de código computacional em framework de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores. In Resumos. São Paulo: Universidade de São Paulo - USP. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/db296633-2f81-4e46-a3c8-076259015ed6/PROD032214_3050327.pdf
NLM
Pauli IG, Sipahi GM. Implementação e manutenção de código computacional em framework de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores [Internet]. Resumos. 2021 ;[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/db296633-2f81-4e46-a3c8-076259015ed6/PROD032214_3050327.pdf
Vancouver
Pauli IG, Sipahi GM. Implementação e manutenção de código computacional em framework de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores [Internet]. Resumos. 2021 ;[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/db296633-2f81-4e46-a3c8-076259015ed6/PROD032214_3050327.pdf
Trabalho de evento-resumo
Fitting das estruturas de bandas a partir de estratégias que envolvem propriedades de simetrias dos materiais baseadas na teoria de grupos (2021)
Wanderley, Adilson Barros; Silva, Juarez Lopes Ferreira da ; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidades: IFSC, IQSC
Subjects: MECÂNICA QUÂNTICA, TEORIA DOS GRUPOS
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ABNT
WANDERLEY, Adilson Barros e SILVA, Juarez Lopes Ferreira da e SIPAHI, Guilherme Matos. Fitting das estruturas de bandas a partir de estratégias que envolvem propriedades de simetrias dos materiais baseadas na teoria de grupos. 2021, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2021. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/0b1e9cab-4916-4cc5-ab2c-578d4bb9bf02/3055049.pdf. Acesso em: 24 maio 2024.
APA
Wanderley, A. B., Silva, J. L. F. da, & Sipahi, G. M. (2021). Fitting das estruturas de bandas a partir de estratégias que envolvem propriedades de simetrias dos materiais baseadas na teoria de grupos. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/0b1e9cab-4916-4cc5-ab2c-578d4bb9bf02/3055049.pdf
NLM
Wanderley AB, Silva JLF da, Sipahi GM. Fitting das estruturas de bandas a partir de estratégias que envolvem propriedades de simetrias dos materiais baseadas na teoria de grupos [Internet]. Livro de Resumos. 2021 ;[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/0b1e9cab-4916-4cc5-ab2c-578d4bb9bf02/3055049.pdf
Vancouver
Wanderley AB, Silva JLF da, Sipahi GM. Fitting das estruturas de bandas a partir de estratégias que envolvem propriedades de simetrias dos materiais baseadas na teoria de grupos [Internet]. Livro de Resumos. 2021 ;[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/0b1e9cab-4916-4cc5-ab2c-578d4bb9bf02/3055049.pdf
Trabalho de evento-resumo
Aprendizado de técnicas de simulação computacional de semicondutores de baixa dimensionalidade (2021)
Salomon, Bruno Leão Rennó; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
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ABNT
SALOMON, Bruno Leão Rennó e SIPAHI, Guilherme Matos. Aprendizado de técnicas de simulação computacional de semicondutores de baixa dimensionalidade. 2021, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2021. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/750b5358-c081-4045-b468-b7c1a61ca3e9/3053805.pdf. Acesso em: 24 maio 2024.
APA
Salomon, B. L. R., & Sipahi, G. M. (2021). Aprendizado de técnicas de simulação computacional de semicondutores de baixa dimensionalidade. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/750b5358-c081-4045-b468-b7c1a61ca3e9/3053805.pdf
NLM
Salomon BLR, Sipahi GM. Aprendizado de técnicas de simulação computacional de semicondutores de baixa dimensionalidade [Internet]. Livro de Resumos. 2021 ;[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/750b5358-c081-4045-b468-b7c1a61ca3e9/3053805.pdf
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Salomon BLR, Sipahi GM. Aprendizado de técnicas de simulação computacional de semicondutores de baixa dimensionalidade [Internet]. Livro de Resumos. 2021 ;[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/750b5358-c081-4045-b468-b7c1a61ca3e9/3053805.pdf
Trabalho de evento-resumo
Aprendizado de técnicas de simulação computacional de semicondutores de baixa dimensionalidade (2021)
Salomon, Bruno Leão Rennó; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Resumos. Conference titles: Simpósio Internacional de Iniciação Científica e Tecnológica da Universidade de São Paulo - SIICUSP. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
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ABNT
SALOMON, Bruno Leão Rennó e SIPAHI, Guilherme Matos. Aprendizado de técnicas de simulação computacional de semicondutores de baixa dimensionalidade. 2021, Anais.. São Paulo: Universidade de São Paulo - USP, 2021. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/4c849410-9a8c-452a-8d2c-2bda46b88ba5/PROD032213_3050316.pdf. Acesso em: 24 maio 2024.
