Efeitos do diodo (810 nm) no selamento de canais radiculares obturados

Efeitos do diodo (810 nm) no selamento de canais radiculares obturados (2004)

Authors:
USP affiliated authors: MARQUES, JOSE LUIZ DA SILVA LAGE - FO ; AUN, CARLOS EDUARDO - FO
Unidade: FO
Subjects: LASER; DIODOS; OBTURAÇÃO DO CANAL RADICULAR
Language: Português
Imprenta:
- Publisher place: São Paulo
- Date published: 2004
Source:
- Título do periódico: RPG Revista da Pós-Graduação
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 11, n. 3, Res. PA55, p. 285, jul./set. 2004
Conference titles: Reunião de Pesquisa

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ABNT

RIBEIRO, A. C. et al. Efeitos do diodo (810 nm) no selamento de canais radiculares obturados. RPG Revista da Pós-Graduação. São Paulo: Faculdade de Odontologia, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 03 maio 2024. , 2004
APA

Ribeiro, A. C., Zezell, D. M., Amorin, C. V. G., Aun, C. E., & Lage Marques, J. L. S. (2004). Efeitos do diodo (810 nm) no selamento de canais radiculares obturados. RPG Revista da Pós-Graduação. São Paulo: Faculdade de Odontologia, Universidade de São Paulo.
NLM

Ribeiro AC, Zezell DM, Amorin CVG, Aun CE, Lage Marques JLS. Efeitos do diodo (810 nm) no selamento de canais radiculares obturados. RPG Revista da Pós-Graduação. 2004 ; 11( 3): 285.[citado 2024 maio 03 ]
Vancouver

Ribeiro AC, Zezell DM, Amorin CVG, Aun CE, Lage Marques JLS. Efeitos do diodo (810 nm) no selamento de canais radiculares obturados. RPG Revista da Pós-Graduação. 2004 ; 11( 3): 285.[citado 2024 maio 03 ]