APA
Salomon, B. L. R., & Sipahi, G. M. (2021). Aprendizado de técnicas de simulação computacional de semicondutores de baixa dimensionalidade. In Resumos. São Paulo: Universidade de São Paulo - USP. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/4c849410-9a8c-452a-8d2c-2bda46b88ba5/PROD032213_3050316.pdf
NLM
Salomon BLR, Sipahi GM. Aprendizado de técnicas de simulação computacional de semicondutores de baixa dimensionalidade [Internet]. Resumos. 2021 ;[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/4c849410-9a8c-452a-8d2c-2bda46b88ba5/PROD032213_3050316.pdf
Vancouver
Salomon BLR, Sipahi GM. Aprendizado de técnicas de simulação computacional de semicondutores de baixa dimensionalidade [Internet]. Resumos. 2021 ;[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/4c849410-9a8c-452a-8d2c-2bda46b88ba5/PROD032213_3050316.pdf
Artigo de periodico
Electric field induced edge-state oscillations in InAs/GaSb quantum wells (2021)
Medeiros, Marcos Henrique Lima de ; Teixeira, Raphael Levy Rucio Castro ; Sipahi, Guilherme Matos ; Silva, Luis Gregorio Godoy de Vasconcellos Dias da
Source: Physical Review B. Unidades: IFSC, IF
Subjects: SPIN, POÇOS QUÂNTICOS, CAMPO ELETROMAGNÉTICO
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ABNT
MEDEIROS, Marcos Henrique Lima de et al. Electric field induced edge-state oscillations in InAs/GaSb quantum wells. Physical Review B, v. No 2021, n. 19 p. 195307-1-195307-8, 2021Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.104.195307. Acesso em: 24 maio 2024.
APA
Medeiros, M. H. L. de, Teixeira, R. L. R. C., Sipahi, G. M., & Silva, L. G. G. de V. D. da. (2021). Electric field induced edge-state oscillations in InAs/GaSb quantum wells. Physical Review B, No 2021( 19 p. 195307-1-195307-8). doi:10.1103/PhysRevB.104.195307
NLM
Medeiros MHL de, Teixeira RLRC, Sipahi GM, Silva LGG de VD da. Electric field induced edge-state oscillations in InAs/GaSb quantum wells [Internet]. Physical Review B. 2021 ; No 2021( 19 p. 195307-1-195307-8):[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.104.195307
Vancouver
Medeiros MHL de, Teixeira RLRC, Sipahi GM, Silva LGG de VD da. Electric field induced edge-state oscillations in InAs/GaSb quantum wells [Internet]. Physical Review B. 2021 ; No 2021( 19 p. 195307-1-195307-8):[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.104.195307
Trabalho de evento-resumo
Study of semiconductor AlN with density functional theory (2020)
Bonani, Fabio Danielli; Alves, Horácio; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BONANI, Fabio Danielli e ALVES, Horácio e SIPAHI, Guilherme Matos. Study of semiconductor AlN with density functional theory. 2020, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2020. Disponível em: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view. Acesso em: 24 maio 2024.
APA
Bonani, F. D., Alves, H., & Sipahi, G. M. (2020). Study of semiconductor AlN with density functional theory. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view
NLM
Bonani FD, Alves H, Sipahi GM. Study of semiconductor AlN with density functional theory [Internet]. Livro de Resumos. 2020 ;[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view
Vancouver
Bonani FD, Alves H, Sipahi GM. Study of semiconductor AlN with density functional theory [Internet]. Livro de Resumos. 2020 ;[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view
Trabalho de evento-resumo
Efeitos de strain em semicondutores III-V (2020)
Siqueira, Anderson; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SIQUEIRA, Anderson e SIPAHI, Guilherme Matos. Efeitos de strain em semicondutores III-V. 2020, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2020. Disponível em: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view. Acesso em: 24 maio 2024.
APA
Siqueira, A., & Sipahi, G. M. (2020). Efeitos de strain em semicondutores III-V. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view
NLM
Siqueira A, Sipahi GM. Efeitos de strain em semicondutores III-V [Internet]. Livro de Resumos. 2020 ;[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view
Vancouver
Siqueira A, Sipahi GM. Efeitos de strain em semicondutores III-V [Internet]. Livro de Resumos. 2020 ;[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view
Trabalho de evento-resumo
Implementação e manutenção de código computacional em framework de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores (2020)
Pauli, Ian Giestas; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Resumos. Conference titles: Simpósio Internacional de Iniciação Científica e Tecnológica da Universidade de São Paulo - SIICUSP. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAULI, Ian Giestas e SIPAHI, Guilherme Matos. Implementação e manutenção de código computacional em framework de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores. 2020, Anais.. São Paulo: Universidade de São Paulo - USP, 2020. Disponível em: https://uspdigital.usp.br/siicusp/siicPublicacao.jsp?codmnu=7210. Acesso em: 24 maio 2024.
APA
Pauli, I. G., & Sipahi, G. M. (2020). Implementação e manutenção de código computacional em framework de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores. In Resumos. São Paulo: Universidade de São Paulo - USP. Recuperado de https://uspdigital.usp.br/siicusp/siicPublicacao.jsp?codmnu=7210
NLM
Pauli IG, Sipahi GM. Implementação e manutenção de código computacional em framework de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores [Internet]. Resumos. 2020 ;[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://uspdigital.usp.br/siicusp/siicPublicacao.jsp?codmnu=7210
Vancouver
Pauli IG, Sipahi GM. Implementação e manutenção de código computacional em framework de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores [Internet]. Resumos. 2020 ;[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://uspdigital.usp.br/siicusp/siicPublicacao.jsp?codmnu=7210
Trabalho de evento-resumo
Theoretical prediction of the optical transitions in bulk wurtzite GaP (2020)
Oliveira, Caio Estevão de; Bonani, Fabio Danielli; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Program. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, Caio Estevão de e BONANI, Fabio Danielli e SIPAHI, Guilherme Matos. Theoretical prediction of the optical transitions in bulk wurtzite GaP. 2020, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2020. Disponível em: http://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0350-2.pdf. Acesso em: 24 maio 2024.
APA
Oliveira, C. E. de, Bonani, F. D., & Sipahi, G. M. (2020). Theoretical prediction of the optical transitions in bulk wurtzite GaP. In Program. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de http://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0350-2.pdf
NLM
Oliveira CE de, Bonani FD, Sipahi GM. Theoretical prediction of the optical transitions in bulk wurtzite GaP [Internet]. Program. 2020 ;[citado 2024 maio 24 ] Available from: http://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0350-2.pdf
Vancouver
Oliveira CE de, Bonani FD, Sipahi GM. Theoretical prediction of the optical transitions in bulk wurtzite GaP [Internet]. Program. 2020 ;[citado 2024 maio 24 ] Available from: http://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0350-2.pdf
Artigo de periodico
Spin-lasers: spintronics beyond magnetoresistance (2020)
Zutic, Igor; Xu, Gaofeng; Lindemann, Markus; Faria Junior, Paulo E.; Lee, Jeongsu; Labinac, Velimir; Stojšić, Kristian; Sipahi, Guilherme Matos ; Hofmann, Martin R.; Gerhardt, Nils C.
Source: Solid State Communications. Unidade: IFSC
Subjects: SPIN, SPINTRÔNICA, EQUAÇÕES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ZUTIC, Igor et al. Spin-lasers: spintronics beyond magnetoresistance. Solid State Communications, v. 316-317, p. 113949-1-113949-17, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2020.113949. Acesso em: 24 maio 2024.
APA
Zutic, I., Xu, G., Lindemann, M., Faria Junior, P. E., Lee, J., Labinac, V., et al. (2020). Spin-lasers: spintronics beyond magnetoresistance. Solid State Communications, 316-317, 113949-1-113949-17. doi:10.1016/j.ssc.2020.113949
NLM
Zutic I, Xu G, Lindemann M, Faria Junior PE, Lee J, Labinac V, Stojšić K, Sipahi GM, Hofmann MR, Gerhardt NC. Spin-lasers: spintronics beyond magnetoresistance [Internet]. Solid State Communications. 2020 ; 316-317 113949-1-113949-17.[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2020.113949
Vancouver
Zutic I, Xu G, Lindemann M, Faria Junior PE, Lee J, Labinac V, Stojšić K, Sipahi GM, Hofmann MR, Gerhardt NC. Spin-lasers: spintronics beyond magnetoresistance [Internet]. Solid State Communications. 2020 ; 316-317 113949-1-113949-17.[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2020.113949
Artigo de periodico
Optical absorption exhibits pseudo-direct band gap of wurtzite gallium phosphide (2020)
Silva, Bruno C . da; Couto Jr., Odilon D. D.; Obata, Hélio T.; Lima, Mauricio M.; Bonani, Fabio Danielli; Oliveira, Caio Estevão de; Sipahi, Guilherme Matos ; Iikawa, Fernando; Cotta, Mônica A.
Source: Scientific Reports. Unidade: IFSC
Subjects: MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, SEMICONDUTORES, ABSORÇÃO DA LUZ
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Bruno C . da et al. Optical absorption exhibits pseudo-direct band gap of wurtzite gallium phosphide. Scientific Reports, v. 10, p. 7904-1-7904-7, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1038/s41598-020-64809-4. Acesso em: 24 maio 2024.
APA
Silva, B. C. . da, Couto Jr., O. D. D., Obata, H. T., Lima, M. M., Bonani, F. D., Oliveira, C. E. de, et al. (2020). Optical absorption exhibits pseudo-direct band gap of wurtzite gallium phosphide. Scientific Reports, 10, 7904-1-7904-7. doi:10.1038/s41598-020-64809-4
NLM
Silva BC . da, Couto Jr. ODD, Obata HT, Lima MM, Bonani FD, Oliveira CE de, Sipahi GM, Iikawa F, Cotta MA. Optical absorption exhibits pseudo-direct band gap of wurtzite gallium phosphide [Internet]. Scientific Reports. 2020 ; 10 7904-1-7904-7.[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://doi.org/10.1038/s41598-020-64809-4
Vancouver
Silva BC . da, Couto Jr. ODD, Obata HT, Lima MM, Bonani FD, Oliveira CE de, Sipahi GM, Iikawa F, Cotta MA. Optical absorption exhibits pseudo-direct band gap of wurtzite gallium phosphide [Internet]. Scientific Reports. 2020 ; 10 7904-1-7904-7.[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://doi.org/10.1038/s41598-020-64809-4
Trabalho de evento-resumo
Hamiltoniano por formalismo k·p para estruturas Zincblende (2020)
Oliveira, Caio Estevão de; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, SISTEMAS HAMILTONIANOS, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, Caio Estevão de e SIPAHI, Guilherme Matos. Hamiltoniano por formalismo k·p para estruturas Zincblende. 2020, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2020. Disponível em: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view. Acesso em: 24 maio 2024.
APA
Oliveira, C. E. de, & Sipahi, G. M. (2020). Hamiltoniano por formalismo k·p para estruturas Zincblende. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view
NLM
Oliveira CE de, Sipahi GM. Hamiltoniano por formalismo k·p para estruturas Zincblende [Internet]. Livro de Resumos. 2020 ;[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view
Vancouver
Oliveira CE de, Sipahi GM. Hamiltoniano por formalismo k·p para estruturas Zincblende [Internet]. Livro de Resumos. 2020 ;[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view
Trabalho de evento-resumo
Propriedades eletrônicas de semicondutores a partir do estudo das simetrias dos grupos cristalinos (2020)
Salomon, Bruno Leão Rennó; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SALOMON, Bruno Leão Rennó e SIPAHI, Guilherme Matos. Propriedades eletrônicas de semicondutores a partir do estudo das simetrias dos grupos cristalinos. 2020, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2020. Disponível em: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view. Acesso em: 24 maio 2024.
APA
Salomon, B. L. R., & Sipahi, G. M. (2020). Propriedades eletrônicas de semicondutores a partir do estudo das simetrias dos grupos cristalinos. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view
NLM
Salomon BLR, Sipahi GM. Propriedades eletrônicas de semicondutores a partir do estudo das simetrias dos grupos cristalinos [Internet]. Livro de Resumos. 2020 ;[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view
Vancouver
Salomon BLR, Sipahi GM. Propriedades eletrônicas de semicondutores a partir do estudo das simetrias dos grupos cristalinos [Internet]. Livro de Resumos. 2020 ;[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view
Trabalho de evento-resumo
Implementação e manutenção de código computacional em framework de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores (2020)
Pauli, Ian Giestas; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
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ABNT
PAULI, Ian Giestas e SIPAHI, Guilherme Matos. Implementação e manutenção de código computacional em framework de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores. 2020, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2020. Disponível em: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view. Acesso em: 24 maio 2024.
APA
Pauli, I. G., & Sipahi, G. M. (2020). Implementação e manutenção de código computacional em framework de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view
NLM
Pauli IG, Sipahi GM. Implementação e manutenção de código computacional em framework de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores [Internet]. Livro de Resumos. 2020 ;[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view
Vancouver
Pauli IG, Sipahi GM. Implementação e manutenção de código computacional em framework de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores [Internet]. Livro de Resumos. 2020 ;[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view
Trabalho de evento-resumo
Propriedades eletrônicas de semicondutores a partir do estudo das simetrias dos grupos cristalinos (2020)
Salomon, Bruno Leão Rennó; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Resumos. Conference titles: Simpósio Internacional de Iniciação Científica e Tecnológica da Universidade de São Paulo - SIICUSP. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
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ABNT
SALOMON, Bruno Leão Rennó e SIPAHI, Guilherme Matos. Propriedades eletrônicas de semicondutores a partir do estudo das simetrias dos grupos cristalinos. 2020, Anais.. São Paulo: Universidade de São Paulo - USP, 2020. Disponível em: https://uspdigital.usp.br/siicusp/siicPublicacao.jsp?codmnu=7210. Acesso em: 24 maio 2024.
APA
Salomon, B. L. R., & Sipahi, G. M. (2020). Propriedades eletrônicas de semicondutores a partir do estudo das simetrias dos grupos cristalinos. In Resumos. São Paulo: Universidade de São Paulo - USP. Recuperado de https://uspdigital.usp.br/siicusp/siicPublicacao.jsp?codmnu=7210
NLM
Salomon BLR, Sipahi GM. Propriedades eletrônicas de semicondutores a partir do estudo das simetrias dos grupos cristalinos [Internet]. Resumos. 2020 ;[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://uspdigital.usp.br/siicusp/siicPublicacao.jsp?codmnu=7210
Vancouver
Salomon BLR, Sipahi GM. Propriedades eletrônicas de semicondutores a partir do estudo das simetrias dos grupos cristalinos [Internet]. Resumos. 2020 ;[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://uspdigital.usp.br/siicusp/siicPublicacao.jsp?codmnu=7210
Trabalho de evento-resumo
Framework para a determinação semiautomática de Hamiltonianos efetivos a partir de estruturas de bandas preexistentes (2020)
Wanderley, Adilson Barros; Sipahi, Guilherme Matos ; Silva, Juarez Lopes Ferreira da
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidades: IFSC, IQSC
Subjects: SEMICONDUTORES, SISTEMAS HAMILTONIANOS, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS
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ABNT
WANDERLEY, Adilson Barros e SIPAHI, Guilherme Matos e SILVA, Juarez Lopes Ferreira da. Framework para a determinação semiautomática de Hamiltonianos efetivos a partir de estruturas de bandas preexistentes. 2020, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2020. Disponível em: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view. Acesso em: 24 maio 2024.
APA
Wanderley, A. B., Sipahi, G. M., & Silva, J. L. F. da. (2020). Framework para a determinação semiautomática de Hamiltonianos efetivos a partir de estruturas de bandas preexistentes. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view
NLM
Wanderley AB, Sipahi GM, Silva JLF da. Framework para a determinação semiautomática de Hamiltonianos efetivos a partir de estruturas de bandas preexistentes [Internet]. Livro de Resumos. 2020 ;[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view
Vancouver
Wanderley AB, Sipahi GM, Silva JLF da. Framework para a determinação semiautomática de Hamiltonianos efetivos a partir de estruturas de bandas preexistentes [Internet]. Livro de Resumos. 2020 ;[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view
Trabalho de evento-resumo
Edge transport in GaSb/InAs double quantum wells (2020)
Medeiros, Marcos Henrique Lima de; Silva, Luis Gregorio Godoy de Vasconcellos Dias da; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Program. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidades: IF, IFSC
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, CAMPO ELETROMAGNÉTICO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MEDEIROS, Marcos Henrique Lima de e SILVA, Luis Gregorio Godoy de Vasconcellos Dias da e SIPAHI, Guilherme Matos. Edge transport in GaSb/InAs double quantum wells. 2020, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2020. Disponível em: http://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0350-1.pdf. Acesso em: 24 maio 2024.
APA
Medeiros, M. H. L. de, Silva, L. G. G. de V. D. da, & Sipahi, G. M. (2020). Edge transport in GaSb/InAs double quantum wells. In Program. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de http://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0350-1.pdf
NLM
Medeiros MHL de, Silva LGG de VD da, Sipahi GM. Edge transport in GaSb/InAs double quantum wells [Internet]. Program. 2020 ;[citado 2024 maio 24 ] Available from: http://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0350-1.pdf
Vancouver
Medeiros MHL de, Silva LGG de VD da, Sipahi GM. Edge transport in GaSb/InAs double quantum wells [Internet]. Program. 2020 ;[citado 2024 maio 24 ] Available from: http://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0350-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Formation and size evolution of transition metal dichalcogenides nanoflakes from Ab initio studies (2019)
Besse, Rafael; Bastos, Carlos M. O.; Sipahi, Guilherme Matos; Lima, Matheus P.; Guedes Sobrinho, Diego; Caturello, Naidel A. M. S.; Silva, Augusto C. H.; Silva, Juarez Lopes Ferreira da
Source: Programa. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidades: IFSC, IQSC
Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BESSE, Rafael et al. Formation and size evolution of transition metal dichalcogenides nanoflakes from Ab initio studies. 2019, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2019. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2019/sys/resumos/R0509-1.pdf. Acesso em: 24 maio 2024.
APA
Besse, R., Bastos, C. M. O., Sipahi, G. M., Lima, M. P., Guedes Sobrinho, D., Caturello, N. A. M. S., et al. (2019). Formation and size evolution of transition metal dichalcogenides nanoflakes from Ab initio studies. In Programa. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2019/sys/resumos/R0509-1.pdf
NLM
Besse R, Bastos CMO, Sipahi GM, Lima MP, Guedes Sobrinho D, Caturello NAMS, Silva ACH, Silva JLF da. Formation and size evolution of transition metal dichalcogenides nanoflakes from Ab initio studies [Internet]. Programa. 2019 ;[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2019/sys/resumos/R0509-1.pdf
Vancouver
Besse R, Bastos CMO, Sipahi GM, Lima MP, Guedes Sobrinho D, Caturello NAMS, Silva ACH, Silva JLF da. Formation and size evolution of transition metal dichalcogenides nanoflakes from Ab initio studies [Internet]. Programa. 2019 ;[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2019/sys/resumos/R0509-1.pdf

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